等离子显示面板及其制造方法技术

一种等离子显示面板，在与形成于前面玻璃基板（１）和背面玻璃基板（４）之间的放电空间的放电单元（Ｃ）面对的位置上设置包括氧化镁晶体的氧化镁层（８），该氧化镁晶体通过电子射线激励而进行在２００～３００ｎｍ波长区域内具有峰的阴极／电致发光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子显示面板的结构及等离子显示面板的制造方法。
技术介绍
面放电式交流等离子显示面板(以下称为PDP)是在被封入了放电气体的放电空间的两侧对置的两个玻璃基板中的一方的玻璃基板上，在列方向并列设置向行方向延伸的行电极对，在另一方的玻璃基板上，在行方向并列设置向列方向延伸的列电极，在放电空间的行电极对和列电极分别交叉的部分上形成矩阵状的单位发光区域(放电单元)。并且，在该PDP中，在面对为了覆盖行电极和列电极而形成的电介质层上的单位发光区域内的位置，形成具有电介质层的保护功能和向单位发光区域内的二次电子放射功能的氧化镁(MgO)膜。作为这种PDP的制造工序的氧化镁膜的形成方法，通过在电介质层上涂覆混入了氧化镁粉末的浆料来形成该氧化镁膜的丝网印刷法是很简便的方法，所以例如日本特开平6-325696号公报所述，在研究该方法的应用。但是，像该日本特开平6-325696号公报那样，使用混入了将氢氧化镁进行热处理而精制的多晶片叶形氧化镁的浆料，利用丝网印刷法形成PDP氧化镁膜时，PDP的放电特性和利用蒸镀法形成氧化镁膜时几乎相同或只有略微的提高。因此，期望能够在PDP上形成可以进一步提高放电特性的氧化镁膜。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述以往形成有氧化镁膜的PDP的问题。为了达到上述目的，根据本专利技术(本专利技术之1)的PDP，设有隔着放电空间而面对的前面基板和背面基板，以及在该前面基板和背面基板之间设置的多个行电极对、和在与该行电极对交叉的方向延伸并且在与行电极对的各交叉部分的放电空间分别形成单位发光区域的多个列电极，其特征在于，在与所述前面基板和背面基板之间的单位发光区域相对面的部分上设置包括氧化镁晶体的氧化镁层，该氧化镁晶体通过电子射线的激励进行在200～300nm波长区域内具有峰的阴极·电致发光。上述PDP在与放电单元相对面的部分上设置的氧化镁层包括氧化镁晶体，该氧化镁晶体通过电子射线的激励进行在200～300nm波长区域内具有峰的阴极·电致发光，由此可以改善PDP的放电概率和放电延迟等的放电特性，获得良好的放电特性。另外，为了达到上述目的，根据本专利技术(本专利技术之18)的PDP的制造方法，等离子显示面板具有通过放电空间而面对的前面基板和背面基板；形成于该前面基板和背面基板中至少一方的基板的电极；覆盖该电极的电介质层；覆盖该电介质层的保护层，其特征在于，具有下述工序在覆盖所述电介质层的必要部分的位置上形成包括氧化镁晶体的氧化镁层，该氧化镁晶体通过电子射线的激励而进行在200～300nm波长区域内具有峰的阴极·电致发光。根据上述PDP的制造方法，在隔着PDP的放电空间而面对的前面基板和背面基板之间，在电介质层上的必要部分覆盖该电介质层的氧化镁层，利用通过电子射线的激励进行在200～300nm波长区域内具有峰的阴极·电致发光的氧化镁晶体形成，由此可以改善PDP的放电概率和放电延迟等的放电特性，获得良好的放电特性。附图说明图1是表示本专利技术实施方式的第一实施例的主视图。图2是沿图1的V1-V1线的剖面图。图3是沿图1的V2-V2线的剖面图。图4是沿图1的W1-W1线的剖面图。图5是表示具有立方体的单晶结构的氧化镁单晶体的SEM照片的图。图6是表示具有立方体的多晶结构的氧化镁单晶体的SEM照片的图。图7是表示第一实施例的氧化镁单晶体的粒径和CL发光波长的关系的曲线图。图8是表示第一实施例的氧化镁单晶体的粒径和235nm的CL发光的峰值强度的关系的曲线图。图9是表示来自使用蒸镀法的氧化镁层的CL发光波长状态的曲线图。图10是表示来自氧化镁单晶体的235nm的CL发光峰值强度和放电延迟的关系的曲线图。