【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片制造领域，特别涉及一 种集成电路芯片的钝化层(Passivation )。
技术介绍
集成电路的表面钝化可以减少氧化层中的各种电荷，增强器件对离子玷 污的阻挡能力，保护电路及内部互连线免受机械和化学损伤。由于各层材料 的杨氏模量和热膨胀系数的差异，在集成电路制备过程中，如沉积、抛光、 溅射、光刻等，由于相应的温度变化都会使薄膜内部的应力发生变化，从而 形成空洞、裂紋或脱落，引起集成电路结构的形变及互连导线短路或开路， 造成器件失效。钝化层的种类和结构对于互连线内部形成的应力及应力释放的快慢影 响很大。在现有技术中，如图1所示，钝化层由第一二氧化硅(Si〇2)层3 和氮化硅(SiN)层1组成。所述第一Si02层3可由高密度电浆化学气相沉 积(HDPCVD)制程或等离子增强化学气相沉积(PECVD)制程生成，用 于緩沖SiN层1的应力，并填充金属层中的金属线4之间的空隙。由于第一 Si〇2层3与SiN层1的杨氏模量和热膨胀系数的差异，上述制程下的第一 Si02层3和SiN层1均对金属层施加收缩应力，导致钝化层与金属层、金属层与介质绝缘层之间的粘合性...
【技术保护点】
一种集成电路芯片的钝化层，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，其特征在于，所述钝化层还包括第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于氮化硅层和第一二氧化硅层之间。
【技术特征摘要】
1、一种集成电路芯片的钝化层，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，其特征在于，所述钝化层还包括第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于氮化硅层和第一二氧化硅层之间。2、 如权利要求1所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述第一二氧化硅层由高密度电浆化学气相沉积制程或等离子增强化学气相沉积制 程生成。3、 如权利要求1或2所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述 第二二氧化硅层由亚大气压化学气相沉积制程生成。4、 如权利要求3所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述亚大 气压化学气相沉积制程的温度是400摄氏度，压力为200托。5、 如权利要求1或2所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述 第二二氧化硅层的厚度与第一二氧化硅层、氮化硅层的厚度的关系满足使拉 伸应力部分抵消收缩应力后，不产生钝化层与金属层、金属层与介质绝缘层 之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾建平，董梅，马琳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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