半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。至少一方为第一高度以上。至少一方为第一高度以上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]主要用于无线通信设备的功率放大器(Power amplifier)要求输出的提高。构成功率放大器的放大元件例如使用异质结双极晶体管(HBT)等晶体管。为了提高功率放大器的输出，需要提高从晶体管的散热性。
[0003]形成有晶体管的半导体芯片存在经由凸块倒置安装于模块基板的情况。在对模块基板的安装时的回流焊处理中，半导体芯片被加热。在半导体芯片加热后的温度降低的过程中，由于半导体芯片的多个构成要素的热膨胀系数不同而产生热应力。在下述的专利文献1中，公开了能够使施加于晶体管的热应力减少的半导体装置。在专利文献1所公开的半导体装置中，通过将凸块在面内方向上相对于晶体管的发射极区域错开地配置，来缓和施加于晶体管的应力。
[0004]专利文献1：国际公开第2015/104967号
[0005]在晶体管产生的热量通过凸块传导至模块基板。若将凸块在面内方向上相对于晶体管的发射极区域错开地配置，则从晶体管到凸块的热阻增大，难以确保充分的散热性。因此，将凸块在面内方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：基板；至少一个台面部，形成在上述基板上，在内部包含晶体管的至少部分的半导体层，上述台面部具有至少一级台阶；绝缘膜，配置在上述台面部上，包含由有机绝缘材料构成的有机层，在上述绝缘膜设置有开口；以及导体膜，配置在上述绝缘膜上，经过设置于上述绝缘膜的开口而电连接于上述晶体管，在俯视时，设置于上述有机层的开口包含上述台面部，具有在第一方向上延伸的侧面，将在俯视时从上述台面部到上述有机层的开口的两侧的侧面的与上述第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将在俯视时从上述台面部到上述有机层的开口的两侧的侧面的上述第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离，将上述台面部的第一级的高度定义为第一高度时，上述第一距离以及上述第二距离中的至少一方为上述第一高度以上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在将从上述台面部的第一级的上表面到上述有机层的开口的侧面的下端的高度方向的距离定义为第二高度时，上述第一距离以及上述第二距离中的至少一方为上述第二高度以上。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑川敦，柴田雅博，德矢浩章，佐治真理，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：