R-T-B系永磁铁以及镀膜制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁，其具有容易适用于实际的Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁的制造、且可以有效地确保硬度的镀膜。本发明专利技术通过Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁（１）解决上述问题，该Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁具有由烧结体构成的磁铁基材（２）和覆盖磁铁基材表面的镀膜（３），所述烧结体至少包含由Ｒ↓［２］Ｔ↓［１４］Ｂ化合物构成的主相晶粒和比前述主相晶粒含有更多的Ｒ的晶界相，在镀膜（３）中，将Ｃ含量以ｗｔ％为单位记作Ｃｃ时，０．００５＜Ｃｃ≤０．２ｗｔ％。在本发明专利技术中，镀膜（３）的Ｃ含量优选为０．００６≤Ｃｃ≤０．１８ｗｔ％。另外，作为镀膜（３），可以含有电解Ｎｉ镀膜。另外，Ｒ表示含有Ｙ的稀土类元素中的１种、２种或更多种，Ｔ表示以Ｆｅ或以Ｆｅ和Ｃｏ为必须成分的１种、２种或更多种过渡金属元素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在表面形成有镀膜的R-T-B系永磁铁和镀膜。
技术介绍
以R2T14B型金属间化合物为主相的R-T-B系永磁铁具有优异的磁特性，以及作为主成分的Nd资源丰富且比较廉价，因此被应用于各种电气设备中。这里，R是含有Y的稀土类元素的1种、2种或更多种，T是以Fe或以Fe和Co为必要成分的1种、2种或更多种过渡金属元素。在具有优异的磁特性的R-T-B系永磁铁中，还存在一定的技术问题。其中之一是耐腐蚀性。即，R-T-B系永磁铁作为主构成元素的R和Fe是容易氧化的元素，因此耐腐蚀性差。所以，在磁铁表面形成用于防止腐蚀的保护膜。作为保护膜，可以采用树脂涂层、铬酸盐膜或者镀层等，特别是由于在金属表面形成以Ni镀层、Cu镀层或Sn镀层为代表的金属镀膜的方法因具有优异的耐腐蚀性和耐磨损性等，而被大量使用。已经提出了提高R-T-B系永磁铁表面形成的金属镀膜的耐腐蚀性的方案。例如，在日本专利特许第2941446号公报(专利文献1)中，将含有0.001～0.01wt％的S(硫)的Ni镀层设置为下层，在其上将含有0.001～1.0wt％的S的Ni镀层设置为上层，通过使上层的Ni镀层含有比下层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｒ－Ｔ－Ｂ系永磁铁，其特征在于：其具有由烧结体构成的磁铁基材和覆盖所述磁铁基材表面的镀膜，所述烧结体至少包含由Ｒ↓［２］Ｔ↓［１４］Ｂ化合物构成的主相晶粒和比所述主相晶粒含有更多的Ｒ的晶界相，在所述镀膜中，将Ｃ含量以ｗｔ％为单位记作Ｃｃ时，０．００５＜Ｃｃ≤０．２ｗｔ％，其中Ｒ是选自稀土类元素中的１种、２种或更多种，Ｔ是以Ｆｅ或以Ｆｅ和Ｃｏ为必要成分的１种、２种或更多种过渡金属元素。

【技术特征摘要】
JP 2004-12-24 373522/2004;JP 2004-12-24 373523/2001.一种R-T-B系永磁铁，其特征在于其具有由烧结体构成的磁铁基材和覆盖所述磁铁基材表面的镀膜，所述烧结体至少包含由R2T14B化合物构成的主相晶粒和比所述主相晶粒含有更多的R的晶界相，在所述镀膜中，将C含量以wt％为单位记作Cc时，0.005＜Cc≤0.2wt％，其中R是选自稀土类元素中的1种、2种或更多种，T是以Fe或以Fe和Co为必要成分的1种、2种或更多种过渡金属元素。2.根据权利要求1所记载的R-T-B系永磁铁，其特征在于所述镀膜中的C含量Cc为0.006≤Cc≤0.18wt％。3.根据权利要求1所记载的R-T-B系永磁铁，其特征在于所述镀膜中的C含量Cc为0.007≤Cc≤0.15wt％。4.根据权利要求1所记载的R-T-B系永磁铁，其特征在于所述镀膜含有电解Ni镀层或电解Cu镀层。5.根据权利要求1所记载的R-T-B系永磁铁，其特征在于所述镀膜包含配置在所述磁铁基材的表面侧的第1镀层和配置在所述第1镀层上的第2镀层，且所述第1镀层和所述第2镀层...

【专利技术属性】
技术研发人员：中山靖之，山沢和人，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]