用于增强的爬电和间隙的封装和引线框架设计制造技术

一种引线框架，包括：管芯焊盘；两条或更多条引线的行，两条或更多条引线延伸远离管芯焊盘的第一侧；以及外围结构，外围结构被设置为与管芯焊盘相对并且连接至每一条引线。第一最外引线连续地连接到管芯焊盘。第二最外引线具有面向管芯焊盘并且与管芯焊盘间隔开的内部端部。第二引线在第二引线的中央跨度中的宽度大于第二引线在第二引线的内部跨度和外部跨度中的宽度，第二引线的内部跨度将第二引线的中央跨度与第二引线的内部端部分离，第二引线的外部跨度将第二引线的中央跨度与外围结构分离。分离。分离。

【技术实现步骤摘要】
用于增强的爬电和间隙的封装和引线框架设计


[0001]本申请涉及半导体封装，并且更特别地，涉及用于分立器件封装的引线框架设计。

技术介绍

[0002]诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)的高压半导体器件通常封装在模制半导体封装中，模制半导体封装包括从包封主体突出的多条通孔配置的引线。这些类型的封装的重要设计考虑包括爬电和间隙。爬电是指沿着两条引线之间的隔离结构的表面(例如，包封主体的侧壁)在两条封装引线之间的最短路径。间隙是指两条封装引线之间在直线上的(例如，通过空气)最短路径。在容纳大电压差的两条封装引线之间，例如，在高压MOSFET器件的源极引线与漏极引线之间，维持高爬电和间隙是特别重要的。然而，增加爬电和间隙与使半导体封装尽可能小的总体期望冲突。此外，一些额定高电压的半导体器件包括用于微调器件的操作以获得最佳性能的附加端子。这些端子的示例包括源极感测端子、栅极端子、温度感测端子等。这些附加端子需要另一封装引线，因此影响了器件的电压阻挡引线之间的最大可能的爬电和间隙。

