【技术实现步骤摘要】
本技术涉及igbt模块，具体为一种高集成小封装的igbt模块。
技术介绍
1、在igbt模块封装领域，属于微电子行业，igbt是由mosfet和双极型晶体管符合而成的一种器件，其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作在几十khz频率范围，在现代工业电子技术中广泛应用，如变频器，空调，焊机，光伏，汽车等行业；
2、小功率的igbt模块的逆变单元，整流单元，制动单元一般是整合为一个模块中；然而在中大功率模块中，由于模块封装面积的受限，需要更大的封装结构或分开封装，无法将各单元集中为一体。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种高集成小封装的igbt模块，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种高集成小封装的igbt模块，包括：
3、外壳，外壳的内部设置有rc-igbt芯片、dbc、ntc、整流芯片和制动芯片；
4、开槽，开槽的内部设置有防护板，防护板的端部设置有滚轴，外壳的表面固定有挡板；及
5、固定管，设于外壳的表面。
6、优选的，所述外壳的表面设置有模块针脚，模块针脚位于外壳表面两侧，外壳的底部设置有底板，外壳的底部开设有插接孔，固定管可插接在插接孔中，且插接孔的内部设置有磁铁。
<...【技术保护点】
1.一种高集成小封装的IGBT模块，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种高集成小封装的IGBT模块，其特征在于：所述外壳（1）的表面设置有模块针脚（2），模块针脚（2）位于外壳（1）表面两侧，外壳（1）的底部设置有底板（3），外壳（1）的底部开设有插接孔（12），固定管（9）可插接在插接孔（12）中，且插接孔（12）的内部设置有磁铁。
3.根据权利要求2所述的一种高集成小封装的IGBT模块，其特征在于：所述固定管（9）设置有多组，固定管（9）的表面开设有螺接孔，螺杆可螺接在固定管（9）表面的螺接孔中。
4.根据权利要求3所述的一种高集成小封装的IGBT模块，其特征在于：所述外壳（1）的底部固定有橡胶条（11），橡胶条（11）呈矩形，外壳（1）的两侧开设有开槽（13），防护板（10）通过转轴铰接在开槽（13）中，且防护板（10）可绕着转轴转动。
5.根据权利要求4所述的一种高集成小封装的IGBT模块，其特征在于：所述外壳（1）两侧固定有挡板（14），挡板（14）的剖面呈L型，挡板（14）位于开槽（13）的外部。
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