【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于信息传感材料中的电学量传感器结构材料，特别涉及用PLD方法制备的一种具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料技术背景电流控制电阻效应是指材料的电阻随测量电流的变化而变化。2002年Tang J等人在“Journal of applied physics，2002，91(10)8411-8413”中报道了具有电流控制电阻效应的Fe3C岛状薄膜材料在300K的条件下，当测量电流从10微安增加到1000微安时，材料的电阻增加了大约5倍。电流控制电阻效应有希望用于开发新一代的非磁性的随机存取存储器。此外，可以利用该效应开发新的电学量传感器。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料。其特征在于所述掺杂半导体用金属原子比含量为1-70％的比例压成金属-石墨复合冷压靶材，在真空镀膜室中，用PLD方法在3-5Pa氩气条件下，基片在恒定温度300K下沉积，在Si(100)基片上，获得金属掺杂的半导体/绝缘体/半导体结构材料。所述绝缘体界面层是在沉积过程中在基体硅和掺杂金属的碳膜之间自然扩散形成一层非晶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料，其特征在于所述掺杂半导体是用金属原子比含量为1-70％的比例压成金属-石墨复合冷压靶材，用PLD方法在真空镀膜室中得到的金属掺杂的半导体/绝缘体/半导体的结构材料。2.根据权利要求1所述具有电流控...
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