【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED芯片，尤其涉及一种可以改善出光效率的LED芯片设计。
技术介绍
作为一种新型的发光器件，LED在生产和生活中的很多领域有着广泛的应 用。LED，全称为发光二极管(light emitting diode)，通常包括N型和P型半 导体材料，以及夹在二者之间的活性发光层，通常为多量子阱MQW层。通常 情况下，通过给LED的PN结两端施加电压，将电子和空穴注入到活性发光层， 电子和空穴如果发生辐射复合，就会产生光子，也就是发射一定波长的光。所 发光的颜色(波长)，主要由活性发光层材料的禁带宽度和量子阱的宽度所决定。图1为LED器件结构的纵剖面示意图。如图所示的LED结构包括衬底和位 于衬底上的LED器件层。在N型材料层和P型材料层上分别沉积N型电极层 和P型电极层，然后进行合金化，也就是退火处理，从而形成N电极和P电极。 当在P电极和N电极之间施加一定的电压，LED器件层中的发光活性层就可以 发光。图2为常规的LED芯片的俯视图。可以看到，在芯片的左下角设置了N电 极，而芯片的其余部分则被P电极覆盖。当然，N电极和P电极之间是被电绝 缘地隔离开的...
【技术保护点】
一种ＬＥＤ芯片，包括： 衬底； 第一导电类型的第一半导体材料层； 活性发光层； 第二导电类型的第二半导体材料层，其中所述第一半导体材料层、活性发光层、和第二半导体材料层依次堆叠，部分第一半导体材料未被活性发光层和第二半导体材料层覆盖而暴露在外； 和被暴露的部分第一半导体材料层电连接的第一电极； 和第二半导体材料层电连接的第二电极，其中所述第二电极由透明电极和位于透明电极局部的第一加厚电极组成，所述第一电极处在ＬＥＤ芯片的非几何边缘位置，并且被所述透明电极所环绕。
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括衬底；第一导电类型的第一半导体材料层；活性发光层；第二导电类型的第二半导体材料层，其中所述第一半导体材料层、活性发光层、和第二半导体材料层依次堆叠，部分第一半导体材料未被活性发光层和第二半导体材料层覆盖而暴露在外；和被暴露的部分第一半导体材料层电连接的第一电极；和第二半导体材料层电连接的第二电极，其中所述第二电极由透明电极和位于透明电极局部的第一加厚电极组成，所述第一电极处在LED芯片的非几何边缘位置，并且被所述透明电极所环绕。2. 如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电极还包括条状加 厚电极，所述条状加厚电极被设置于LED芯片的几何边缘处并与所述第一加厚电 极电连接。3. 如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的非几何边 缘位置是指包括LED芯片的几何中心位置在内的由条状加厚电极组成的框范围内 的所有区域。4. 如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体材料层是N 型半导体材料层，所述第二半导体材料层是P型半导体材料层。5. 如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明电极用Ni/Au合金 或者ITO等透明导电材料形成。6. 如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，邵春林，
申请(专利权)人：上海宇体光电有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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