纳米磁性网络结构薄膜的制作方法技术

一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法，其方法步骤如下：　　　　１）把９９．９９％的铝箔退火；　　　　把铝箔剪成直径１－２ｃｍ的圆片，然后在４００－－６００℃下退火３－－５小时；　　　　２）退过火的铝箔在草酸中一次氧化；　　　　草酸浓度为０．３ｍｌ，氧化时间为３－－４小时；　　　　３）清洗：　　　　放到６ｗｔ％Ｈ↓［３］ＰＯ↓［４］＋１．８ｗｔ％Ｈ↓［２］ＣｒＯ↓［４］中浸泡５－－７小时，去掉一次氧化残留物；　　　　４）二次氧化：　　　　草酸浓度为０．３ｍｌ，氧化时间为９－－１１小时；　　　　５）除去未被氧化的铝：　　　　用ＣｕＣｌ↓［２］溶液除去背面未被氧化的铝；　　　　　６）清洗：　　　　放到磷酸中浸泡８０－－１００ｍｉｎ，取出后用去离子水冲洗干净就得到了氧化铝模板；　　　　７）沉积铁、镍：　　　　用磁控溅射法把铁、镍沉积到氧化铝多孔模板表面，功率在３０Ｗ－１００ｗ之间沉积时间：１－２０分钟；　　　　８）退火：　　　　对沉积有铁、镍的氧化铝多孔模板在３００－６００℃作２－５小时真空退火处理，就得到纳米磁性网络结构薄膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，这类薄膜在高密度光和磁信息贮存方面具有广泛的应用前景。
技术介绍
纳米磁性网络结构薄膜指的是网孔和网格尺寸在1-1000纳米范围的网络结构磁性薄膜，目前，由于现代影印石版(photolithography)技术的进步，人们可以在磁性薄膜或者超导薄膜上面制备出周期性排列的亚微米或纳米结构，这种结构相比平面磁性膜在高密度光和磁信息贮存方面具有更好的稳定性，具有广泛的应用前景，但是这种制备技术费用昂贵，而且很难得到比较大面积的有序孔排列的磁性薄膜，且孔径尺寸和孔间距相对比较大，在几百纳米到几个微米。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种。其方法步骤如下1)把99.99％的铝箔退火把铝箔剪成直径1-2cm的圆片，然后在400--600℃下退火3--5小时；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化草酸浓度为0.3ml，氧化时间为3--4小时；3)清洗放到6wt％H3PO4+1.8wt％H2CrO4中浸泡5--7小时，去掉一次氧化残留物；4)二次氧化草酸浓度为0.3ml，氧化时间为9--11小时；5)除去未被氧化的铝用CuCl2溶液除去背面未被氧化的铝；6)清洗放到磷酸中浸泡80本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法，其方法步骤如下1)把99.99％的铝箔退火把铝箔剪成直径1-2cm的圆片，然后在400-600℃下退火3-5小时；2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化草酸浓度为0.3ml，氧化时间为3-4小时；3)清洗放到6wt％H3PO4+1.8wt％H2CrO4中浸泡5--7小时，去掉一次氧化残留物；4)二次氧化草酸浓度为0.3ml，氧化时间为9...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙健，勇本收，杨德仁，张年生，牛俊杰，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：