存储器制造技术

本发明专利技术披露了一种存储器，其包括：存储元件，具有基于磁性材料的磁化状态保持信息的存储层；以及电连接至存储元件的导体。在该存储器中，通过中间层对存储层设置磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，并且自旋极化电子沿堆叠方向注入以使存储层的磁化方向反转，从而将信息记录在存储层中。还对导体设置磁性材料，以增强由于电流在导体中流动而产生的磁场，并且将漏磁场施加至存储层，以偏离存储层的磁化方向，并且沿堆叠方向的电流通过导体流入存储元件中，从而注入自旋极化电子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器，其包括存储元件，该存储元件由将铁磁层的磁化状态作为信息而存储的存储层以及具有固定磁化方向的磁化固定层构成，其中，电流沿垂直于膜表面的方向流动来注入自旋极化电子，以改变存储层的磁化方向。本专利技术还涉及一种可适合用作非易失性存储器的包括存储元件的存储器。
技术介绍
高速与高密度DRAM已广泛用作诸如计算机的信息装置中的随机存取存储器。然而，由于DRAM是一种当电源被切断时会擦除信息的易失性存储器，所以需要切断电源时不会擦除信息的非易失性存储器。例如，根据2001年2月12日的Nikkei电子(164～171页)，配置用于通过磁化磁性材料来记录信息的磁性随机存取存储器(MRAM)已引起了人们的注意，并且已逐步发展成为潜在的非易失性存储器。在MRAM中，使电流分别流入彼此几乎垂直的两种地址配线(字线和位线)中，以基于产生于每条地址配线的电流磁场来使在地址配线的交叉点中的磁性存储元件的磁性层的磁化反转，从而记录信息。图1示出了普通RAM的示意图(透视图)。在由诸如硅衬底的半导体衬底110的元件隔离层102隔离的区域中，分别形成漏极区108、源极区107和栅电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，包括：至少一个存储元件，具有基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层；以及电连接至所述存储元件的导体，其中所述存储元件包括通过中间层对所述存储层设置的磁化固定层；所述中间层由绝缘体形成；并且自旋极化电子沿堆叠方向注入以使所述存储层的磁化方向反转，从而将信息记录在所述存储层中，对所述导体的至少一部分设置所述磁性材料，以增强由于电流在所述导体中流动而产生的磁场，并且将漏磁场施加至所述存储元件的所述存储层，以使所述存储层的所述磁化方向偏离，以及沿所述堆叠方向的电流通过所述导体流入所述存储元件中，从而注入所述自旋极化电子。

【技术特征摘要】
JP 2006-5-23 2006-1431001.一种存储器，包括至少一个存储元件，具有基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层；以及电连接至所述存储元件的导体，其中所述存储元件包括通过中间层对所述存储层设置的磁化固定层；所述中间层由绝缘体形成；并且自旋极化电子沿堆叠方向注入以使所述存储层的磁化方向反转，从而将信息记录在所述存储层...

【专利技术属性】
技术研发人员：肥后丰，细见政功，大森广之，山元哲也，山根一阳，大石雄纪，鹿野博司，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]