等离子显示器制造技术

本发明专利技术涉及改变格栅结构，增大荧光体的分布面积，以提高显示板效率及色温特性的等离子显示器。如上所述，本发明专利技术的等离子显示器包括：可显示图像的前板；与前板间有一定间隔，并与前板平等排列的后板；在后板上设置有为形成多个放电空间即放电单元的格栅。其特征在于，格栅呈凹凸状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子显示器，尤其涉及等离子显示器的格栅结构。
技术介绍
图1是依据现有技术的等离子显示器(Plasma Display Panel)结构 的概略立体图。如图所示，PDP100是由显示图像的前板10和构成PDP 后面的后板20以一定的间隔平行结合而成。在前板10下方的一个像素上，有依据相互放电而维持单元发光的 维持电极11,维持电极11包括由透明的ITO物质制成的透明电极lla 和由金属物质制成的总线电极llb。在维持电极11上，覆盖着可控制电流并使电极之间相互绝缘的电 介质层12,电介质层12的上面有一层有利于产生放电条件的用氧化镁 MgO制成的保护层13。在后板20上，有多个放电空间，即形成各单元的格栅21呈平行 排列，在与维持电极11交叉的部位上执行地址放电，从而形成可产生 真空紫外线的多个寻址电极22。另外，在后板20的上侧面涂抹着在地址放电时可释放出显示图像 的可见光线的R、 G、 B荧光体层23。在格栅的上侧面排列着可吸收从 前板10的外部进入的外部光线并降低光反射，以及提高前板10的纯度(purity )及对比度的黑色矩阵21a。在前板10、后板20和格栅21之间的放电空间内注入了可产生放 电的氦+氙He+Xe、氖+氙Ne+Xe、氦+氙+氖He+Xe+Ne等惰性气 体。如上所述，在后板20上有许多个放电空间，即构成单元的格栅21 以平行状态排列，这些格栅21的结构已充分考虑到亮度特性和排气特 性及荧光体涂布面积问题，因而进行了多样式的设计。图2a和图2b是依据现有技术的等离子显示器的条(stripe)状格 栅结构的示意图。如图所示，在条状格栅结构中，格栅210在由总线 电极220和透明电极230构成的维持电极垂直的方向上，以条状(stripe ) 的形态排列。线条状格栅结构在制作工序上虽然相对简单，但是却存在放电时 产生的可视光会向格栅线条方向以外泄漏的问题。另外，虽然荧光体 涂刷和排气容易，但会产生对临近单元有影响的错误放电和荧光体涂 刷面积较小的问题。图3a和图3b是依据现有技术的等离子显示器的井(well)状格栅 结构的示意图。如图所示，格栅310和由总线电极320和透明电极330 构成的维持电极呈水平或竖直或井状排列。图3c是依据现有技术的等 离子显示器的蜂窝排列型格栅结构的示意图。这种格子型和蜂窝型格栅结构具有指定各自本身的色彩单元的功 能，因此它在提高亮度系数性能的同时，还可防止向外透光，并在各 个方向上均可防止发生串扰(cross talk )。但是，井状格栅结构和蜂窝型格栅结构由于工艺复杂，在制造上 有一定的难度。另外，这种结构虽然对临近单元的影响小，荧光体的 涂抹面积较大，也可增强亮度系数，但是在排气上不容易把握。在如此构成的条状结构、井状结构和蜂窝型结构中，B放电单元的放电空间比R和G放电单元的放电空间更大。图4是依据现有技术的等离子显示器的B放电单元的放电空间比 R和G放电单元的放电空间更大的示意图。如图所示，在R, G, B放 电单元上的上下侧部分上，排列着由总线电极420和透明电极430构 成的维持电极。此时，B放电单元的放电空间相对比R和G放电单元的放电空间 更大，为提高B放电单元的色温，B单元的放电空间就要比R和G 放电空间更大。但是，B放电单元的放电空间在加大的情况下，它的 灰度系数相对于R和G放电单元的灰度系数就会降低。因此，条(stripe)状或井(well)状及;^窝型^4册结构的B放电 单元的色温如果比R和G放电单元的色温低，那么在显示图像上就变 得很困难。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供通过改变等离子显示器格栅结构来 调节R、 G、 B放电单元的色温，以及把灰度系数低的B放电单元作为加 大格栅凹凸程度的单元，以增大荧光体的涂抹面积，从而有效提高色 温特性的等离子显示器。