用于电流传感器的纳米晶芯、包含纳米晶芯的单和双级能量计以及电流探针制造技术

一种没有局部气隙的绕线纳米晶体化芯，包括具有下述原子组成的纳米晶材料：［Ｆｅ↓［１－ａ］Ｎｉ↓［ａ］］↓［１００－ｘ－ｙ－ｚ－α－β－γ］Ｃｕ↓［ｘ］Ｓｉ↓［ｙ］Ｂ↓［ｚ］Ｎｂ↓［α］Ｍ′↓［β］Ｍ″↓［γ］，其中ａ≤０．３，０．６≤ｘ≤１．５，１０≤ｙ≤１７，５≤ｚ≤１４，２≤α≤６，β≤７，γ≤８，Ｍ′是元素Ｖ、Ｃｒ、Ａｌ和Ｚｎ中的至少一种，Ｍ″是元素Ｃ、Ｇｅ、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｉｎ和Ｂｅ中的至少一种，其具有２００到４０００之间的磁导率μ，大于１Ｔ的饱和，大于０．９Ｔ的其中磁导率改变不超过５％的感应范围，小于０．０２Ｔ的剩磁感应和高于１ＭＨｚ的截止频率，使得当该芯在超过１００℃下经受１００ｈ的老化时μ的改变小于１％，当该芯被涂敷时μ的改变小于５％，当温度在－２５℃和＋６０℃之间变化时μ的改变小于１５％，并且当温度在－４０℃和＋１２０℃之间变化时μ的改变小于２５％，并且在－４０℃到＋１２０℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造电流传感器型的电感性元件的磁芯。在元件或电流传感器的情况下，特别是对于可能包括显著的叠加直流分量的交流传感器的情况下，有必要具有减少了磁导率的芯，以便不使芯饱和，然而没有这一点则太弱以致于传感器不能保持令人满意的测量精度。传感器性能必须在高极化场中、以及在尽可能宽的温度范围上、某些情况下在宽的频率范围上稳定。这种电流传感器特别用在电能量计变压器(transformer)中，后者将被供电的负载系统中的所有设备隔离开，同时提供用于计量能量的电信号。可以直接连接到负载电流的变流器(current transformer)(根据IEC 1026的类型1。在该整个文档中，只要引用该标准，则引用是指最接近30.10.2004的先前版本)包括采取这样的芯的形式的单个级(stage)，即该芯组合变压器-隔离器和用于计量能量的电流传感器的功能。如可以从附图说明图1中看出的，在图1中由1总的表示的这样的变压器一般包括三部分-复曲面(toric)磁路(图中不是直接可见的)，用于最小化磁损耗，-电阻R1的N1匝的初级线圈2(常常引向通过磁芯的单个导线)(N1＝1)，其中流过电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种没有局部气隙的绕线纳米晶体化芯，包括下述原子组成的纳米晶材料：　　　　［Ｆｅ↓［１－ａ］Ｎｉ↓［ａ］］↓［１００－ｘ－ｙ－ｚ－α－β－γ］Ｃｕ↓［ｘ］Ｓｉ↓［ｙ］Ｂ↓［ｚ］Ｎｂ↓［α］Ｍ′↓［β］Ｍ″↓［γ］，其中ａ≤０．３，０．６≤ｘ≤１．５，１０≤ｙ≤１７，５≤ｚ≤１４，２≤α≤６，β≤７，γ≤８，Ｍ′是元素Ｖ、Ｃｒ、Ａｌ和Ｚｎ中的至少一种，Ｍ″是元素Ｃ、Ｇｅ、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｉｎ和Ｂｅ中的至少一种，　　　　其具有２００和４０００之间的磁导率μ，大于１Ｔ的饱和，高于０．９Ｔ的其中磁导率改变不超过５％的感应范围，小于０．０２Ｔ的剩磁感应和高于１ＭＨｚ的截止频率，并且使得当该芯在超过１００...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2004-10-29 04116181.一种没有局部气隙的绕线纳米晶体化芯，包括下述原子组成的纳米晶材料[Fe1-aNia]100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzNbαM′βM″γ，其中a≤0.3，0.6≤x≤1.5，10≤y≤17，5≤z≤14，2≤α≤6，β≤7，γ≤8，M′是元素V、Cr、Al和Zn中的至少一种，M″是元素C、Ge、P、Ga、Sb、In和Be中的至少一种，其具有200和4000之间的磁导率μ，大于1T的饱和，高于0.9T的其中磁导率改变不超过5％的感应范围，小于0.02T的剩磁感应和高于1MHz的截止频率，并且使得当该芯在超过100℃下经受100小时的老化时，μ的改变小于1％，当该芯被涂敷时μ的改变小于5％，当温度在-25℃和+60℃之间变化时μ的改变小于15％，并且当温度在-40℃和+120℃之间变化时μ的改变小于25％，并且在-40℃和+120℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。2.如权利要求1所述的绕线芯，其特征在于，在-100℃和+120℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。3.如权利要求1或2所述的绕线芯，其特征在于，镍含量小于4.5％。4.如权利要求3所速的绕线芯，其特征在于，纳米晶合金的成分按照原子百分比如下0.8％≤Cu≤1.2％2.5％≤Nb≤3.5％12％≤Si≤16.5％6...

【专利技术属性】
技术研发人员：希瑞瓦可勒，法毕恩西门，弗兰西斯科艾维斯，希瑞瑟弗，艾琳迪米尔，
申请(专利权)人：安费合金公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]