等离子体显示器面板及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种一边抑制放电启动电压的上升、一边提高发光效率、且功耗低的等离子体显示器面板。本发明专利技术的等离子体显示器面板（１）具有夹持放电空间（３０）而配置的前面面板（１０）和背面面板（２０）。在上述前面面板的上述放电空间侧的表面上，相互空出间隔设置扫描电极（１０２）和维持电极（１０３），电介质层（１０４）和保护层（１０５）被设置成覆盖这些电极和上述表面。在上述扫描电极与上述维持电极之间的区域，在上述表面上设置凹部（１０ａ）。上述凹部的底面（１０ｂ）位于比上述扫描电极和上述维持电极的上述放电空间侧的表面更靠前侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
等离子体显示器面板(以下，记作PDP)因面板的大型化比 较容易等优势而广泛地得到普及。其中，从可靠性和图像品质特性 等方面看，占优势的交流(AC)型PDP成为主流。AC型的PDP采用在一对面板夹持放电空间的状态下对置配置的 结构。在一对面板内，前面面板如下形成，即在前面基板的主表 面上形成由扫描电极和维持电极构成的多个显示电极对，并形成电 介质层和电介质保护层以覆盖多个显示电极对。另一方面，背面面板是在背面基板的主表面上形成多个条形数据 电极，形成电介质层以覆盖该多个条形数据电极，在电介质层表面 上的各个数据电极与数据电极之间凸出设置间壁，在各个间壁间的 内壁面上形成焚光体层而构成。再有，关于背面面板上的间壁，为 了更加可靠地防止串扰，往往也采用井字形的间壁。前面面板和背面面板各自的电介质保护层与荧光体层对置，并且 在扫描电极和维持电极与数据电极呈立体交叉的状态下对置配置， 在外周部被密封。在被前面面板与背面面板之间的间壁隔开的放电 空间中，被氛(Xe)-氖(Ne)系气体和氙(Xe)-氖(Ne)-氦(He) 系气体等放电气体充填。为了驱动具有上述结构的PDP, —般采用依次重复初始化期间、 写入期间和维持放电期间这3个期间的方法。而且，在上述3个期 间内，与图像显示相关的期间是维持放电期间，在该期间内，通过 对所选择的显示单元中的扫描电极和维持电极施加脉沖电压，使之 在电介质保护层上发生面放电。可是，在PDP中，存在低成本化和低功耗化这两大课题，而现状 是，其中的低功耗化仍需改善。对PDP的低功耗化的课题而言，必 须实现发光效率的提高，为此，认为采用将显示单元中的放电间隙设定得较大、加长放电路径的结构是有效的。但是，在现有的PDP 中，由于维持放电期间中的扫描电极与维持电极之间的放电是面放 电，所以产生如下问题与对置放电等相比则必须施加较大的电压， 如果增大放电间隙则放电启动电压上升。从一边维持较大的放电间隙一边抑制放电启动电压的上升的观 点看，优选在维持放电期间中采用可产生对置放电的结构。在这样 的维持放电期间内，作为欲产生对置放电的尝试，探讨了在扫描电 极与维持电极之间设置放电空间的结构，例如，提出了在前面面板 上设置间壁，并形成扫描电极和维持电极，使得从该间壁的顶部绕 到侧面这样的技术(参照专利文献1 )以及在使之隆起非常厚的状态 下形成扫描电极和维持电极的技术(参照专利文献2)等。专利文献l:特开2003-132804号公报专利文献2:特开2003-151449号公报然而，在包含上述2篇文献内所提出的技术的现有技术中，现实 情况下难以实现谋求低成本化和低功耗化的PDP。例如，在欲采用上 述专利文献1的技术制作PDP时，由于必须形成电极，使得在间壁 处从顶部绕到其侧面，故认为难以实现电极的厚度等形状的控制， 难以确保驱动时的发光品质。另外，在上述文献2内所提出的技术 中，增厚各电极的厚度直至在扫描电极与维持电极之间产生对置放 电是不现实的。具体地说，在上述专利文献2中，作为这样厚度的 厚电极的制作方法，记述了可用镀覆法的内容，但实际上在欲用该 方法形成电极的情况下，增加厚度的同时也增加了其宽度。故认为， 直至在前面面板上形成宽度较宽的电极以前很容易用宽度加宽后的 电极来遮盖放电空间内所产生的可见光。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而进行的，其目的在于，提供一种可 一边抑制放电启动电压的上升、 一边实现发光效率的提高、并能够 实现低功耗化的PDP及其制造方法。为了达到上述目的，本专利技术具有以下的特征。本专利技术的PDP具有以下结构 一对面板夹着空间而对置配置，在 一对面板内的一块面板上，在其基板中的空间侧的表面上，相互空出间隔，并排设置第1电极和第2电极，在覆盖形成第1电极和第2 电极而形成的基板表面的状态下形成电介质层。而且，在本专利技术的 PDP中，上述一块面板采用这样的结构在空间侧的主表面上，第l 电极与第2电极之间的区域具有在基板的厚度方向向内凹入而成的 凹部，凹部的底面比第1电极和第2电极中的空间侧的主表面在基 板的厚度方向被配置在更靠内侧。