为了实现上述目的，本专利技术的等离子显示器由显示图像的前板和与前板有一定间隔并平行排列的后板构成，并在后板上有为形成多个 放电单元的格栅。其特征在于，格栅呈凹凸形状。另外，格栅结构凹凸样式以波浪形、三角形、四角形中的一种。再者，R， G, B放电单元 以格栅的凹凸程度来调节色温。最后，B放电单元的格栅比R和G放电 单元的格栅的凹凸程度更大。如上所述，本专利技术可对等离子显示器的R, G， B放电单元的色温 进行调节，另外，亮度系数低的B放电单元作为格栅凹凸程度更大的 单元，它可使荧光体的涂抹面积更大，因此可有效提升色温的特性。附图说明图1是依据现有技术的等离子显示器结构的概略示意图2a和图2b是依据现有技术的等离子显示器的条(stripe)状 格栅结构的示意图3a和图3b是依据现有技术的等离子显示器的井(well)状格 栅结构的示意图3c是依据现有技术的等离子显示器的蜂窝排列型格栅结构的示 意图4是依据现有技术的等离子显示器的B放电单元的放电空间比R 和G放电单元的放电空间更宽形成的示意图5a是依据本专利技术的第1实施例中的放电单元的结构来表现等离 子显示器的格栅结构的示意图5b是依据本专利技术的第2实施例的示意图5c是依据本专利技术的第3实施例的示意图5d和图5e是依据本专利技术的第4实施例和第5实施例的示意图6是依据本专利技术的B放电单元的格栅比R和G放电单元的格栅 的凹凸现象更加明显的示意图。附图标记210， 310:格栅220,320,420:总线电极230,330,430:透明电极520:横格栅540:竖格栅具体实施例方式下面将参照附图对本专利技术的实施例进行详细说明。图5a是依据本专利技术的第1实施例中的放电单元的结构来表现等离 子显示器的格栅结构的示意图。如图所示，格栅结构包括横格栅520 和竖格槺540,横格栅520的结构由于其凹凸形状为三角形，因此，就 形成了突出部和凹陷部，再者，竖档4册540的结构由于其凹凸形状为 四角形，也形成了突出部和凹陷部。如上所述，横格栅520和竖格栅540由于其具有凹凸的形状，因 此可增加荧光体的涂^t未面积。图5b是依据本专利技术的第2实施例的示意图。如图所示，格栅结构包括4黄格栅520和竖格栅540，横格栅520和竖格栅540的结构由于其 凹凸形状为波浪形，因此，就形成了突出部和凹陷部。如上所述，横格栅520和竖格栅540由于其具有凹凸的形状，因 此可增加焚光体的涂抹面积。图5c是依据本专利技术的第3实施例的示意图。如图所示，格栅结构 包括横格栅520和竖格栅540,横格栅520和竖格栅540的结构由于其 凹凸形状为三角形，因此，就形成了突出部和凹陷部。如上所述，横格栅520和竖格栅540由于其具有凹凸的形状，因 此可增加焚光体的涂^昧面积。图5d和图5e是依据本专利技术的第4实施例和第5实施例的示意图。 如图所示，格栅结构包括横格栅520和竖格栅540,在横格栅520和竖 格栅540的结构中，由于在一个方向上的格栅结构上的凹凸形状为四 角形，因此，就形成了突起部和凹陷部。如上所述，横格栅520和竖格栅540由于其具有凹凸的形状，因 此可增加焚光体的涂^^未面积。图6是依据本专利技术的B放电单元的格栅比R和G放电单元的格栅 的凹凸现象更加明显的图表。如图所示，在R, G， B放电单元上的上 下侧部分上，排列着由总线电极420和透明电极430构成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示器，包括：显示图像的前板和与前板有一定间隔并平行排列的后板，在后板上设有构成多个放电单元的格栅，其特征在于，所述格栅呈凹凸形状。

【技术特征摘要】
1、一种等离子显示器，包括显示图像的前板和与前板有一定间隔并平行排列的后板，在后板上设有构成多个放电单元的格栅，其特征在于，所述格栅呈凹凸形状。2、 如权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于， 所述格栅结构的凹凸样式是波浪形、三角...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹成株，
申请(专利权)人：乐金电子南京等离子有限公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]