【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板及液晶面板。
技术介绍
1、液晶显示面板按功能划分主要为像素显示区(active area，aa)、栅驱动电路(gate driver on array，goa)区及解复用电路(demux)区等，aa区为手机、电视等显示画面区，该区域对光透过率有敏感的需求；goa区为aa区中薄膜晶体管的栅极信号控制区，该区域对薄膜晶体管的稳定性的要求尤为突出；demux区为aa区中薄膜晶体管的源极及漏极的信号控制区，该区域对薄膜晶体管的快速开启有更高的需求。
2、当前产品线通常为整面性结构，即一张玻璃基板上制备的薄膜晶体管的各膜层结构基本一致，在同等尺度下这使得其所有的薄膜晶体管的特性几乎类同，进而无法满足针对各个区域的独特需求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阵列基板及液晶面板，可以提高像素显示区光透过率的同时，提高栅驱动电路区和像素显示区的薄膜晶体管的稳定性。
2、本申请实施例提供一种阵列基板，包括像素显示区和栅驱动电路区，所述栅驱动电路区位于所述像素显示区的至少一侧，所述像素显示区包括开口区和薄膜晶体管设置区，所述开口区位于所述薄膜晶体管设置区的一侧，所述开口区用于透过背光模组的光线，所述阵列基板包括：
3、基板；
4、第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述基板上，所述第一阻挡层在所述开口区具有第一开口，所述第一阻挡层至少对应设置在所述薄膜晶体管设置区和栅驱动电路区；
5、缓冲层，所述缓冲层
6、薄膜晶体管结构层，设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述薄膜晶体管设置区，所述第二薄膜晶体管设置在所述栅驱动电路区；
7、所述第一阻挡层用于阻挡碱性阳离子向所述有源层的方向扩散，自所述基板垂直向所述有源层的方向上，所述碱性阳离子进入所述第一阻挡层的深度小于或等于20埃。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管结构层包括有源层、栅极绝缘层和第一金属层，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一面上，所述第一金属层包括栅极，所述第一金属层设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一面上，所述第一金属层至少设置在所述薄膜晶体管设置区和所述栅驱动电路区；
9、所述阵列基板还包括设置在所述第一金属层和所述栅极绝缘层之间的第二阻挡层，所述第二阻挡层在所述开口区和所述薄膜晶体管设置区具有第二开口，所述第二阻挡层对应设置在所述栅驱动电路区；
10、所述第二阻挡层用于阻挡碱性阳离子向所述有源层的方向扩散，自所述第一金属层垂直向所述有源层的方向上，所述碱性阳离子进入所述第二阻挡层的深度小于或等于20埃。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括解复用电路区，所述解复用电路区位于所述像素显示区的至少一端；
12、所述第一阻挡层、所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层和所述第一金属层还对应设置在所述解复用电路区，所述薄膜晶体管结构层还包括位于所述解复用电路区的第三薄膜晶体管；
13、所述栅极绝缘层设置在所述解复用电路区的厚度小于所述栅极绝缘层设置在所述栅驱动电路区的厚度。
14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层设置在所述像素显示区的厚度小于所述栅极绝缘层设置在所述栅驱动电路区的厚度。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层设置在所述像素显示区的厚度大于所述栅极绝缘层设置在所述解复用电路区的厚度。
16、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二阻挡层在所述解复用电路区具有第三开口。
17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层的介电常数大于或等于6.8。
18、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层和所述缓冲层的透光率均大于或等于90％。
19、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层为单膜层结构或多膜层堆叠结构，所述缓冲层为单膜层结构或多膜层堆叠结构。
20、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层和所述第一阻挡层设置在所述基板的同一侧，所述遮光层在所述开口区具有第四开口，所述遮光层至少对应设置在所述薄膜晶体管设置区，所述遮光层与至少位于所述薄膜晶体管设置区的所述有源层重叠设置。
21、可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层设置在所述缓冲层和所述第一阻挡层之间，或，所述遮光层设置在所述基板和所述第一阻挡层之间。
22、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝中的至少一种，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、聚合乙烯醇、聚乙二醇和聚二甲基硅氧烷中的至少一种。
23、可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管结构层还包括：
24、源漏绝缘层，所述源漏绝缘层设置在所述第一金属层远离所述缓冲层的一面上且覆盖所述栅极绝缘层；以及
25、第二金属层，所述第二金属层设置在所述源漏绝缘层远离所述栅极绝缘层的一面上，所述第二金属层至少设置在所述薄膜晶体管设置区和所述栅驱动电路区，所述第二金属层包括源极和漏极，在一薄膜晶体管中，所述源极连接于所述有源层的源极接触区，所述漏极连接于所述有源层的漏极接触区；
26、其中，位于所述薄膜晶体管设置区的所述栅极、所述有源层、所述源极和所述漏极用于构成所述第一薄膜晶体管，位于所述栅驱动电路区的所述栅极、所述有源层、所述源极和所述漏极用于构成所述第二薄膜晶体管，位于所述解复用电路区的所述栅极、所述有源层、所述源极和所述漏极用于构成所述第三薄膜晶体管。