另外，本专利技术的PDP的制造方法采用这样的结构，具有电极形 成步骤，相对于基板上的一个主表面，在相互空出间隔的并排设置 状态下形成第1电极和第2电极；电介质层形成步骤，在覆盖形成 第1电极和第2电极而成的基板主表面的状态下形成电介质层；以 及凹部形成步骤，在第1电极与第2电极之间的区域，除去电介质 层的一部分，形成底面凹入到比第1电极和第2电极中的空间侧的 主表面在基板的厚度方向更靠内侧的状态的凹部。在本专利技术的PDP中，在上述一块面板上的空间侧表面的第1电极 与第2电极之间的区域，采用形成凹部的结构，沿该结构形成电介 质层，并且凹部的底面按照比第1电极和第2电极的空间侧的表面 在基板的厚度方向更靠内侧的位置关系而配置。因此，在本专利技术的 PDP中，由于在连结第1电极与第2电极的线上插有凹部的一部分， 所以在驱动时的维持放电期间，可以使在第1电极与第2电极之间 发生横截凹部的状态的对置放电，从而可不伴随放电启动电压的上 升而提高发光效率。从而，在本专利技术的PDP中， 一边抑制放电启动电压的上升一边提 高发光效率，具有低功耗的优势。在此处，本专利技术的PDP在面板的空间侧表面上的第1电极与第2 电极之间具有上述凹部，但在驱动这种形态的PDP时，在维持放电 期间，作为第1电极与第2电极之间的放电形态，假定有上述那样 的对置》文电和起因于该对置》文电而发生的面方文电的2种形态。因此， 在本专利技术的PDP中，为了使之也与上述2种放电形态的某一种相对 应，优选将结构规定为下述数值。考虑到上述事项，优选在本专利技术的PDP中，相对于形成在2枚面 板间的空间，充填使氱(Xe)的分压为3[kPa]或其以上的气体，另 外，将电介质层的介电常数设定为4~ 12，并且，将电介质层的厚度设定在10[nm] 40[fxm]的范围内。在此处，所谓上述电介质层的 厚度，按照从各第1电极和第2电极的表面到空间或凹部之间的 厚度来定义。再有，在上述本专利技术的PDP中，可采用下面的变形例。在上述本专利技术的PDP中，优选各第1电极和第2电极在电介质层 的厚度方向相互进4亍层分离而配置，并且，由相互间;故电连接而成 的多个结构层构成，凹部的底面采用配置在比构成各第1电极和第2 电极的多个结构层内最靠空间侧的结构层的空间侧的主表面在基板 的厚度方向更靠内侧的状态下形成的结构。在采用该结构的PDP中， 以配置在构成各个电极的多个结构层内最靠近另一面板的位置处的 结构层为基准来规定电介质层的厚度。如果像上述PDP那样，相对于各第1电极和第2电极采用由多个 结构层构成的结构，就能够可靠地制造可实现低功耗驱动的面板。 即，例如，要形成像上述专利文献2那样厚度非常厚的电极，由于 有遮蔽射出光的问题，故难以实现，与此相对照，如果像上述本发 明的PDP那样，对各第1电极和第2电极采用由多个结构层构成的 多层结构，则可使高效率的对置放电发生而不伴随宽度的增加，能 够实现低功耗的面板。在上述本专利技术的PDP中，优选采用以金属材料为主要成分来形成 多个金属层中的各层的结构。在上述本专利技术的PDP中，优本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示器面板，一对面板夹着空间而对置配置，在上述一对面板内的一块面板上，在基板中的上述空间侧的表面上，相互空出间隔，并排设置第１电极和第２电极，在覆盖形成上述第１电极和第２电极而成的上述基板表面的状态下形成电介质层，其中　　　　上述一块面板在上述空间侧的主表面上，上述第１电极与第２电极之间的区域具有在上述基板的厚度方向向内凹入而成的凹部，　　　　上述凹部的底面比上述第１电极和第２电极中的上述空间侧的主表面在上述基板的厚度方向配置在更靠内侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-1-13 006857/20051.一种等离子体显示器面板，一对面板夹着空间而对置配置，在上述一对面板内的一块面板上，在基板中的上述空间侧的表面上，相互空出间隔，并排设置第1电极和第2电极，在覆盖形成上述第1电极和第2电极而成的上述基板表面的状态下形成电介质层，其中上述一块面板在上述空间侧的主表面上，上述第1电极与第2电极之间的区域具有在上述基板的厚度方向向内凹入而成的凹部，上述凹部的底面比上述第1电极和第2电极中的上述空间侧的主表面在上述基板的厚度方向配置在更靠内侧。2. 如权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 以3[kPa]或其以上分压在上述空间中充填了含氙的稀有气体， 上述电介质层的相对介电常数为4~12,从各上述第1电极和第2电极的表面到上述空间或上述凹部之间 的上述电介质层的厚度处于10pun~ 40网的范围内。3. 如权利要求2所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 各上述第1电极和第2电极在上述电介质层的厚度方向相互层分离而配置，并且，由相互间被电连接而成的多个结构层构成，上述凹部的底面在如下状态下被配置，即比构成各上述第1电极和第2电极的上述多个结构层内最靠近上述空间侧配置的结构层的上述空间侧的主表面在上述基板的厚度方向更靠内侧，以上述多个结构层内配置在最靠近另一面板的位置处的结构层为基准，上述电介质层的厚度处于上述范围内。