【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，具体为一种62mm半桥封装的碳化硅模块。
技术介绍
1、在igbt模块封装领域，属于微电子行业，igbt是由mosfet和双极型晶体管符合而成的一种器件，其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作在几十khz频率范围，在现代工业电子技术中广泛应用，如变频器，空调，焊机，光伏，汽车等行业。
2、现有技术中，大多数的半导体材料多采用单晶硅等第一、二代半导体材料。
3、但是，单晶硅材料稀缺，价格昂贵，存在对环境污染等缺点，同时性能上不如碳化硅。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种62mm半桥封装的碳化硅模块，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种62mm半桥封装的碳化硅模块，包括：
3、底板，所述底板边角位置开设有安装通孔，底板底部开设有散热格栅槽；
4、abm基板,所述abm基板固定连接在底板上端，abm基板上端通过银烧结工艺固定连接有sic芯片，abm基板上一侧设有电阻区。
5、优选的，所述安装通孔设有四个，四个所述安装通孔分别位于底板上四个边角位置。
6、优选的，所述散热格栅槽设有若干个，若干个所述散热格栅槽呈紧密平行分布在底板底部中心位置。
8、优选的，所述sic芯片设有八个，且两个为一组固定连接在abm基板上，且位于abm基板上远离靠中心位置。
9、优选的，所述电阻区设有四个，四个所述电阻区分别位于四个所述abm基板上远离中心的一侧侧边位置。
10、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
11、本技术耐高温，耐高压，体积小，功耗低；相同规格的sic-igbt与si-igbt相比，导通电阻大大降低，芯片尺寸减小，能量损耗更低，更适合应用于高压高频电路，碳基芯片可保证长期的稳定性与更好的耐用性，且碳基材料是可再生材料，利于回收利用，更环保更持续。
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1.一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：所述安装通孔（5）设有四个，四个所述安装通孔（5）分别位于底板（1）上四个边角位置。
3.根据权利要求2所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：所述散热格栅槽（6）设有若干个，若干个所述散热格栅槽（6）呈紧密平行分布在底板（1）底部中心位置。
4.根据权利要求3所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：所述ABM基板（2）设有四个，四个所述ABM基板（2）在底板（1）上端呈矩形阵列分布。
5.根据权利要求4所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：所述sic芯片（3）设有八个，且两个为一组固定连接在ABM基板（2）上，且位于ABM基板（2）上远离靠中心位置。
6.根据权利要求5所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：所述电阻区（4）设有四个，四个所述电阻区（4）分别位于四个所述ABM基板（2）上远离中心的一侧侧边位置。
【技术特征摘要】
1.一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：所述安装通孔（5）设有四个，四个所述安装通孔（5）分别位于底板（1）上四个边角位置。
3.根据权利要求2所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其特征在于：所述散热格栅槽（6）设有若干个，若干个所述散热格栅槽（6）呈紧密平行分布在底板（1）底部中心位置。
4.根据权利要求3所述的一种62mm半桥封装的碳化硅模块，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆均尧，郝文煊，张鹏，
申请(专利权)人：山东斯力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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