【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微电子，具体为一种大功率的62mm半桥模块。
技术介绍
1、igbt是由mosfet和双极型晶体管符合而成的一种器件，其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作在几十khz频率范围，在现代工业电子技术中广泛应用，如变频器，空调，焊机，光伏，汽车等行业。
2、现有技术中，通常将电极焊接在dbc上，再用铝线把芯片与焊接电极处的dbc相连接。
3、但是，通过铝线连接dbc与电机占用空间较多，且多种介质相连会产生不必要的损耗，发热及杂散电感；同时现有模块内部只填充硅凝胶，而硅凝胶质地偏软，粘性较大，在受到更大力的冲击下，会造成模块的损坏。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种大功率的62mm半桥模块，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术...
【技术保护点】
1.一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：所述基板（1）和分层隔板（3）均采用绝缘材质，所述分层隔板（3）侧边与外壳（2）内部侧壁固定连接，且连接处做密封处理。
3.根据权利要求2所述的一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：所述绝缘层（4）采用硅凝胶材质填充。
4.根据权利要求3所述的一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：所述防护层（5）采用环氧树脂材料涂覆叠加填充。
5.根据权利要求4所述的一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：所...
【技术特征摘要】
1.一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：所述基板（1）和分层隔板（3）均采用绝缘材质，所述分层隔板（3）侧边与外壳（2）内部侧壁固定连接，且连接处做密封处理。
3.根据权利要求2所述的一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：所述绝缘层（4）采用硅凝胶材质填充。
4.根据权利要求3所述的一种大功率的62mm半桥模块，其特征在于：所述防护层（5）采用环氧树脂材料涂覆叠加填充。
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆均尧，郝文煊，张鹏，
申请(专利权)人：山东斯力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。