一种片式迭层电子元件的内电极引出结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种片式迭层电子元件的内电极引出结构，该电子元件包括介质层、内电极线圈和端电极，所述内电极两引出端通过连接点分别连接有一平面结构，该平面结构的边缘从介质层的端面露出与端电极连接在一起。所述的引出端可有多个点或边与端电极连接，增强了迭层片式元件的可靠性，同时，内电极两引出端可以从平面结构的任意位置引出，使用一块网版即可完成内电极引出端的制作，大大降低了生产成本。所述的电子元件内电极引出结构主要应用于电感器、磁珠、滤波器等。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种片式迭层电子元件的内电极引出结构，该电子元件包括介质层、内电极线圈和端电极，其特征在于：所述内电极两引出端通过连接点分别连接有一平面结构，该平面结构的边缘从介质层的端面露出与端电极连接在一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁晓鸿，施威，肖倩，
申请(专利权)人：深圳振华富电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]