颗粒去除装置和方法制造方法及图纸

本揭露描述了一种颗粒去除装置，以及使用这种装置的方法。该装置包括具有主体的手持模块。主体中形成有一或多个第一通道及一或多个第二通道。主体包括喷嘴，并且手持模块用以通过喷嘴提供抽吸并通过喷嘴注入电离液流。主体进一步包括附接至喷嘴的手柄。进一步包括附接至喷嘴的手柄。进一步包括附接至喷嘴的手柄。

【技术实现步骤摘要】
颗粒去除装置和方法


[0001]本揭露有关于颗粒去除装置和方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业经历了指数式增长。IC材料及设计的技术进步已经产生了数代IC，每一代IC的电路均比前一代更小且更复杂。在IC发展的过程中，功能密度(亦即，每一晶片区域的互连装置的数量)通常增加，而几何尺寸(亦即，可使用制造制程产生的最小元件(或接线))减小。这种按比例缩小制程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供收益。此按比例缩小亦增加了处理及制造IC的复杂度。
[0003]例如，越来越需要执行更高解析度的微影术制程。一种微影术技术为极紫外线平版印刷术(extreme ultraviolet lithography，EUVL)。EUVL使用的扫描器使用波长在约1至100纳米(nm)的极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)区域的光。一种类型的EUV光源为激光引发致电浆(laser
‑
produced plasma，LPP)。LPP技术通过将高功率激光光束聚焦至小的燃料目标液滴上以形成高度电离的电浆来产生EUV光，该电浆发射的EUV辐射的最大发射峰值为13.5nm。然后，EUV光由收集器收集，并由光学装置反射向微影术曝光对象，例如基板，诸如晶圆。
[0004]就EUV扫描器性能而言，晶圆上的颗粒数量为重要的指标。因此，需要一种解决方案，用于减少沿着晶圆路径的EUVL工具元件上的颗粒。

