【技术实现步骤摘要】
本申请属于双工器，更具体地说，是涉及一种ltcc叠层片式双工器。
技术介绍
1、随着5g的部署，射频无源器件朝着小型化、高性能方向发展，以满足5g通信技术的需要。相对于4g通讯技术,5g通讯设备既要在新增的5g频段进行工作,并且还要兼容4g的通讯频段，导致5g终端设备需要在多个频段进行分频或者合路，这个过程就需要使用多个双工器。双工器是一种最简单的多工器，作为一种无源的三端口器件，用来连接两个不同频率的滤波网络到一个共同的终端。双工器可以实现两个工作于不同频率的发射机同时使用同一个天线,即实现分频通信，因此可以缩减体积，得到高度集成化器件。
2、低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic，ltcc)技术就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源原件埋入其中，然后叠压在一起，再进行烧结，制成三维电路网络的无源集成组件。以ltcc技术为基础设计和生产的无源器件，因其具有良好的高频特性、高速传输性、高集成度等优点，已经大量运用于小型化电子设备，特别是手机、平板电脑、数码相机、电子阅读器等消费电子设备。然而，相关技术中使用了低温共烧陶瓷技术的双工器结构仍有优化空间，两个通带之间的插入损耗过高，在所要求的频点抑制较低。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供一种ltcc叠层片式双工器，以解决现有技术中存在的双工器通带之间的插
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：提供一种ltcc叠层片式双工器，包括：公共输入端、低通输出端、高通输出端、低通滤波器以及高通滤波器。所述低通滤波器连接于所述公共输入端与所述低通输出端之间；所述高通滤波器连接于所述公共输入端与所述高通输出端之间，并与所述低通滤波器并联。
3、可选地，所述低通滤波器包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容；所述第一电感和所述第二电感串联于所述公共输入端和所述低通输出端之间，所述第一电感和所述第三电容形成第一并联谐振电路，所述第二电感和所述第四电容形成第二并联谐振电路，所述第一电容接地并与所述第一电感并联，所述第二电容接地并与所述第二电感并联。
4、可选地，所述高通滤波器包括第三电感、第四电感、第五电容、第六电容和第七电容；所述第三电感、所述第五电容和所述第六电容依次串联于所述公共输入端和所述高通输出端之间并形成一串联谐振电路；所述串联谐振电路与所述第七电容并联，所述第四电感接地并与所述串联谐振电路中的所述第三电感及所述第五电容并联。
5、可选地，所述双工器包括介质层以及第一导体层至第十八导体层，所述第一导体层至第十八导体层依次层叠设置，相邻两个导体层之间设置有至少一所述介质层。
6、可选地，所述低通滤波器中的所述第一电感配置于所述第七导体层至所述第十导体层；所述第二电感配置于所述第七导体层至所述第十导体层；所述第一电容配置于所述第十四导体层至所述第十七导体层；所述第二电容配置于所述第十四导体层至所述第十六导体层；所述第四电容配置于所述第十六导体层至所述第十七导体层。
7、可选地，所述高通滤波器中的所述第三电感配置于所述第一导体层至所述第五导体层；所述第四电感配置于所述第十一导体层至所述第十三导体层；所述第五电容配置于所述第三导体层至所述第五导体层；所述第六电容配置于所述第五导体层至所述第六导体层；所述第七电容配置于所述第一导体层至所述第二导体层。
8、可选地，所述双工器还包括第一金属谐振柱、第二金属谐振柱以及第三金属谐振柱；所述第一金属谐振柱穿过所述第十导体层和所述第十四导体层之间的介质层，且两端分别抵接所述第十导体层和所述第十四导体层；所述第二金属谐振柱穿过所述第十四导体层和所述第十六导体层之间的介质层，且两端分别抵接所述第十四导体层和所述第十六导体层；以及所述第三金属谐振柱穿过所述第三导体层和所述第十一导体层之间的介质层，且两端分别抵接所述第三导体层和所述第十一导体层。
9、可选地，所述第一金属谐振柱、所述第二金属谐振柱以及所述第三金属谐振柱中的任意两者之间沿垂直于所述导体层层叠方向的方向交错设置。
10、可选地，所述双工器还包括第一接地电极、第二接地电极和第三接地电极，所述第一接地电极和所述第二接地电极设置于第一侧面，所述第三接地电极设置于第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面对称设置于所述双工器两侧。
11、可选地，所述公共输入端设置于所述第一侧面，且所述公共输入端位于所述第一接地电极与所述第三接地电极之间；所述低通输出端和所述高通输出端设置于所述第二侧面，且所述第三接地电极位于所述低通输出端和所述高通输出端之间。
12、本申请提供的ltcc叠层片式双工器的有益效果在于：与现有技术相比，本申请ltcc叠层片式双工器中在公共输入端与低通输出端之间设置低通滤波器，在公共输入端与高通输出端之间设置高通滤波器，并将低通滤波器与高通滤波器并联，进一步提高了ltcc叠层片式双工器的频点抑制并降低两个通带之间的插入损耗。
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1.一种LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述双工器包括：
2.如权利要求1所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述低通滤波器包括：
3.如权利要求2所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述高通滤波器包括：
4.如权利要求3所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述双工器包括介质层以及第一导体层至第十八导体层，所述第一导体层至第十八导体层依次层叠设置，相邻两个导体层之间设置有至少一所述介质层。
5.如权利要求4所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述低通滤波器中的所述第一电感配置于所述第七导体层至所述第十导体层；
6.如权利要求4所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述高通滤波器中的所述第三电感配置于所述第一导体层至所述第五导体层；
7.如权利要求4所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述双工器还包括第一金属谐振柱、第二金属谐振柱以及第三金属谐振柱；
8.如权利要求7所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述第一金属谐振柱、所述第二金属谐振柱以及所述第三金属
9.如权利要求1至10中任一所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述双工器还包括第一接地电极、第二接地电极和第三接地电极，所述第一接地电极和所述第二接地电极设置于第一侧面，所述第三接地电极设置于第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面对称设置于所述双工器两侧。
10.如权利要求9所述的LTCC叠层片式双工器，其特征在于：所述公共输入端设置于所述第一侧面，且所述公共输入端位于所述第一接地电极与所述第三接地电极之间；
...【技术特征摘要】
1.一种ltcc叠层片式双工器，其特征在于：所述双工器包括：
2.如权利要求1所述的ltcc叠层片式双工器，其特征在于：所述低通滤波器包括：
3.如权利要求2所述的ltcc叠层片式双工器，其特征在于：所述高通滤波器包括：
4.如权利要求3所述的ltcc叠层片式双工器，其特征在于：所述双工器包括介质层以及第一导体层至第十八导体层，所述第一导体层至第十八导体层依次层叠设置，相邻两个导体层之间设置有至少一所述介质层。
5.如权利要求4所述的ltcc叠层片式双工器，其特征在于：所述低通滤波器中的所述第一电感配置于所述第七导体层至所述第十导体层；
6.如权利要求4所述的ltcc叠层片式双工器，其特征在于：所述高通滤波器中的所述第三电感配置于所述第一导体层至所述第五导体层；
7.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊雅，林亚梅，刘季超，陈樱琳，蒙腾奥，沈诗垚，
申请(专利权)人：深圳振华富电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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