等离子体显示板制造技术

一种等离子体显示板（ＰＤＰ），包括多个由前基板、后基板和具有多个单元介质壁的介质壁定义的放电室，并包括放置在放电室内中的荧光层和放电气体、放置在介质壁内的多个放电电极、和放置在介质壁内并与放电电极相隔一个预定距离的多个寻址电极。该寻址电极彼此平行地延伸并具有多个第一放电单元，其每一个对应于一个放电室。每个第一放电单元部分地围绕放电室，并且连续的第一放电单元通过第二放电单元耦合在一起。邻近的寻址电极相隔至少一个放电室的宽度，以减小功耗和在驱动期间产生的热量，并且放电电极不阻止可见光的发射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示板，并且更具体地涉及通过引发三维放电而具有增加的维持放电强度并具有较低驱动电压的等离子体显示板，并且通过增加可见光的透射效率而显著地提高了亮度。
技术介绍
根据电极之间的电荷迁移，等离子体显示板(PDP)可被分类为直流(DC)PDP、交流(AC)PDP、或混合PDP。根据其电极的结构，PDP还能被分类为面层(facing)放电PDP或表面放电PDP。在DC PDP中，电极被暴露给放电空间并且电荷直接在对应的电极之间迁移。相反，在AC PDP中，至少一个电极由介电层围绕和保护，并且由壁电荷的电场产生放电。在DC PDP中，在电极之间直接迁移电荷可能损坏对应的电极。因此，具有三电极的表面放电结构的AC PDP在消费电子市场中越来越受欢迎。图1是如日本专利拟订公开的出版1997-172442中所公开的传统三电极表面放电PDP的部分示意图。参考图1，传统PDP10包括前基板20和后基板30。在后基板30上形成的寻址电极33产生寻址放电，后介电层35覆盖并保护寻址电极33，多个阻隔壁37定义放电室15，并且荧光层39涂在阻隔层37的侧壁和面对前基板20的阻隔层37之间的后介电层35上。在面对后基板30的前基板20的较低表面上，X电极22和Y电极23产生维持放电，前介电层25覆盖并保护X电极22和Y电极23，并且保护膜29覆盖前介电层25。X电极22可包括透明X电极22a和布置在透明X电极22a之上并与其一边耦合的总线X电极22b，并且Y电极23可包括透明Y电极23a和布置在透明Y电极23a之上并与其一边耦合的总线Y电极23b。在具有以上结构的PDP中，由于X电极22和Y电极23与对应的放电室115之间产生的维持放电，离子与放电室115中的荧光层39碰撞。激励的荧光层39发射通过前基板20并接着到PDP外部的可见光，由此形成图像。但是，在传统PDP10中，在前基板20的较低表面上顺序地形成X电极22、Y电极23、前介电层25和保护膜29。因此，可见光到PDP之外的透射比大概是实际从荧光层39发射的可见光的60％。并且，在传统PDP10中，因为X电极22和Y电极23布置在前基板20的较低表面上，因此很大一部分的X电极22和Y电极23通常由诸如ITO的透明材料构成，以最大化从PDP透射出的光。但是，ITO具有高的电阻并且昂贵且难以制造。因此，由ITO形成的电极可引起沿着电极长度的电压降，这可引起在大PDP上产生不均匀的图像，并且还要求高的制造成本。并且，在传统PDP10中，维持放电可集中在前基板20的较低表面附近，近似的在X电极22和Y电极23附近。由此，放电室15的空间没有被有效地用来产生高效率的维持放电。并且，因为集成电路芯片占了PDP10总制造成本的大部分并且因为能承受高电压的集成电路芯片的制造很昂贵，所以驱动电压不应当非常得高。但是，用较低的驱动电压，X电极22和对应Y电极23之间的距离是有限的，因此限制了放电量。由此，发射的可见光的亮度也是有限的。最后，当传统PDP10工作了一段延长的时间时，可能出现在荧光层39附近溅射的离子，因为放电气体的带电粒子通过电场从前基板20的较低表面朝荧光层39扩散。这可导致在PDP10的荧光层39中形成持久潜像，或者残影(burn-in)。
技术实现思路
本专利技术提供一种通过使可见光发射路径上的元件数量最小化而增加了亮度并提高了可见光发射的等离子体显示板。本专利技术还提供一种通过引发三维放电而具有增加的维持放电强度和较低的驱动电压的等离子体显示板。本专利技术还提供一种能够不使用ITO电极以低成本制造的等离子体显示板。本专利技术还提供一种通过防止离子溅射到荧光体而具有增加的荧光体预期寿命的等离子体显示板。本专利技术还提供一种具有降低在寻址电极中热量产生的结构的等离子体显示板。本专利技术的附加特征将在之后的说明书中叙述，并且可部分从说明书中明确，或者可通过本专利技术的实施来学习。本专利技术公开了一种等离子体显示板，包括前基板、面对前基板的后基板、布置在前基板和后基板之间并包括第一单元介质壁和第二单元介质壁的介质壁，该介质壁定义多个放电室、放置在介质壁内的前放电电极、放置在介质壁内的后放电电极、放置在介质壁内并且具有对应于并且部分围绕放电室的部分的第一寻址电极、放置在放电室中的荧光层、和放置在放电室中的放电气体。本专利技术还公开了一种等离子体显示板，包括前基板、面对前基板的后基板、布置在前基板和后基板之间并包括在第一方向上定义放电室的多个单元介质壁的介质壁、放置在介质壁内的第一放电电极和第二放电电极、放置在放电室中的荧光层、和放置在放电室中的放电气体。此外，第一放电电极具有对应于并且部分围绕放电室周围的部分。