技术实现思路

[0005]本揭露的一个实施例为一种颗粒去除装置。该装置包括具有主体的手持模块。主体中形成有一或多个第一通道及一或多个第二通道。主体包括喷嘴，并且手持模块用以通过喷嘴提供抽吸并通过喷嘴注入电离液流。主体进一步包括附接至喷嘴的手柄。
[0006]本揭露的另一实施例为一种颗粒去除装置。该装置包括手持模块，该手持模块包括主体，并且在该主体中形成一或多个第一通道及一或多个第二通道。该装置进一步包括附接至手持模块的第一管，并且第一管连接至一或多个第一通道。该装置进一步包括连接至第一管的离子产生器、附接至手持模块的第二管，及连接至第二管的抽吸模块。第二管连接至一或多个第二通道。
[0007]本揭露的又一实施例为一种颗粒去除的方法。该方法包括以下步骤：将颗粒去除装置的手持模块置放在元件上方；经由手持模块的喷嘴提供抽吸，打开第一开关以自元件去除颗粒；及通过注入来自手持模块的喷嘴的电离液流，打开位于手持模块上的第二开关，以防止静电荷积聚在元件上。
附图说明
[0008]结合附图，根据以下详细描述可以最好地理解本揭露的各态样。注意，根据行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制。实际上，为了讨论清楚起见，各种特征的尺寸可任意
增加或减小。
[0009]图1为根据一些实施例的微影术系统的示意图；
[0010]图2A至图2C为根据一些实施例的颗粒去除装置的示意图；
[0011]图3A至图3C为根据一些实施例的图2A及图2B的颗粒去除装置的喷嘴的端部的示意图；
[0012]图4A及图4B为根据一些实施例的图2A及图2B的颗粒去除装置的杯状物的端部的示意图；
[0013]图5示意性地示出了根据一些实施例的自系统元件去除颗粒的颗粒去除装置；
[0014]图6A至图6C示出了根据一些实施例的使用颗粒去除装置自元件去除颗粒的方法；
[0015]图7示出了根据一些实施例的用于制造基板的方法。
[0016]【符号说明】
[0017]10:微影术系统
[0018]12:辐射源
[0019]14:照明器
[0020]16:罩幕台
[0021]18:罩幕
[0022]20:投影光学盒(POB)
[0023]22:光瞳相位调制器
[0024]24:投影光瞳平面
[0025]26:基板
[0026]28:基板台
[0027]100:颗粒去除装置
[0028]102:手持模块
[0029]104:离子产生器
[0030]106:流体产生器
[0031]107:离子鼓风机
[0032]108:抽吸模块
[0033]110:主体
[0034]112:喷嘴
[0035]114:手柄
[0036]116:通道
[0037]118:通道
[0038]119:第一管
[0039]120:第二管
[0040]121:第三管
[0041]122:移动装置
[0042]124:抗静电抽吸模块
[0043]126:外壳
[0044]128:注入开关
[0045]130:抽吸开关
[0046]132:杯状物
[0047]134:端部
[0048]500:元件
[0049]600:方法
[0050]602,604,606,608:操作
[0051]610:方法
[0052]612,614,616,618,620,622:操作
[0053]630:方法
[0054]632,634,636:操作
[0055]700:方法
[0056]702,704,706,708:操作
[0057]D1,D2,D3,D4,D5,D6:直径
[0058]L1,L2,L3:长度
[0059]W:宽度
具体实施方式
[0060]以下揭示内容提供了用于实现提供的标的的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下描述元件及布置的特定实例用以简化本揭露。当然，这些仅为实例，并不旨在进行限制。例如，在下面的描述中在第二特征上方或之上形成第一特征可包括其中第一及第二特征直接接触形成的实施例，并且亦可包括其中在第一与第二特征之间形成附加特征的实施例，以使得第一及第二特征可以不直接接触。此外，本揭露可以在各个实例中重复元件符号或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，其本身并不指定所讨论的各种实施例或组态之间的关系。
[0061]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在...下方”、“在...下”、“下方”、“在...上方”、“上方”、“上面”、“顶部”、“上”之类的空间相对术语，来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了在附图中示出的方位之外，空间相对术语意在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他方位)，并且在此使用的空间相对描述语亦可被相应地解释。
[0062]图1为根据一些实施例的微影术系统10的示意图。微影术系统10亦可统称为扫描器，该扫描器可操作以利用相应的辐射源及曝光模式来执行微影术曝光制程。在本实施例中，微影术系统10为经设计以通过极紫外线(EUV)光曝光抗蚀剂层的EUV微影术系统。抗蚀剂层为对EUV光敏感的材料。EUV微影术系统10采用辐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种颗粒去除装置，其特征在于，包含：一手持模块，包含：一主体，其中一或多个第一通道与一或多个第二通道形成在该主体中，其中该主体包含：一喷嘴，其中该手持模块用以通过该喷嘴提供抽吸并通过该喷嘴注入一电离液流；以及一手柄，附接至该喷嘴。2.根据权利要求1所述的颗粒去除装置，其特征在于，该手持模块进一步包含：一杯状物，附接至该喷嘴；一第一开关；以及一第二开关。3.一种颗粒去除装置，其特征在于，包含：一手持模块，包含：一主体，其中在该主体中形成一或多个第一通道及一或多个第二通道；一第一管，附接至该手持模块，其中该第一管连接至该一或多个第一通道；一离子产生器，连接至该第一管；一第二管，附接至该手持模块，其中该第二管连接至该一或多个第二通道；以及一抽吸模块，连接至该第二管。4.根据权利要求3所述的颗粒去除装置，其特征在于，进一步包含：一第三管，连接至该离子产生器；以及一流体产生器，连接至该第三管。5.根据权利要求3所述的颗粒去除装置，其特征在于，该抽吸模块为一真空吸尘器。6.一种颗粒去除的方法，其特征在于，包含以下步骤：将一颗粒去除装置的一手持模块置放于一元件上；经由该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政轩，蔡明训，简上傑，陈立锐，刘恒信，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：