4. 如权利要求3所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 上述多个结构层的各层以金属材料为主成分而形成。5. 如权利要求3所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 在各上述第1电极和第2电极中的上述多个结构层的各层间插入了上述电介质层。6. 如权利要求3所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 当在上述基板的厚度方向观察构成各上迷第1电极和第2电极的上述多个结构层时，该多个结构层具有重叠。7. 如权利要求3所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 在各上述第1电极和第2电极中，上述多个结构层内的至少1 个结构层相对于其它结构层并排设置在与上述基板的主表面平行的 方向。8. 如权利要求3所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 从上述凹部的侧壁表面起在与上述多个结构层之间只存在上述电介质层，在上述凹部的侧壁部分，上述电介质层的厚度大致均勻。9. 如权利要求3所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 上述凹部在以最短距离连结上述第1电极与上述第2电极的方向至少具有200，的开口宽度。10. 如权利要求2所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 各上述第1电极和上述第2电极由在厚度方向连续的单一结构层构成，将上述凹部夹持在其间的上述第1电极与上述第2电极的间隔在 60|xm~ 160nm的范围内。11. 如权利要求10所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 上述电介质层以薄膜法形成，其相对介电常数在4~6的范围内，厚度在10nm~ 20拜的范围内。12. 如权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 以9kPa~18kPa范围的分压在上述空间中充填了含氙的稀有气体。13. 如权利要求10所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 上述电介质层以厚膜法形成，其相对介电常数在7~12的范围内，厚度在20^m~ 40nm的范围内。14. 如权利要求13所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 以3kPa~12kPa的范围的分压在上述空间充填了含氙的稀有气体。15. 如权利要求IO所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 根据在上述第1电极与上述第2电极之间所产生的电位差，在上述凹部内的上述第1电极与上述第2电极之间发生对置放电，继而 产生呈弧形连结上述第1电极与上述第2电极的面放电。16. 如权利要求15所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 设上述对置放电中的放电启动电压为电压值Vf、上述面放电中 的放电启动电压为电压值Vf，时，上述电压值Vf小于上述电压值Vf，，并且，上述电压值Vf与上 述电压值Vf，的差异为20V或其以下。17. 如权利要求2所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 上述一块面板中的凹部的深度在10nm~ 30fim的范围内。18. 如权利要求2所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 在上述凹部中的上述电介质层的主表面上，具有将选自由MgO、MgAl20 SrO、 A1N以及La203构成的材料组中的至少1种材料为主而 形成的电介质保护层。19. 如权利要求18所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 上述电介质保护层覆盖上述电介质层中的上述空间侧的整个主表面，在上述电介质保护层中，存在于上述凹部壁面的第l部分与存在 于该部分以外的第2部分相比，其结晶性高。20. 如权利要求18所述的等离子体显示器面板，其特征在于， 上述电介质保护层覆盖上述电介质层中的上述空间侧的整个主表面，在上述电介...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田幸弘，小杉直贵，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]