【技术实现步骤摘要】
无引线的IGBT模块及其制作工艺
[0001]本专利技术涉及一种IGBT模块,具体涉及一种无引线的IGBT模块及其制作工艺,属于微电子行业领域。
技术介绍
[0002]IGBT模块是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作在几十KHZ频率范围,在现代工业电子技术中广泛应用,如变频器,空调,焊机,光伏,汽车等行业。
[0003]目前IGBT模块的结构如图2所示,通过铝线将内部芯片(IGBT)与陶瓷覆铜板(DBC)以及外壳互连形成完整的IGBT模块结构,虽然现有结构具有工艺简单,成本低等优点,但存在传热性能差,寄生电感大,铝线载流量有限,各铝线之间电流分配不均,高频电流易造成铝线脱落等缺陷,影响IGBT模块的使用稳定性。
技术实现思路
[0004]根据以上现有技术中的不足,本专利技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种无引线的IGBT模块,其特征在于:包括底板(1),底板(1)顶部焊接陶瓷覆铜板(2),陶瓷覆铜板(2)顶部焊接IGBT芯片(6),IGBT芯片(6)顶部焊接铜板(7),IGBT芯片(6)采用倒装方式设置在陶瓷覆铜板(2)和铜板(7)之间,陶瓷覆铜板(2)上焊接有发射极针脚(9)和门极针脚(5),铜板(7)上焊接有集电极针脚(8),所述底板(1)、陶瓷覆铜板(2)、IGBT芯片(6)、铜板(7)、发射极针脚(9)、门极针脚(5)和集电极针脚(8)焊接为一体后在其外侧设置外壳(4),外壳(4)上部设置有与发射极针脚(9)、门极针脚(5)和集电极针脚(8)相配合的通孔,外壳(4)内侧设置有硅凝胶(3)。2.根据权利要求1所述的无引线的IGBT模块,其特征在于:所述的发射极针脚(9)、门极针脚(5)和集电极针脚(8)分别通过锡膏(10)焊接在陶瓷覆铜板(2)和铜板(7)上。3.根据权利要求1所述的无引线的IGBT模块,其特征在于:所述的IGBT芯片(6)的顶部和底部通过锡膏(10)分别与铜板(7)和陶瓷覆铜板(2)连接为一体。4.根据权利要求1所述的无引线的IGBT模块,其特征在于:所述的发射极针脚(9)、门极针脚(5)和集电极针脚(8)和通孔的连接处进行焊接密封。5.一种无引线的IGBT模块的制作工艺,其特征在于:包括以下步骤:(1)将陶瓷覆铜板(2)顶部涂抹锡膏(10),将IGBT芯片(6)以倒装的方式安装在陶瓷覆铜板(2)顶部的锡膏(10)上;(2)将底板(1)焊接在陶瓷覆铜板(2)底部...
【专利技术属性】
技术研发人员:郝文煊,陆均尧,陈庆,
申请(专利权)人:山东斯力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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