27、本申请实施例还提供一种液晶面板，其包括如上述任意实施例所述的阵列基板。
28、本申请实施例的阵列基板及液晶面板采用第一阻挡层在开口区具有第一开口，且至少对应设置在薄膜晶体管设置区和栅驱动电路区。第一阻挡层用于阻挡碱性阳离子向有源层的方向扩散。自基板垂直向有源层的方向上，碱性阳离子进入第一阻挡层的深度小于或等于20埃。
29、由于第一阻挡层通过第一开口避开开口区，提高了开口区的透光性能；而第一阻挡层设置在薄膜晶体管设置区和栅驱动电路区，用于阻挡碱性阳离子进入有源层，提高了薄膜晶体管设置区和栅驱动电路区中薄膜晶体管的稳定性。另外，在完成阵列基板的制备后，碱性阳离子扩散进入第一阻挡层的深度小于或等于20埃，可确保碱性阳离子不会扩散到有源层，甚至以后的很长时间也不会扩散至有源层，达到了提高薄膜晶体管稳定性的同时，提高了薄膜晶体管稳定性的时长以及可适当地减薄第一阻挡层的厚度。
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1.一种阵列基板，包括像素显示区和栅驱动电路区，所述栅驱动电路区位于所述像素显示区的至少一侧，所述像素显示区包括开口区和薄膜晶体管设置区，所述开口区位于所述薄膜晶体管设置区的一侧，所述开口区用于透过背光模组的光线，其特征在于，所述阵列基板包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括有源层、栅极绝缘层和第一金属层，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一面上，所述第一金属层包括栅极，所述第一金属层设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一面上，所述第一金属层至少设置在所述薄膜晶体管设置区和所述栅驱动电路区；
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括解复用电路区，所述解复用电路区位于所述像素显示区的至少一端；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层设置在所述像素显示区的厚度小于所述栅极绝缘层设置在所述栅驱动电路区的厚度。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层设置在所述像素显示区的厚度
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二阻挡层在所述解复用电路区具有第三开口。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的介电常数大于或等于6.8。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述缓冲层的透光率均大于或等于90％。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层为单膜层结构或多膜层堆叠结构，所述缓冲层为单膜层结构或多膜层堆叠结构。
10.根据权利要求1-6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层和所述第一阻挡层设置在所述基板的同一侧，所述遮光层在所述开口区具有第四开口，所述遮光层至少对应设置在所述薄膜晶体管设置区，所述遮光层与至少位于所述薄膜晶体管设置区的所述有源层重叠设置。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层设置在所述缓冲层和所述第一阻挡层之间，或，所述遮光层设置在所述基板和所述第一阻挡层之间。
12.根据权利要求1-6所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝中的至少一种，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、聚合乙烯醇、聚乙二醇和聚二甲基硅氧烷中的至少一种。
13.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层还包括：
14.一种液晶面板，其特征在于，包括如权利要求1-13任意一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括像素显示区和栅驱动电路区，所述栅驱动电路区位于所述像素显示区的至少一侧，所述像素显示区包括开口区和薄膜晶体管设置区，所述开口区位于所述薄膜晶体管设置区的一侧，所述开口区用于透过背光模组的光线，其特征在于，所述阵列基板包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括有源层、栅极绝缘层和第一金属层，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一面上，所述第一金属层包括栅极，所述第一金属层设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一面上，所述第一金属层至少设置在所述薄膜晶体管设置区和所述栅驱动电路区；
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括解复用电路区，所述解复用电路区位于所述像素显示区的至少一端；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层设置在所述像素显示区的厚度小于所述栅极绝缘层设置在所述栅驱动电路区的厚度。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层设置在所述像素显示区的厚度大于所述栅极绝缘层设置在所述解复用电路区的厚度。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二阻挡层在所述解复用电路区具有第三开口。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨从星，张春鹏，艾飞，袁剑峰，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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