等离子体显示面板制造技术

一种等离子体显示面板，它防止障肋的高度在荧光体分配过程开始和结束的位置不正常地增大，改进了面板的放电性能和均匀性。前基底和后基底彼此面对。在前基底和后基底之间的空间中，寻址电极和显示电极彼此分开地分别在第一方向和第二方向上延伸，第一方向与第二方向交叉。障肋划分在前基底和后基底之间的空间中的包括多个放电室的显示区。非显示区沿着显示区的外周形成。荧光体层形成在各放电室中。非显示区包括由显示区外部的至少一个单个区域形成的缓冲区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示面板(PDP)，更具体地讲，涉及一种防止障肋的高度在荧光体分配过程开始和结束的位置不正常增大的PDP，从而改进了面板的放电性能和均匀性。
技术介绍
通常，PDP通过利用从由等离子体放电激发荧光体发射的可见光来形成图像。在PDP中，预定的电压被施加到设置在放电空间中的电极，使得等离体放电发生在所述电极之间。在等离子体放电期间产生的真空紫外(VUV)线引起具有预定图案的荧光体层被激发。PDP通过利用当荧光体层回稳时产生的可见光来形成图像。PDP包括后基底；多个寻址电极，形成在后基底上；介电层，覆盖寻址电极；多个障肋，形成在介电层上，以保持放电间隙并防止放电室之间产生串扰；荧光体层，形成在障肋的表面上。此外，PDP包括前基底、形成在前基底上的放电电极、覆盖放电电极的介电层和覆盖介电层的保护层。放电电极以预定的间隙与寻址电极分开，放电电极的方向基本上垂直于寻址电极的方向。前基底和后基底彼此密封，惰性气体例如氖(Ne)和氙(Xe)填充在放电室中。惰性气体在等离子体放电期间产生VUV线。障肋形成在后基底上，随后利用例如将荧光体浆料通过设置在分配器中的多个喷嘴泄放的方法来形成荧光体层。在分配过程中，从喷嘴注射的荧光体浆料被泄放在分配过程开始和结束的位置处的哑区域中的哑障肋上。为此，哑障肋的高度发生不正常地增大。随着哑障肋的高度在两个边缘处不正常地增大，后基底和前基底彼此密封的整个PDP中面板的均匀性降低。另外，由于后基底和前基底之间的间隙增大，所以在邻近于分配过程开始和结束的位置的显示区域的放电室中发生串扰，且放电性能降低。
技术实现思路
根据本专利技术，提供了一种PDP，该PDP防止障肋的高度在荧光体分配过程开始和结束的位置不正常地增大，并改进了面板的放电性能和均匀性。本专利技术的示例性实施例提供了一种包括布置成彼此面对的前基底和后基底的PDP。在前基底和后基底之间的空间中，寻址电极和显示电极彼此分开地分别在彼此交叉的第一方向和第二方向上延伸。障肋划分具有在前基底和后基底之间的空间中的多个放电室的显示区。非显示区沿着显示区的外周形成。荧光体层形成在各放电室中。非显示区包括由显示区外的至少一个单个区域形成的缓冲区。缓冲区可在第二方向上形成在整个非显示区中。在缓冲区中可以没有在第一方向上延伸的障肋。具有不同颜色的荧光体混合层可形成在缓冲区中，使得彼此邻近。荧光体混合层的高度可小于障肋的平均高度。缓冲层可在第一方向上形成在显示区的两边缘处。缓冲区可包括第一横向障肋构件，在第二方向上，形成缓冲区和显示区之间的边界；第一纵向障肋构件和第二纵向障肋构件，在第一方向上形成在第一横向障肋构件的两边缘处；第二横向障肋构件，通过连接第一纵向障肋构件的端部与第二纵向障肋构件的端部来形成。分配过程中的荧光体浆料的涂覆开始和结束的位置可分别位于在第一方向上形成在显示区的两边缘处的缓冲区域中。本专利技术的另一实施例提供了一种包括布置成彼此面对的前基底和后基底的PDP。在前基底和后基底之间的空间中，寻址电极和显示电极彼此分开地分别在彼此交叉的第一方向和第二方向上延伸。障肋划分具有在前基底和后基底之间的空间中的多个放电室的显示区。非显示区沿着显示区的外周形成。荧光体层形成在各放电室中。非显示区包括缓冲区，在所述缓冲区中，具有不同颜色的荧光体混合层形成为彼此邻近。缓冲区可从显示区和缓冲区之间的边界形成到沿着后基底和前基底相互叠置的部分的边缘形成的烧结线。缓冲区在第二方向上可包括形成缓冲区和显示区之间的边界的第一横向障肋构件，在第一方向上可包括形成在第一横向障肋构件的两边缘处的第一纵向障肋构件和第二纵向障肋构件。随着向显示区的接近，涂覆在缓冲区中的荧光体混合层的高度可从最大高度减小。在显示区中，涂覆在缓冲区中的荧光体混合层的高度可小于形成障肋的纵向障肋构件和横向障肋构件之中的纵向障肋构件的平均高度。本专利技术的又一实施例提供了一种包括布置成彼此面对的前基底和后基底的PDP。在前基底和后基底之间的空间中，寻址电极和显示电极彼此分开地延伸。障肋形成显示区。非显示区沿着显示区的外周形成。在前基底和后基底之间的空间中的多个放电室被划分。荧光体层形成在各放电室中。非显示区包括哑室，哑室的宽度大于或等于在第一方向上邻近于哑室的一对放电室的宽度。进一步远离显示区，哑室可具有更大的宽度。非显示区可包括由哑室形成的第一缓冲区，所述哑室邻近于显示区且各具有与放电室的单位宽度相同的宽度。第二缓冲区由哑室形成，所述哑室邻近于第一缓冲区且各具有大于第一缓冲区中包含的哑室的每个的宽度的宽度。第三缓冲区由哑室形成，所述哑室邻近于第二缓冲区且各具有大于第二缓冲区中包含的哑室的每个的宽度的宽度。第三缓冲区中的每个可由一个哑室形成。各第一缓冲区在第一方向上的长度可等于显示区的放电室在第一方向上的长度。各第二缓冲区在第一方向上的长度可等于显示区的放电室在第一方向上的长度。各第三缓冲区在第一方向上的长度可大于显示区的放电室在第一方向上的长度。第三缓冲区可在第一方向上形成在非显示区的两边缘处。分配过程中的荧光体浆料的涂覆开始和结束的位置可分别位于在第一方向上形成在非显示区的两边缘处的第三缓冲区中。