本发明专利技术的课题在于提供一种高亮度的等离子体显示装置。提供一种等离子体显示装置，包括：第一和第二基板（１、２）；用于在所述第一基板上进行维持放电而在第一基板上形成的第一和第二电极（１１、１２）；用于在与第二电极之间进行地址放电而在第二基板上形成的第三电极（１５）；在所述第一基板上以覆盖第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层（１３）；以及存在于第一与第二基板之间的Ｘｅ浓度１０％±２．５％以内的放电气体。介电体层厚度为１０μｍ±２．５μｍ以内。第一～第三电极构成一个像素，可显示１９２０×１０８０像素。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体显示装置。
技术介绍
等离子体显示装置是大型的平面型显示器，虽然作为家用的平面电视市场正在扩大，要求与CRT同等程度的消耗电力、显示质量、成本。在下述的专利文献1中，记载有在覆盖排列在基板上的电极X、Y，具有在显示区域的整个区域扩展的介电体层的玻璃放电显示器件的制造中，在结束电极X、Y的排列的阶段以后的基板结构体的表面上，作为介电体层通过等离子体气相生长法形成各向同性地覆盖成膜的基底面的层的制造方法。此外，在下述的专利文献2中，记载有放电气体的组成比为Xe 2％～20％，He 15％～50％，He组成比大于Xe组成比，放电气体的全压力为400Torr～550Torr，而且施加在地址电极上的电压脉冲的宽度为2μs以下的等离子体显示面板。日本专利特开2000-21304号公报[专利文献2]日本专利特开2003-346660号公报
技术实现思路
此外，HDTV(高精细电视机)的开发正在进行中。因为HDTV像素数多，故存在每一个像素的发光面积减小，亮度降低的问题。本专利技术的目的在于提供一种高亮度的等离子体显示装置。本专利技术的等离子体显示装置包括第一和第二基板；用于在上述第一基板上进行维持放电而在上述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与上述第二电极之间进行地址放电而在上述第二基板上形成的第三电极；在上述第一基板上以覆盖上述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层；以及存在于上述第一与第二基板之间的Xe浓度为10％±2.5％以内的放电气体，其中上述介电体层厚度为10μm±2.5μm以内，上述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。在本专利技术的一种优选方式中，施加在上述第一与第二电极之间的维持放电电压为180V±5％以内。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，还包括以由上述第一～第三电极构成的显示单元单位划分，具有排气通道的梯形肋，与上述排气通道平行方向上延伸的行数为1080行以上，上述行距为380μm以上。而且，在本专利技术的另一种优选方式中，上述介电体层通过等离子体CVD法形成。在本专利技术的又一种优选方式中，还包括将极性不同的两个规定的电压交互地供给到上述第一和第二电极的开关元件。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，还包括经由线圈将电压供给到上述第一和第二电极的电力回收电路。而且，在本专利技术的另一种优选方式中，供给到上述第一和第二电极的维持放电脉冲的最大值和最小值的绝对值相同且极性相反。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，上述第一～第三电极构成显示单元，用于复位上述显示单元而施加在上述第二电极上的复位脉冲的振幅绝对值为180～200V，用于在上述第二与第三电极之间进行地址放电的、施加在上述第三电极上的地址脉冲的振幅绝对值为60～70V，对应于上述地址脉冲，施加在上述第二电极上的扫描脉冲的振幅绝对值为110～130V。在本专利技术的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为32μm以下。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为10μm以下。在本专利技术的又一种优选方式中，第一和第二基板；用于在上述第一基板上进行维持放电而在上述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与上述第二电极之间进行地址放电而在上述第二基板上形成的第三电极；以及在上述第一基板上以覆盖上述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成，厚度为10μm±2.5μm以内的介电体层。而且，在本专利技术的另一种优选方式中，施加在上述第一与第二电极之间的维持放电电压为180V±5％以内。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，上述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。在本专利技术的又一种优选方式中，还包括以由上述第一～第三电极构成的显示单元单位划分，具有排气通道的梯形肋，与上述排气通道平行方向上延伸的行数为1080行以上，上述行距为380μm以上。而且，在本专利技术的另一种优选方式中，上述介电体层通过等离子体CVD法形成。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，供给到上述第一和第二电极的维持放电脉冲的最大值和最小值的绝对值相同且极性相反。在本专利技术的又一种优选方式中，上述第一～第三电极构成显示单元，用于复位上述显示单元而施加在上述第二电极上的复位脉冲的振幅绝对值为180～200V，用于在上述第二与第三电极之间进行地址放电的、施加在上述第三电极上的地址脉冲的振幅绝对值为60～70V，对应于上述地址脉冲，施加在上述第二电极上的扫描脉冲的振幅绝对值为110～130V。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为32μm以下。而且，在本专利技术的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为10μm以下。