积层陶瓷电容器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种积层陶瓷电容器，在其自身温度上升后，也可以防止陶瓷芯片上产生裂缝。此积层陶瓷电容器在内部电极层１３的宽度方向两侧设置非平坦部分１３ｂ，而且，非平坦部分１３ｂ包含已实质性氧化的部位，因此通过使非平坦部分１３ｂ的热膨胀率降低，而可以降低与陶瓷部１４的热膨胀率之差所产生的应力，且此应力可以随着非平坦部分１３ｂ的弯曲与倾斜而分散。即，通过使自身温度上升后产生的应力降低并分散，可以防止由于此应力而在陶瓷芯片１１的侧边缘部分等产生裂缝。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种积层陶瓷电容器与此积层陶瓷电容器的制造方法。
技术介绍
积层陶瓷电容器具备长方体形状的陶瓷芯片与一对外部电极，此长方体形状的陶瓷芯片具有将多个内部电极层经由陶瓷部而积层、且各内部电极层的端缘在长度方向两端面交替露出的结构；此一对外部电极形成在陶瓷芯片的长度方向两端部，使与内部电极层的露出端缘导通。陶瓷部包含BaTiO3等介电体，内部电极层与外部电极包含Ni等金属。此积层陶瓷电容器经过以下步骤而制造未烧制陶瓷芯片的获取步骤，将已形成未烧制内部电极层的未烧制陶瓷层堆积压接而获取；未烧制外部电极的形成步骤，在未烧制陶瓷芯片的长度方向两端部形成；以及未烧制陶瓷芯片的烧制步骤，对已形成未烧制外部电极的未烧制陶瓷芯片进行烧制。当构成内部电极层的金属为贱金属时，为了进行特性调整，根据需要对烧制后的陶瓷芯片执行再氧化处理的步骤。专利文献1日本专利特开平8-124785号公报专利文献2日本专利特开2003-22930号公报
技术实现思路
上述积层陶瓷电容器一般是通过焊接而安装于各种基板上，但是在焊接时或安装后施加电压时等而引起自身温度上升时，陶瓷芯片中会产生裂缝。此裂缝产生的主要原因在于，内部电极层的热膨胀率高于陶瓷部的热膨胀率，并且因为热膨胀的内部电极主要在陶瓷芯片的侧边缘部分产生应力，此应力使侧边缘部分产生裂缝。陶瓷芯片上产生的裂缝成为使电容器特性产生较大变化的主要原因，因此必须采取对策，在积层陶瓷电容器自身温度上升后，也不会使陶瓷芯片上产生裂缝。近年来伴随大容量化以及小型化的要求，0603尺寸(长度方向的基准值为0.6mm、宽度及高度尺寸的基准值为0.3mm)或0402尺寸(长度方向的基准值为0.4mm、宽度及高度尺寸的基准值为0.2mm)得以实用化，但是因为积层陶瓷电容器的尺寸越小，上述裂缝的产生具有越显着的倾向，故而裂缝防止对策成为极其重要的技术开发主题。本专利技术是鉴于以上所述创作而成，目的在于提供一种积层陶瓷电容器，在其自身温度上升后，也可以防止陶瓷芯片上产生裂缝，并且提供一种可以恰当制造此积层陶瓷电容器的制造方法。为了实现上述目的，本专利技术的积层陶瓷电容器特征在于具备长方体形状的陶瓷芯片，此陶瓷芯片具有将多个内部电极层经由陶瓷部而积层的结构，且多个内部电极层形成具有特定宽度、长度以及厚度的矩形状，多个内部电极层中至少一部分内部电极层具有宽度方向中央的平坦部分与宽度方向两侧的非平坦部分，并且宽度方向两侧的非平坦部分包含已实质性氧化的部位。根据此积层陶瓷电容器，因为在内部电极层的宽度方向两侧设置非平坦部分，且非平坦部分包含已实质性氧化的部位，所以使非平坦部分的热膨胀率降低，以可以降低与陶瓷部的热膨胀率之差所产生的应力，并且，此应力可以随着非平坦部分的弯曲及倾斜而分散。即，通过使自身温度上升后产生的应力降低并分散，可以防止由于此应力而在陶瓷芯片的侧边缘部分等产生裂缝。另一方面，本专利技术的积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于积层陶瓷电容器具备长方体形状的陶瓷芯片，此陶瓷芯片具有将多个内部电极层经由陶瓷部而积层的结构，且包括未烧制陶瓷芯片的获取步骤与陶瓷芯片的获取步骤，此未烧制陶瓷芯片的获取步骤将已形成未烧制内部电极层的多个未烧制陶瓷层堆积压接而获取，使多个未烧制内部电极层中至少一部分内部电极层的宽度方向两侧非平坦；此陶瓷芯片的获取步骤在下述条件下烧制未烧制陶瓷芯片而获取，即，存在于多个未烧制内部电极层中至少一部分内部电极层的宽度方向两侧的非平坦部分，已形成实质性氧化的部位。根据此积层陶瓷电容器的制造方法，可以恰当且准确地制造上述积层陶瓷电容器。根据本专利技术，能够提供一种积层陶瓷电容器，在其自身温度上升后，陶瓷芯片上也不会产生裂缝，并且提供一种可以恰当制造此积层陶瓷电容器的制造方法。本专利技术的上述目的以及除此以外的目的、结构特征、作用效果，根据以下说明与附图显然可知。附图说明图1是积层陶瓷电容器的立体图。图2是图1的a-a线截面图。