电阻器制造技术

本发明专利技术的电阻器包括：一基板、一对设置于该基板的上面的上面电极层、和一连接于该一对上面电极层的电阻膜。该上面电极层由对基板和电阻膜的粘接性好的第１上面电极薄膜层、和具有比第１上面电极薄膜层的体积电阻率低的体积电阻率的第２上面电极薄膜。又，本发明专利技术的电阻器于基板的端缘设置有一对与上面电极层电连接的侧面电极，该侧面电极具有第１侧面电极薄膜层和第２侧面电极薄膜层，并且形成该第２侧面电极薄膜层的材料具有与该第１侧面电极薄膜层固溶的固溶性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有对基板的贴着性优异的侧面电极的电阻器。
技术介绍
公知的电阻器例，是如日本专利公开公报特开平3-80501中揭示一种“在电阻器的侧面电极有4层”的形态。该电阻器如图8所示，具有与设于基板11的上面端部的一对上面电极膜12相连接的电阻层13，且于基板11的侧面设置有与上面电极膜12电连接的一对匚字形侧面电极14。又，以下的说明中，“连接”即指电连接之意。侧面电极14是由下述层叠构造所构成最下层是与上面电极膜12连接且由NiCr薄膜、Ti薄膜或Cr薄膜所形成的匚字形第1金属薄膜15；与第1金属薄膜15重叠且由低电阻的Cu薄膜形成的第2金属薄膜16；与第2金属薄膜16重叠且由Ni镀膜形成的第1金属镀膜17；和与第1金属镀膜17重叠且由Pb-Sn镀膜或Sn镀膜形成的第2金属膜18。日本专利公开公报特开平3-80501号所揭示的电阻器，不但上面电极12和电阻膜13以厚膜方式形成，且由于侧面电极的第2金属薄膜16是通过低电阻的Cu薄膜设置，故上面电极12与电阻膜13的连接电阻极高，更甚者，还有第2金属薄膜16易自第1金属薄膜15剥离的问题。即，一旦将电阻器放置于湿度高的环境中，易使Cu薄膜16与第1金属薄膜15剥离。据推断其原因为Cu薄膜16与第1金属薄膜15未固溶，故水分等被该界面所吸着所致。
技术实现思路
本专利技术是以解决上述公知电阻器为课题，并提供一种电阻器，其连接电阻低、且实现低配线电阻的同时，还提高基板与上面电极层间、基板与侧面电极的第1薄膜层间、第1薄膜层与第2薄膜层间、第2薄膜层与第1镀膜间的贴着力，使可靠性增加。本专利技术的电阻器包括一基板、一对设置于该基板的上面的上面电极层、和一连接于上述一对上面电极层的电阻膜；上述一对上面电极层是由对上述基板和上述电阻膜的粘接性良好的第1上面电极薄膜层、和具有比第1上面电极薄膜层的体积电阻率低的体积电阻率的第2上面电极薄膜层形成。又，本专利技术的电阻器于基板的端缘设置有一对与上面电极层电连接的侧面电极，该侧面电极具有第1侧面电极薄膜层和第2侧面电极薄膜层，而形成该第2侧面电极薄膜层的材料具有与该第1侧面电极薄膜层固溶的固溶性。附图说明图1是本专利技术的第1实施方式中电阻器的剖面图。图2是同一电阻器于去除侧面电极后的俯视图。图3是本专利技术的第2侧面电极薄膜层中使用的Cu-Ni合金薄膜的平衡状态图。图4是第1侧面电极薄膜层与第2侧面电极薄膜层藉SIMS的组成分析结果说明图。图5是评定镀膜的接着强度的实验方法说明图。图6是本专利技术的第2实施方式中电阻器的剖面图。图7是同一电阻器于去除侧面电极后的俯视图。图8是公知的电阻器的剖面图。图中标号说明12…上面电极膜 26…第2上面电极层13…电阻层 27…第1保护膜14…侧面电极28…微调沟15…第1金属薄膜 29…第2保护膜16…第2金属薄膜 31…侧面电极层17…第1金属镀膜 32…第1侧面电极薄膜层18…第2金属镀膜 33…第2侧面电极薄膜层21…基板34…第1镀膜22…上面电极层 35…第2镀膜23…电阻膜 24…第1上面电极薄膜层25…第2上面电极薄膜层具体实施方式(实施方式1)以下，参照附图说明本专利技术的第1实施方式1中的电阻器。如图1所示，本实施方式的电阻器是具有基板21和形成于该基板21上面的一对上面电极层22，且该对上面电极层22与一电阻膜23相连接。电阻膜23通过溅射、真空蒸镀法、离子镀、等离子体化学气相沉积法(P-CVD)等薄膜技术而形成NiCr系或金属-Si系等合金薄膜。上面电极层22通过下述层叠构造所构成与基板21相接的第1上面电极薄膜层24、和第2上面电极薄膜层25。第1上面电极薄膜层24如图2所示，由基板21上面纵向的端缘起朝中央方向形成。第1上面电极薄膜层24设置成一部分与电阻膜23重叠，通过溅射、真空蒸镀法、离子镀、等离子体化学气相沉积法等薄膜技术形成诸如Cr薄膜、Ti薄膜等。第2上面电极薄膜层25自基板21上面的纵向端缘起朝中央而形成。第2上面电极薄膜层25最好设置成以覆盖电阻膜23的方式重叠于第1上面电极薄膜层24的上层，通过溅射、真空蒸镀法、离子镀、等离子体化学气相沉积法等薄膜技术形成有Cr薄膜或Cu系合金薄膜。电阻膜23最好在电阻膜23的表面上设置由玻璃等形成的第1保护膜27，对第1保护膜27和电阻膜23利用激光来形成调节电阻值用的微调沟。