【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微电子,具体为一种大功率的62mm半桥模块。
技术介绍
1、igbt是由mosfet和双极型晶体管符合而成的一种器件,其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间,可正常工作在几十khz频率范围,在现代工业电子技术中广泛应用,如变频器,空调,焊机,光伏,汽车等行业。
2、现有技术中,通常将电极焊接在dbc上,再用铝线把芯片与焊接电极处的dbc相连接。
3、但是,通过铝线连接dbc与电机占用空间较多,且多种介质相连会产生不必要的损耗,发热及杂散电感;同时现有模块内部只填充硅凝胶,而硅凝胶质地偏软,粘性较大,在受到更大力的冲击下,会造成模块的损坏。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种大功率的62mm半桥模块,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种大功率的62mm半桥模块,包括:
3、基板,所述基板上端密封连接有外壳,所述外壳内部固定连接有分层隔板,所述分层隔板下端设有绝缘层,分层隔板上端设有防护层;
4、dbc本体,所述dbc本体固定连接在基板上端,dbc本体上固定连接有镀铜芯片,所述镀铜芯片上端固定连接有电极。
5、优选的,所述基板和分层隔板均采用绝缘材质,所述分层隔板侧边与外壳内部侧壁固定
6、优选的,所述绝缘层采用硅凝胶材质填充。
7、优选的,所述防护层采用环氧树脂材料涂覆叠加填充。
8、优选的,所述dbc本体与镀铜芯片电性连接,所述电极与镀铜芯片电性连接。
9、优选的,所述电极整体呈l型结构,电极顶部分别穿过分层隔板与外壳顶部至模块外部,电极与外壳连接处采用绝缘材料涂覆密封。
10、优选的,所述dbc本体设有若干个,若干个所述dbc本体之间采用铝线电性连接。
11、与现有技术相比,本技术的有益效果是:
12、本技术结构紧凑,节省空间,相对增加木块的功率等级,通过设有防护层对模块可进行二次保护。
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1.一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:包括:
2.根据权利要求1所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述基板(1)和分层隔板(3)均采用绝缘材质,所述分层隔板(3)侧边与外壳(2)内部侧壁固定连接,且连接处做密封处理。
3.根据权利要求2所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述绝缘层(4)采用硅凝胶材质填充。
4.根据权利要求3所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述防护层(5)采用环氧树脂材料涂覆叠加填充。
5.根据权利要求4所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述DBC本体(6)与镀铜芯片(7)电性连接,所述电极(8)与镀铜芯片(7)电性连接。
6.根据权利要求5所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述电极(8)整体呈L型结构,电极(8)顶部分别穿过分层隔板(3)与外壳(2)顶部至模块外部,电极(8)与外壳(2)连接处采用绝缘材料涂覆密封。
7.根据权利要求5所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述DBC本体(6)设有若干个,
...【技术特征摘要】
1.一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:包括:
2.根据权利要求1所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述基板(1)和分层隔板(3)均采用绝缘材质,所述分层隔板(3)侧边与外壳(2)内部侧壁固定连接,且连接处做密封处理。
3.根据权利要求2所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述绝缘层(4)采用硅凝胶材质填充。
4.根据权利要求3所述的一种大功率的62mm半桥模块,其特征在于:所述防护层(5)采用环氧树脂材料涂覆叠加填充。
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆均尧,郝文煊,张鹏,
申请(专利权)人:山东斯力微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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