图11是表示第一实施例的放电概率的改善状态的曲线图。图12是表示第一实施例的放电概率的改善状态的图表。图13是表示第一实施例的放电延迟的改善状态的曲线图。图14是表示第一实施例的放电延迟的改善状态的图表。图15是表示第一实施例的氧化镁单晶体的粒径和放电概率的关系的曲线图。图16是表示本本专利技术的实施方式的第二实施例的主视图。图17是沿图16的V3-V3线的剖面图。图18是沿图16的W2-W2线的剖面图。图19是表示在第二实施例中通过涂覆包括氧化镁单晶体的浆料而形成的氧化镁层的状态的剖面图。图20是表示在第二实施例中利用附着有包括氧化镁单晶体的粉末层形成的氧化镁层的状态的剖面图。图21是表示在第二实施例中利用氧化镁单晶体的粉末层形成氧化镁层时的放电概率和其他示例的放电概率的对比曲线图。图22是表示本本专利技术的实施方式的第三实施例的正视图。图23是沿图22的V4-V4线的剖面图。图24是沿图22的W3-W3线的剖面图。图25是表示在第三实施例中在镁薄膜层上形成镁结晶层的状态的剖面图。图26是表示在第三实施例中在镁结晶层上形成镁薄膜层的状态的剖面图。图27是表示仅利用基于蒸镀法的氧化镁层构成保护层时和基于蒸镀法的镁结晶层与镁薄膜层构成双层结构时的放电延迟特性的对比图。具体实施例方式以下，根据图示的实施例详细说明本专利技术。第一实施例图1～图4表示本专利技术实施方式的第一实施例。图1是该第一实施例的面放电式交流PDP的单元结构的正面示意图，图2是沿图1的V1-V1线的剖面图，图3是沿图1的V2-V2线的剖面图，图4是沿图1的W1-W1线的剖面图。在图1～图4中，PDP的结构是，在其显示面即前面玻璃基板1的背面，多个行电极对(X、Y)在前面玻璃基板1的行方向(图1的左右方向)延伸，并且被并列设置在列方向(图1的上下方向)上。行电极X由形成为T字形的由ITO等透明导电膜构成的透明电极Xa、和在前面玻璃基板1的行方向延伸的由连接在透明电极Xa的宽度较小的基端部的金属膜构成的黑色总线电极Xb构成。同样，行电极Y由形成为T字形的由ITO等透明导电膜构成的透明电极Ya、在前面玻璃基板1的行方向延伸的由连接在透明电极Ya的宽度较小的基端部的金属膜构成的黑色总线电极Yb、和与透明电极Ya形成为一体的从该透明电极Ya的基端部在总线电极Yb的相反侧突出的地址放电透明电极Yc构成。该行电极X和Y被交替配置在前面玻璃基板1的列方向(图1的上下方向及图2的左右方向)，沿着总线电极Xb和Yb并列设置成相等间隔的各个透明电极Xa和Ya，在彼此成对的对方行电极侧延伸，该透明电极Xa和Ya的宽度较宽的前端部分别通过必要宽度的放电间隙g彼此相对。并且，行电极Y的地址放电透明电极Yc分别位于与在列方向相邻的其他行电极对(X、Y)隔开间隔彼此背靠背的行电极X的总线电极Xb和行电极Y的总线电极Yb之间。在这些各个行电极对(X、Y)分别构成在行方向延伸的显示线L。在前面玻璃基板1的背面形成覆盖行电极对(X、Y)的电介质层2，在该电介质层2的背面侧，在与行方向上彼此相邻的行电极对(X、Y)彼此背靠背的总线电极Xb和Yb、及该背靠背的总线电极Xb和Yb之间的区域部分(地址放电透明电极Yc所在的部分)相对的位置，从电介质层2朝向背面侧(在图2中为下方侧)突出的黑色或暗色的第1鼓起电介质层3A形成为与总线电极Xb、Yb平行地延伸。另外，在该第1鼓起电介质层3A的背面与总线电极Xb相对的部分，从第1鼓起电介质层3A朝向背面侧(在图2中为下方侧)突出的第2鼓起电介质层3B形成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示面板，设有隔着放电空间而面对的前面基板和背面基板，以及在该前面基板和背面基板之间设置的多个行电极对、和在与该行电极对交叉的方向延伸并且在与行电极对的各交叉部分的放电空间分别形成单位发光区域的多个列电极，其特征在于，在与 所述前面基板和背面基板之间的单位发光区域相对面的部分上设置包括氧化镁晶体的氧化镁层，该氧化镁晶体通过电子射线的激励而进行在２００～３００ｎｍ波长区域内具有峰的阴极.