在紧凑建模中校准随机信号制造技术

本公开的实施例涉及在紧凑建模中校准随机信号。通过以下各项提供在紧凑建模时校准随机信号：获得生产抗蚀剂掩模时过程变化的数据；基于数据来校准抗蚀剂掩模的连续紧凑模型；针对基于数据的随机紧凑模型评估连续紧凑模型；选取随机紧凑模型的边缘位置分布的功能描述；根据功能描述将来自评估的图像参数映射到边缘分布参数；基于来自图像参数的缩放测量来确定用于随机紧凑模型的边缘位置范围；校准抗蚀剂掩模的阈值并且更新随机紧凑模型的参数，以减小实验数据与所建模的LER值之间的差异；以及输出随机紧凑模型。以及输出随机紧凑模型。以及输出随机紧凑模型。

【技术实现步骤摘要】
在紧凑建模中校准随机信号


[0001]本公开涉及在微光刻工艺中的紧凑建模中校准随机信号。

技术介绍

[0002]微光刻是一种制造过程，该制造过程包括：在感光材料(被称为光致抗蚀剂或抗蚀剂)中制作主图案的浮雕图像(被称为掩模或掩模版)。任何光刻过程的目标都是将掩模版上的图案转印到具有良好保真度的光致抗蚀剂膜中。所得图案的质量取决于光致抗蚀剂图案在曝光期间接收的光子吸收事件的均匀度以及光致抗蚀剂中后续光化学反应的均匀度。因为光子吸收事件的数目是光刻过程中随机过程链中的第一随机过程，所以随着源光子计数输出的减小，光子统计数据(例如，散粒噪声)变得越来越重要。
[0003]当使用具有高光子输出的深紫外准分子激光源时，可以在很大程度上忽略光子散粒噪声的影响。选择在掩膜校正、优化和验证期间容易出现随机故障的图案可能要特别关注。术语“随机故障”在本文中用于描述具有在统计或概率上可测量的出现机会但不能准确预测的任何不符合项。然而，下一代极紫外光刻(EUVL)系统通过工具为低光子输出和低光源吞吐量两者而奋斗。出于这些原因，与旧技术过程相比，光子散粒噪声在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：获得生产抗蚀剂掩模时的过程变化的数据；基于所述数据来校准所述抗蚀剂掩模的连续紧凑模型；针对基于所述数据的随机紧凑模型，评估所述连续紧凑模型；选取所述随机紧凑模型的边缘位置分布的功能描述；根据所述功能描述将来自所述评估的图像参数映射到边缘分布参数；基于来自所述图像参数的缩放测量来确定用于所述随机紧凑模型的边缘位置范围；校准所述抗蚀剂掩模的阈值，并且更新所述随机紧凑模型的参数，以减小所述数据与所建模的线性边缘粗糙度LER值之间的差异；以及输出所述随机紧凑模型。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：根据所述随机紧凑模型来制作用于芯片的抗蚀剂掩模。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：根据所述随机紧凑模型中的LER测量对噪声进行去偏，其中所述噪声通过以下方式根据所述LER测量去偏：基于噪声标准偏差来从所述LER测量中移除恒定噪声值。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述新边缘位置范围指示在与所述数据中的均值位置的期望偏差数量内的预测边缘位置的外边界。5.根据权利要求1所述的方法，其中根据来自所述数据的指定标准偏差，所述图像参数被转换为所述缩放测量。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述功能描述被选择为非对称功能，所述非对称功能以与描述低于均值的偏差不同的方式描述高于来自所述数据的所述均值的偏差。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述经建模LER值指示从根据所述数据计算的均值开始的随机置信区间。8.一种方法，包括：生成用于抗蚀剂掩模图案的连续紧凑模型，所述抗蚀剂掩模图案被校准为生产数据；根据所述连续紧凑模型来评估所述生产数据；选择功能描述来表示所述抗蚀剂掩模图案在所述抗蚀剂掩模图案的随机紧凑模型中的边缘位置范围；将所评估的生产数据映射到所选定的功能描述；以及生成所述随机紧凑模型，所述随机紧凑模型基于所映射的生产数据来在概率上对所述抗蚀剂掩模图案的所述边缘位置范围进行建模。9.根据权利要求8所述的方法，还包括：使用如由所述随机紧凑模型建模的所述抗蚀剂掩模图案制造晶片。10.根据权利要求8所述的方法，其中所映射的生产数据被缩放为来自所述生产数据的指定标准偏差。11.根据权利要求8所述的方法，其中映射所评估的生产数据还包括：根据所述随机紧凑模型中的线性边缘粗糙度LER测量对噪声进行去偏。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z，
申请(专利权)人：美商新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：