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本发明提供一种集成电路芯片的钝化层，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，其特征在于，所述钝化层还包括第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于第一二氧化硅层和氮化硅层之间。本发明的钝化层可以有效避免钝化层与金属层、...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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