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一种具有电流控制电阻效应的掺杂半导体／绝缘体／半导体材料，其特征在于：所述掺杂半导体是用金属原子比含量为１－７０％的比例压成金属－石墨复合冷压靶材，用ＰＬＤ方法在真空镀膜室中得到的金属掺杂的半导体／绝缘体／半导体的结构材料。...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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