图3是图1的b-b线截面图。图4是图1至图3所示的积层陶瓷电容器的制造方法例示图。图5是图1至图3所示的积层陶瓷电容器的制造方法例示图。图6是图1至图3所示的积层陶瓷电容器的制造方法例示图。10 积层陶瓷电容器11 陶瓷芯片12 外部电极13 内部电极层13a 平坦部分13b 非平坦部分14 陶瓷部CL1～CL3未烧制陶瓷层EL1、EL2未烧制内部电极层CC 未烧制陶瓷芯片CP 未烧制陶瓷部BP 非平坦部分EE 未烧制外部电极具体实施方式图1是积层陶瓷电容器的立体图，图2是图1的a-a线截面图，图3是图1的b-b线截面图。此积层型陶瓷电容器10具备长方体形状的陶瓷芯片11与一对外部电极12，此长方体形状的陶瓷芯片11具有特定长度、宽度以及高度，此一对外部电极12设置在此陶瓷芯片11的长度方向两端部。陶瓷芯片11具有将包含Ni、Cu、Sn等贱金属的多个内部电极层13经由包含BaTiO3等介电体的陶瓷部14而积层的结构。各内部电极层13的端缘在陶瓷芯片11的长度方向两端面上交替露出。各外部电极12包含Ni、Cu、Sn等贱金属，并与内部电极层13的露出端缘导通。多个内部电极层13形成为具有特定宽度、长度以及厚度的矩形状，由图3可知，各内部电极层13具有宽度方向中央的平坦部分13a与宽度方向两侧的非平坦部分13b。图3表示非平坦部部分13b弯曲的情形(弯成弓形)，但也可以是非平坦部部分13b相对于平坦部分13a而倾斜(成倾斜状)，或者弯曲与倾斜并存的情形。而且，图3表示非平坦部分13b的方向朝向陶瓷芯片11的高度方向的中央，但可以是非平坦部分13b朝向陶瓷芯片11的高度方向下侧、或非平坦部分13b朝向陶瓷芯片11的高度方向上侧、或者非平坦部分13b的方向无规则。而且，各内部电极层13的非平坦部分13b包含已实质性氧化的部位。总之，各内部电极层13的非平坦部分13b全部已实质性氧化，或者其一部分已实质性氧化。即，积层陶瓷电容器10的静电容量主要通过多个内部电极层13的平坦部分13a而决定。图3中W表示内部电极层13的整体宽度尺寸，Wa表示平坦部分13a的宽度尺寸，Wb表示非平坦部分13b的宽度尺寸，MG表示陶瓷芯片11的侧边缘部分的间隔(非平坦部分13b的侧缘与相对于此侧缘的陶瓷芯片11侧面的间隔)。上述积层陶瓷电容器10也与先前的积层陶瓷电容器同样，在焊接时或安装后施加电压时等而引起自身温度上升时，各内部电极层13与陶瓷部14产生热膨胀，但是因为在各内部电极层13的宽度方向两侧设置非平坦部分13b，而且，非平坦部分13b包含已实质性已氧化的部位，所以使非平坦部分13b的热膨胀率降低，而可以降低与陶瓷部14的热膨胀率之差所产生的应力，且此应力可以随着非平坦部分13b的弯曲与倾斜而分散。即，通过使自身温度上升后产生的应力降低并分散，可以防止由于此应力而在陶瓷芯片11的侧边缘部分等产生裂缝。为了更有效地降低陶瓷芯片11的侧边缘部分产生的应力，可以使非平坦部分14a的宽度尺寸Wb在内部电极层13的整体宽度尺寸W的0.1～10％的范围内，优选1～5％的范围内。当小于0.1％时，难以取得防止裂缝产生的效果；超过10％时，导致容量显着降低。而且，可以使陶瓷芯片11的侧边缘部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层陶瓷电容器，其特征在于：具备长方体形状的陶瓷芯片，此陶瓷芯片具有将多个内部电极层经由陶瓷部而积层的结构，且多个内部电极层中至少一部分内部电极层具有宽度方向中央的平坦部分与宽度方向两侧的非平坦部分，并且宽度方向两侧的非平坦部分包含已实质性酸化物化的部位。

【技术特征摘要】
JP 2005-7-26 2005-2158601.一种积层陶瓷电容器，其特征在于具备长方体形状的陶瓷芯片，此陶瓷芯片具有将多个内部电极层经由陶瓷部而积层的结构，且多个内部电极层中至少一部分内部电极层具有宽度方向中央的平坦部分与宽度方向两侧的非平坦部分，并且宽度方向两侧的非平坦部分包含已实质性酸化物化的部位。2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容器，其特征在于宽度方向两侧非平坦部分的宽度尺寸分别在内部电极层整体宽度尺寸的0.1～10％的范围内。3.根据权利要求1或2所述的积层陶瓷电容器，其特征在于宽度方向两侧非平坦部分的各个侧缘与相对于此侧缘的陶瓷芯片侧面之间的间隔，在陶瓷芯片宽度尺寸的1～20％的范围内。4.一种积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野洋一，西川润，川村知荣，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]