技术实现思路

[0003]本领域技术人员在阅读以下具体实施方式时并且在查看附图时，将认识到附加的特征和优点。
[0004]公开一种引线框架。根据实施例，引线框架包括：管芯焊盘，管芯焊盘包括管芯附接表面；两条或更多条引线的行，两条或更多条引线延伸远离管芯焊盘的第一侧；以及外围结构，外围结构被设置为与管芯焊盘的第一侧相对并且连接到来自两条或更多条引线的行的每一条引线。行的第一最外引线连续地连接到管芯焊盘的第一侧。行的第二最外引线包括面向管芯焊盘的第一侧并且与管芯焊盘的第一侧间隔开的内部端部。第二引线在第二引线的中央跨度中的宽度大于第二引线在第二引线的内部跨度中和在第二引线的外部跨度中的宽度，第二引线的内部跨度将第二引线的中央跨度与第二引线的内部端部分离，第二引线的外部跨度将第二引线的中央跨度与外围结构分离。
[0005]单独地或组合地，第二引线包括内边缘侧，内边缘侧面向第一引线并且从第二引线的内部端部延伸到外围结构，第二引线的内边缘侧在第二引线的中央跨度中比在第二引线的内部跨度和外部跨度中更接近第一引线。
[0006]单独地或组合地，在第二引线的中央跨度中，第二引线的内边缘侧包括中央边缘以及第一成角度边缘和第二成角度边缘，并且，第二引线的中央边缘是第二引线的最接近第一引线的表面。
[0007]单独地或组合地，引线的行包括第三引线，第三引线紧邻第二引线并且包括面向管芯焊盘的第一侧并且与管芯焊盘的第一侧间隔开的内部端部，第三引线包括设置在第三引线的内部跨度与外部跨度之间的成角度跨度，第三引线的内部跨度将成角度跨度与第三引线的内部端部分离，成角度跨度比第二引线的中央跨度设置为更接近管芯焊盘，并且，成
角度跨度将第三引线移位远离第二引线。
[0008]单独地或组合地，第三引线在成角度跨度中的成角度宽度不大于第三引线在内部跨度中的宽度的1.5倍，成角度宽度是在垂直于第三引线在成角度跨度中的外边缘侧的方向上测量的。
[0009]单独地或组合地，随着从管芯焊盘朝向外围结构移动，第一引线的宽度递增地逐渐变细。
[0010]单独地或组合地，第一引线包括内部跨度、中央跨度和外部跨度，第一引线的内部跨度将第一引线的中央跨度与管芯焊盘分离，第一引线的外部跨度将第一引线的中央跨度与第一引线的远端部分离，第一引线的内部跨度比第一引线的中央跨度宽，并且，第一引线的中央跨度比第一引线的外部跨度宽。
[0011]单独地或组合地，第一引线包括内边缘侧，内边缘侧面向第二引线并且从管芯焊盘延伸到外围结构，第一引线的内边缘侧在第一引线的内部跨度中比在第一引线的中央跨度中更接近第二引线，并且，第一引线的内边缘侧在第一引线的中央跨度中比在第一引线的外部跨度中更接近第二引线。
[0012]公开了一种半导体封装。根据实施例，半导体封装包括：管芯焊盘，管芯焊盘包括管芯附接表面；第一半导体管芯，第一半导体管芯安装在管芯附接表面上；电绝缘模制化合物的包封主体，包封主体包封第一半导体管芯并且包括第一外部面、第二外部面和第三外部面，第一外部面在第二外部面与第三外部面之间延伸；以及两条或更多条引线的行，两条或更多条引线延伸远离管芯焊盘的第一侧并且从第一外部面突出。行的第一最外引线连续地连接到管芯焊盘的第一侧。行的第二最外引线包括面向管芯焊盘的第一侧并且与管芯焊盘的第一侧间隔开的内部端部。第二引线在第二引线的中央跨度中的宽度大于第二引线在第二引线的内部跨度中和在第二引线的外部跨度中的宽度，第二引线的内部跨度将第二引线的中央跨度与第二引线的内部端部分离，第二引线的外部跨度将第二引线的中央跨度与第二引线的远端部分离。
[0013]单独地或组合地，第二引线包括内边缘侧，内边缘侧面向第一引线并且从第二引线的内部端部延伸到第二引线的远端部，第二引线的内边缘侧在第二引线的中央跨度中比在第二引线的内部跨度和外部跨度中更接近第一引线。
[0014]单独地或组合地，在第二引线的中央跨度中，第二引线的内边缘侧包括中央边缘以及第一成角度边缘和第二成角度边缘，并且，第二引线的中央边缘是第二引线的最接近第一引线的表面。
[0015]单独地或组合地，引线的行包括第三引线，第三引线紧邻第二引线并且包括面向管芯焊盘的第一侧并且与管芯焊盘的第一侧间隔开的内部端部，第三引线包括设置在第三引线的内部跨度与外部跨度之间的成角度跨度，第三引线的内部跨度将成角度跨度与第三引线的内部端部分离，并且，成角度跨度比第二引线的中央跨度设置为更接近管芯焊盘，并且，成角度跨度将第三引线移位远离第二引线。
[0016]单独地或组合地，半导体封装还包括第一接合导线和第二接合导线，第一接合导线和第二接合导线两者都电连接到第二引线。
[0017]单独地或组合地，半导体封装还包括安装在管芯附接表面上的第二半导体管芯，第一接合导线将第二引线电连接到第一半导体管芯，并且，第二接合导线将第二引线电连
接到第二半导体管芯。
[0018]单独地或组合地，第一半导体管芯和第二半导体管芯中的每一个被配置为功率晶体管，并且，第二引线被配置为半导体封装的控制端子。
[0019]单独地或组合地，两条或更多条引线的行包括第三引线，第三引线从第一外壁突出并且紧邻第二引线，并且，第三引线被配置为半导体封装的感测端子。