还可以理解，两个前面的一般描述和随后的详细描述都是示意性和解释性的，并且旨在提供对所要求的本专利技术的进一步的解释。附图说明被包括用来提供对本专利技术进一步理解并合并进来组成本说明书一部分的附图，说明了本专利技术的实施例，并和说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1是传统PDP的部分分解示意图。图2是根据本专利技术的一个示例实施例的PDP的部分分解示意图。图3是说明图2所示的PDP的电极排列的示意图。图4是沿图2所示的PDP的IV-IV线的截面图。图5A是图2所示的PDP的寻址电极结构的水平截面图。图5B是图5A的寻址电极的方案图。图6A是图5A的比较例子的截面图。图6B是图6A的寻址电极的方案图。图7A和图7B是图5A所示的寻址电极结构的附加实施例的截面图。图8是示出具有图2所示的PDP的等离子体显示设备的结构的框图。图9是根据本专利技术的第二示例实施例的PDP的部分分解示意图。图10是说明图9所示PDP的电极排列的示意图。图11是沿图9所示PDP的X-X线的截面图。具体实施例方式之后参考附图更全面地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的实施例。但是，本专利技术还可以许多不同的形式实现，并不应当被理解为限制于这里所叙述的实施例。而是，提供这些实施例，使得这里的公开是充分的，并且将完全向本领域技术人员传达了本专利技术的范围。在附图中为了清楚起见，层和区的尺寸和相对尺寸可被夸大。附图中相同的引用标记表示相同的元件。将会理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在另一个元件上”时，它可以直接在另一个元件之上或者也可能存在居间的元件。相反，当元件被称为“直接在另一个元件上”时，就不存在居间的元件。图2是根据本专利技术的一个示例实施例的PDP的部分分解示意图。图3是说明图2所示的PDP的电极排列的示意图。图4是沿图2所示的PDP的IV-IV线的截面图。参考图2、图3和图4，根据本专利技术的示例实施例的PDP100包括前基板120、包含前放电电极134、后放电电极136和寻址电极135的电极组133、后基板140、介质壁130、荧光层125和放电气体(未示出)。前基板120可由透明材料形成并且可平行于后基板140并由后基板140隔开。凹槽可形成在前基板120的表面中，并且荧光层125可形成在凹槽中。本专利技术不仅限于此，并且荧光层125的位置不限于前基板120，而可位于放电室150或PDP的其它区域。后基板140基本上可由与前基板120相同材料或不同的材料构成。介质壁130可插在前基板120和后基板140之间，以与前基板120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示板，包括：前基板；面对前基板的后基板；布置在前基板和后基板之间并包括第一单元介质壁和第二单元介质壁的介质壁，该介质壁定义多个放电室；放置在介质壁内的前放电电极；放置在介质壁内的后放电电极；放置在介质壁内的多个寻址电极，每个寻址电极具有对应于并且部分围绕放电室的部分；放置在放电室中的荧光层；和　放置在放电室中的放电气体，其中前放电电极和后放电电极中的至少一个包括多个彼此分离的放电电极部分。

【技术特征摘要】
KR 2005-5-20 10-2005-00424171.一种等离子体显示板，包括前基板；面对前基板的后基板；布置在前基板和后基板之间并包括第一单元介质壁和第二单元介质壁的介质壁，该介质壁定义多个放电室；放置在介质壁内的前放电电极；放置在介质壁内的后放电电极；放置在介质壁内的多个寻址电极，每个寻址电极具有对应于并且部分围绕放电室的部分；放置在放电室中的荧光层；和放置在放电室中的放电气体，其中前放电电极和后放电电极中的至少一个包括多个彼此分离的放电电极部分。2.权利要求1的等离子体显示板，其中第一寻址电极放置在第一单元介质壁内，第二寻址电极放置在第二单元介质壁内并平行于第一寻址电极延伸，并且第一寻址电极和第二寻址电极分开至少一个放电室的宽度。3.权利要求1的等离子体显示板，其中前放电电极和后放电电极在第一方向上延伸，并且寻址电极在第二方向上延伸，以便与前放电电极和后放电电极交叉。4.权利要求3的等离子体显示板，其中第一单元介质壁定义在第一方向上的放电室，第二单元介质壁定义在与第一方向交叉的第二方向上的放电室，并且寻址电极包括第一放电单元，在邻近放电室之间的一部分第一单元介质壁中延伸；和第二放电单元，在第二单元介质壁中延伸并与第一放电单元耦合。5.权利要求1的等离子体显示板，其中寻址电极放置在前放电电极和后放电电极之间。6.权利要求1的等离子体显示板，其中介质壁围绕并定义放电室的周边。7.权利要求6的等离子体显示板，其中放置前放电电极和后放电电极以便围绕放电室的周边。8.权利要求1的等离子体显示板，还包括放置在放电室中并覆盖至少一部分介质壁的保护膜。9.权利要求1的等离子体显示板，其中荧光层放置于在前基板中形成的凹槽中。10.权利要求1的等离子体显示板，其中介质壁耦合在前基板的表面和后基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：权泰正，姜景斗，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]