电致发光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-26 335866/2003;JP 2004-2-26 052193/2004;1.一种等离子显示面板，设有隔着放电空间而面对的前面基板和背面基板，以及在该前面基板和背面基板之间设置的多个行电极对、和在与该行电极对交叉的方向延伸并且在与行电极对的各交叉部分的放电空间分别形成单位发光区域的多个列电极，其特征在于，在与所述前面基板和背面基板之间的单位发光区域相对面的部分上设置包括氧化镁晶体的氧化镁层，该氧化镁晶体通过电子射线的激励而进行在200～300nm波长区域内具有峰的阴极·电致发光。2.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁晶体是利用气相氧化法形成的氧化镁单晶体。3.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁单晶体进行在230～250nm内具有峰的阴极·电致发光。4.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁单晶体的粒径大于等于2000埃。5.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁层形成在覆盖行电极对的电介质层上。6.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其特征在于，所述单位发光区域被划分成进行图像形成用发光的第1发光区域、和为了选择发出用于形成该图像的光的第1发光区域而进行放电的第2发光区域，所述氧化镁层被设置在面对单位发光区域的第2发光区域的部分。7.根据权利要求2所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁单晶体是具有立方体单晶结构的氧化镁单晶体。8.根据权利要求2所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁单晶体是具有立方体多晶结构的氧化镁单晶体。9.根据权利要求2所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁单晶体的粒径大于等于500埃。10.根据权利要求2所述的等离子显示面板，其特征在于，所述氧化镁单晶体的粒径大于等于2000埃。11.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其特征在于，具有覆盖所述行电极对或列电极的电介质层和覆盖该电介质层的保护层，包括通过被所述电子射线激励进行在200～300nm波长区域内具有峰的阴极·电致发光的氧化镁晶体的氧化镁层，和通过蒸镀或溅射而形成的薄膜氧化镁层一起构成叠层结构的保护层。12.根据权利要求11所述的等离子显示面板，其特征在于，所述薄膜氧化镁层形成在电介质层上，在该薄膜氧化镁层上形成包括氧化镁晶体的氧化镁层。13.根据权利要求11所述的等离子显示面板，其特征在于，包括所述氧化镁晶体的氧化镁层形成在电介质层上，在包括该氧化镁晶体的氧化镁层上形成薄膜氧化镁层。14.根据权利要求11所述的等离子显示面板，其特征在于，包括所述氧化镁晶体的氧化镁层和薄膜氧化镁层分别形成在电介质层的整个表面上。15.根据权利要求11所述的等离子显示面板，其特征在于，所述薄膜氧化镁层形成在电介质层的整个表面上，包括氧化镁晶体的氧化镁层形成在与电介质层的表面的一部分面对的位置。16.根据权利要求15所述的等离子显示面板，其特征在于，包括所述氧化镁晶体的氧化镁层形成在与行电极对或列电极面对的部分。17.根据权利要求15所述的等离子显示面板，其特征在于，包括所述氧化镁晶体的氧化镁层形成在与行电极对...

【专利技术属性】
技术研发人员：林海，直井太郎，广田敦士，佐佐木健，
申请(专利权)人：日本先锋公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]