[0020]单独地或组合地，两条或更多条引线的行包括第四引线，第四引线从第一外壁突出并且紧邻第一引线，第一引线和第四引线被配置为半导体封装的电压阻挡端子，并且，包封主体还包括在第一外壁中的位于第一引线与第四引线之间的凹陷。
[0021]根据另一实施例，半导体封装包括：管芯焊盘，管芯焊盘包括管芯附接表面；第一半导体管芯，第一半导体管芯安装在管芯附接表面上；电绝缘模制化合物的包封主体，包封主体包封第一半导体管芯并且包括第一外部面、第二外部面和第三外部面，第一外部面在第二外部面与第三外部面之间延伸；以及两条或更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，包括：管芯焊盘，所述管芯焊盘包括管芯附接表面；两条或更多条引线的行，所述两条或更多条引线延伸远离所述管芯焊盘的第一侧；以及外围结构，所述外围结构被设置为与所述管芯焊盘的所述第一侧相对并且连接到来自两条或更多条引线的所述行的每一条引线，其中，所述行的第一最外引线连续地连接到所述管芯焊盘的所述第一侧，其中，所述行的第二最外引线包括面向所述管芯焊盘的所述第一侧并且与所述管芯焊盘的所述第一侧间隔开的内部端部，其中，第二引线在所述第二引线的中央跨度中的宽度大于所述第二引线在所述第二引线的内部跨度中和在所述第二引线的外部跨度中的宽度，所述第二引线的所述内部跨度将所述第二引线的所述中央跨度与所述第二引线的所述内部端部分离，所述第二引线的所述外部跨度将所述第二引线的所述中央跨度与所述外围结构分离。2.根据权利要求1所述的引线框架，其中，所述第二引线包括内边缘侧，所述内边缘侧面向第一引线并且从所述第二引线的所述内部端部延伸到所述外围结构，其中，所述第二引线的所述内边缘侧在所述第二引线的所述中央跨度中比在所述第二引线的所述内部跨度和所述外部跨度中更接近所述第一引线。3.根据权利要求2所述的引线框架，其中，在所述第二引线的所述中央跨度中，所述第二引线的所述内边缘侧包括中央边缘以及第一成角度边缘和第二成角度边缘，并且其中，所述第二引线的所述中央边缘是所述第二引线的最接近所述第一引线的表面。4.根据权利要求2所述的引线框架，其中，引线的所述行包括第三引线，所述第三引线紧邻所述第二引线并且包括面向所述管芯焊盘的所述第一侧并且与所述管芯焊盘的所述第一侧间隔开的内部端部，其中，所述第三引线包括设置在所述第三引线的内部跨度与外部跨度之间的成角度跨度，所述第三引线的所述内部跨度将所述成角度跨度与所述第三引线的所述内部端部分离，其中，所述成角度跨度比所述第二引线的所述中央跨度设置为更接近所述管芯焊盘，并且其中，所述成角度跨度将所述第三引线移位远离所述第二引线。5.根据权利要求4所述的引线框架，其中，所述第三引线在所述成角度跨度中的成角度宽度不大于所述第三引线在所述内部跨度中的宽度的1.5倍，所述成角度宽度是在垂直于所述第三引线在所述成角度跨度中的外边缘侧的方向上测量的。6.根据权利要求1所述的引线框架，其中，随着从所述管芯焊盘朝向所述外围结构移动，所述第一引线的宽度递增地逐渐变细。7.根据权利要求6所述的引线框架，其中，所述第一引线包括内部跨度、中央跨度和外部跨度，所述第一引线的所述内部跨度将所述第一引线的所述中央跨度与所述管芯焊盘分离，所述第一引线的所述外部跨度将所述第一引线的所述中央跨度与所述第一引线的远端部分离，其中，所述第一引线的所述内部跨度比所述第一引线的所述中央跨度宽，并且其中，所述第一引线的所述中央跨度比所述第一引线的所述外部跨度宽。8.根据权利要求7所述的引线框架，其中，所述第一引线包括内边缘侧，所述内边缘侧面向所述第二引线并且从所述管芯焊盘延伸到所述外围结构，其中，所述第一引线的所述内边缘侧在所述第一引线的所述内部跨度中比在所述第一引线的所述中央跨度中更接近
所述第二引线，并且其中，所述第一引线的所述内边缘侧在所述第一引线的所述中央跨度中比在所述第一引线的所述外部跨度中更接近所述第二引线。9.一种半导体封装，包括：管芯焊盘，所述管芯焊盘包括管芯附接表面；第一半导体管芯，所述第一半导体管芯安装在所述管芯附接表面上；电绝缘模制化合物的包封主体，所述包封主体包封所述第一半导体管芯并且包括第一外部面、第二外部面和第三外部面，所述第一外部面在所述第二外部面与所述第三外部面之间延伸；以及两条或更多条引线的行，所述两条或更多条引线延伸远离所述管芯焊盘的第一侧并且从所述第一外部面突出，其中，所述行的第一最外引线连续地连接到所述管芯焊盘的所述第一侧，其中，所述行的第二最外引线包括面向所述管芯焊盘的所述第一侧并且与所述管芯焊盘的所述第一侧间隔开的内部端部，其中，所述第二引线在所述第二引线的中央跨度中的宽度大于所述第二引线在所述第二引线的内部跨度中和在所述第二引线的外部跨度中的宽度，所述第二引线的所述内部跨度将所述第二引线的所述中央跨度与所述第二引线的所述内部端部分离，所述第二引线的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜台棋，E，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：