具有不同颜色的荧光体混合层可形成在缓冲区中，使得彼此邻近。分配过程中的荧光体浆料的涂覆开始和结束的位置可分别位于在第一方向上形成在显示区的两边缘处的哑室中。如上所述，根据本专利技术的PDP，由单个区域形成的缓冲区设置在沿着显示区的外周形成的非显示区中，荧光体分配过程开始和结束的位置分别位于缓冲区中。因此，能够防止障肋的高度在荧光体分配过程开始和结束的位置不正常地增大。结果，在邻近于非显示区的显示区的放电室中防止串扰，从而改进了面板的放电性能和均匀性。附图说明图1是根据本专利技术第一示例性实施例的PDP的部分的分解透视图。图2A是根据本专利技术第一示例性实施例的PDP的平面图。图2B是根据本专利技术第一示例性实施例的PDP的后基底的部分的放大平面图。图3是根据本专利技术第二示例性实施例的PDP的后基底的部分的放大平面图。图4是根据本专利技术第三示例性实施例的PDP的烧结部分和后基底的部分的放大平面图。图5是根据本专利技术第四示例性实施例的PDP的后基底的部分的放大平面图。图6是根据本专利技术第四示例性实施例的PDP的后基底的上部和下部的平面图。图7是示出了将荧光体浆料(paste)涂覆在根据本专利技术第四实施例的PDP的后基底的部分上的工艺的透视图。图8是示出了涂覆到根据本专利技术第四实施例的PDP的后基底上的荧光体浆料的平面图，并且是示出了沿着纵向障肋构件和荧光体混合层的图5中的线VIII-VIII截取的高度轮廓的对应的曲线图。图9是沿着图8中的线VIII-VIII截取的剖视图。图10是示出了涂覆到根据本专利技术第四实施例的PDP的后基底上的荧光体浆料的平面图，并且是示出了沿着纵向障肋构件和荧光体混合层的图5中的线IX-IX截取的高度轮廓的对应的曲线图。图11是沿着图10中的线X-X截取的剖视图。具体实施例方式参照图1、图2A和图2B，PDP包括彼此大致平行设置且其间具有预定间隙的后基底10和前基底20。后基底10和前基底20彼此密封，且障肋16置于其间。障肋16将基底10和20之间的放电室18分隔。吸收VUV线并发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板，包括：彼此面对的前基底和后基底；寻址电极和显示电极，在所述前基底和所述后基底之间的空间中彼此分开地分别在第一方向和第二方向上延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉；障肋，划分显示区，所述显示区包括在所述前基底和所述后基底之间的空间中的多个放电室；荧光体层，形成在所述各放电室中；非显示区，沿着所述显示区的外周形成，其中，所述非显示区包括缓冲区，在所述缓冲区中，具有不同颜色的荧光体混合层彼此邻近地形成。

【技术特征摘要】
KR 2005-9-29 10-2005-00912011.一种等离子体显示面板，包括彼此面对的前基底和后基底；寻址电极和显示电极，在所述前基底和所述后基底之间的空间中彼此分开地分别在第一方向和第二方向上延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉；障肋，划分显示区，所述显示区包括在所述前基底和所述后基底之间的空间中的多个放电室；荧光体层，形成在所述各放电室中；非显示区，沿着所述显示区的外周形成，其中，所述非显示区包括缓冲区，在所述缓冲区中，具有不同颜色的荧光体混合层彼此邻近地形成。2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述缓冲区从所述显示区的边界形成到烧结线，所述烧结线沿着彼此叠置的后基底和前基底的基底边缘形成。3.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述缓冲区在所述第一方向上形成在所述显示区的两边缘处。4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述缓冲区包括第一横向障肋构件，在所述第二方向上，形成所述缓冲区和所述显示区的边界；在所述第一方向上的第一纵向障肋构件和在所述第一方向上的第二纵向障肋构件，形成在所述第一横向障肋构件的两边缘处。5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，涂覆在所述缓冲区中的荧光体混合层的高度小于所述障肋的平均高度。6.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，涂覆在所述缓冲区中的荧光体混合层的高度随着向所述显示区接近而从最大高度降低。7.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，涂覆在所述缓冲区中的荧光体混合层的高度小于形成所述显示区中的所述障肋的纵向障肋构件和横向障肋构件之中的所述纵向障肋构件的平均高度。8.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，分配过程中的荧光体浆料涂覆的开始位置和结束位置分别位于在所述第一方向上形成在所述显示区的两边缘处的缓冲区中。9.一种等离子体显示面板，包括彼此面对的前基底和后基底；寻址电极和显示电极，在所述前基底和所述后基底之间的空间中彼此分开地分别在第一方向和第二方向上延伸，且彼此交叉；障肋，形成显示区，并划分所述前基底和所述后基底之间的空间中的多个放电室；荧光体层，形成在所述各放电室中；非显示区，...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩成勋，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]