此外，在本专利技术的另一种优选方式中，上述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。通过使用氧化硅膜的介电体层，可以增加放电气体的Xe浓度。由此，发光效率提高，可以实现高亮度。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的等离子体显示装置的构成例的示意图。图2是表示第一实施方式的等离子体显示面板的结构例的分解斜视图。图3是表示X电极驱动电路和Y电极驱动电路内的各维持电路的构成例的电路图。图4是表示由图3的维持电路发生的X电极的维持放电脉冲的例子的示意图。图5是表示第一实施方式的一帧图像的构成例的示意图。图6是表示放电气体的Xe浓度与维持放电电压的关系的曲线图。图7是表示介电体层的厚度与维持放电电压的关系的曲线图。图8是表示介电体层的厚度与气体放电电流的关系的曲线图。图9是表示用于生成图10的维持放电脉冲的维持电路的构成例的电路图。图10是表示本专利技术的第二实施方式的一帧图像的构成例的示意图。图11(A)～(C)是表示本专利技术的第三实施方式的肋、X电极、Y电极和地址电极的构成例的示意图。图12是表示总线电极、透明电极、肋的构成例的俯视图。标号的说明1 前面玻璃基板2 背面玻璃基板3 等离子体显示面板4 X电极驱动电路5 Y电极驱动电路6 地址电极驱动电路7 驱动控制电路8 扫描电路9 隔壁(肋)11 总线电极12 透明电极13、16 介电体层14 保护层15 地址电极 18～20 荧光体21 信号处理电路具体实施方式(第一实施方式)图1是表示本专利技术的第一实施方式的等离子体显示装置的构成例的示意图。信号处理电路21处理从输入端子IN输入的信号，输出至驱动控制电路7。驱动控制电路7控制X电极驱动电路4、Y电极驱动电路5、扫描电路8和地址电极驱动电路6。X电极驱动电路4将规定的电压供给到多个X电极X1、X2、……。以下将各个X电极X1、X2、……或其总称称为X电极Xi，i表示附加字。Y电极驱动电路5通过扫描电路8将规定电压供给到多个Y电极Y1、Y2、……。以下将各个Y电极Y1、Y2、……或其总称称为Y电极Yi，i表示附加字。地址电极驱动电路6将规定电压供给到多个地址电极A1、A2、……。以下，将各个地址电极A1、A2、……或其总称称为地址电极Aj，j表示附加字。在等离子体显示面板3中，X电极Xi和Y电极Yi形成为与水平方向并行延伸的行，地址电极Aj形成为在垂直方向上延伸的列。Y电极Yi和X电极Xi在垂直方向交互地配置。Y电极Yi和地址电极Aj形成i行j列的二维矩阵。显示单元Cij由Y电极Yi和地址电极Aj的交点和与它对本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体显示装置，其特征在于，包括：第一和第二基板；用于在所述第一基板上进行维持放电而在所述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与所述第二电极之间进行地址放电而在所述第二基板上形成的第三电极；在所述第一基板上以覆盖所述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层；以及存在于所述第一与第二基板之间的Ｘｅ浓度为１０％±２．５％以内的放电气体，其中所述介电体层厚度为１０μｍ±２．５μｍ以内，所述第一～第三电极构成一个像素，可显示１９２０×１０８０像素。
【技术特征摘要】
JP 2005-9-30 2005-2872651.一种等离子体显示装置，其特征在于，包括第一和第二基板；用于在所述第一基板上进行维持放电而在所述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与所述第二电极之间进行地址放电而在所述第二基板上形成的第三电极；在所述第一基板上以覆盖所述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层；以及存在于所述第一与第二基板之间的Xe浓度为10％±2.5％以内的放电气体，其中所述介电体层厚度为10μm±2.5μm以内，所述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。2.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于施加在所述第一与第二电极之间的维持放电电压为180V±5％以内。3.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于还包括以由所述第一～第三电极构成的显示单元单位划分，具有排气通道的梯形肋，与所述排气通道平行方向上延伸的行数为1080行以上，所述行距为380μm以上。4.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体层通过等离子体CVD法形成。5.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于还包括将极性不同的两个规定的电压交互地供给到所述第一和第二电极的开关元件。6.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于还包括经由线圈将电压供给到所述第一和第二电极的电力回收电路。7.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于供给到所述第一和第二电极的维持放电脉冲的最大值和最小值的绝对值相同且极性相反。8.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于所述第一～第三电极构成显示单元，用于复位所述显示单元而施加在所述第二电极上的复位脉冲的振幅绝对值为180～200V，用于在所述第二与第三电极之间进行地址放电的、施加在所述第三电极上的地址脉冲的振幅绝对值为60～70V，对应于所述地址脉冲，施加在所述第二电极上的扫描脉冲的振幅绝对值为110～130V。9.如权利要求5所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野泽诚，桥本康宣，岸智胜，柴田将之，
申请(专利权)人：富士通日立等离子显示器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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