进一步，至少覆盖电阻膜23或电阻膜23与上面电极层22重叠的部分、第1保护膜27和微调沟28的第2保护膜29由树脂或玻璃等形成。这时，当自多腔的薄板基板或薄长方形基板分割成个别的电阻器时，为抑制第1、第2上面电极薄膜层24、25产生剥离、另外为提高电阻膜23剖面方向的覆盖性、并获得电阻值安定的可靠度高的电阻器，而最好图2所示于基板21的端缘内侧设置第1、第2保护膜27、29。基板21的端缘依需要设置一对与上面电极层22连接且呈匚字形围绕的侧面电极层31。侧面电极层31由包括与基板21连接的第1侧面电极薄膜层32、第2薄膜33、第1镀膜34和第2镀膜35组成的多层构造所构成。第1侧面电极薄膜层32自基板21的侧面到底面形成一L字形。第1侧面电极薄膜层32以对基板21的粘接性好的Cr、Cr合金薄膜、Ti、Ti合金薄膜或NiCr合金薄膜的任一种通过溅射、真空蒸镀法、离子镀、等离子体化学气相沉积法等薄膜技术所形成。第2薄膜33自基板21的侧面到底面形成一L字形。第2薄膜33将Cu系合金薄膜借助溅射、真空蒸镀法、离子镀、等离子体化学气相沉积法等薄膜技术与第1侧面电极薄膜层32重叠所形成。又，本实施方式中，是举构成侧面电极层31的第1、第2侧面电极薄膜层32、33呈L字形形成的例，然第1、第2侧面电极薄膜层32、33亦可以覆盖基板21的端缘的上面、侧面和底面的匚字形方式形成。第1镀膜34覆盖上面电极层22的露出部和第2薄膜33。可以形成软焊料扩散防止性和耐热性优异的Ni镀膜作为第1镀膜34。进一步，第2镀膜35覆盖第1镀膜34，其材料可使用焊料粘接性好的Pb-Sn镀膜、Sn镀膜或无铅软焊料。下面详细说明如上构成的侧面电极层31的第2薄膜33。第2薄膜33的材料最选自Cu系合金薄膜，特别是Cu-Ni合金。Cu-Ni合金中，Ni相对于薄膜主元素Cu的全组成比率(范围)构成Ni均等地融合的所谓“完全固溶体”。因此，第2薄膜33若采用Cu-Ni合金薄膜，通过使Ni在第2薄膜33和第1侧面电极薄膜层32的界面扩散，可形成强固的贴着层，即，可谋求贴着性提高。又，存在于第2薄膜33外表面的Ni，对第1镀膜34中所使用的用以形成Ni镀金的镀液具有提高防蚀性的效果。更进一步，通过使Ni在第2薄膜33与第1镀膜34的界面扩散也可谋求第1镀膜34与第2薄膜33的界面的贴着性提高。在此说明有关上述的“完全固溶体”。第2侧面电极薄膜层的Cu-Ni合金薄膜的平衡状态图如图3所示。图3中，横座标取Ni金属的添加量，纵座标取温度，温度比实线所示液相线为高者为液相状态，温度比虚线所示固相线为低者为固相状态。本实施方式中由Cu-Ni合金薄膜形成的第2薄膜33，是在作为基体金属的面心立方晶格的Cu金属中，溶入同样具有面心立方晶格的结晶构造的Ni金属原子，在全组成范围形成同一相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻器，包括：一基板、一对设置于该基板的上面的上面电极层、和一连接于上述一对上面电极层的电阻膜；上述一对上面电极层是由对上述基板和上述电阻膜的粘接性良好的第１上面电极薄膜层、和具有比第１上面电极薄膜层的体积电阻率低的体积电阻率的第２上面电极薄膜层构成。

【技术特征摘要】
JP 2001-3-1 56503/011.一种电阻器，包括一基板、一对设置于该基板的上面的上面电极层、和一连接于上述一对上面电极层的电阻膜；上述一对上面电极层是由对上述基板和上述电阻膜的粘接性良好的第1上面电极薄膜层、和具有比第1上面电极薄膜层的体积电阻率低的体积电阻率的第2上面电极薄膜层构成。2.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于还设有至少覆盖于上述电阻膜的保护膜。3.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于还具有重叠于上述一对上面电极层的至少一部分的第2上面电极层，该第2上面电极层是配置成于基板的端缘与该基板为同一平面。4.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于仅使上述第1上面电极薄膜层与上述电阻膜电连接。5.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于该第1上面电极薄膜层由Cr或其合金薄膜、Ti或其合金薄膜以及与上述电阻膜同一组成的混合物薄膜中选出的至少一种形成。6.如权利要求1所述的电阻器，其特征在于该第2上面电极薄膜层由贵金属元素或其合金薄膜、Al薄膜、和Cu薄膜中选出的至少一种形成。7.如权利要求3所述的电阻器，其特征在于该第2上面电极层自基板算起...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西努，森野贵，八木唯雄，是近哲广，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]