芯片电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种芯片电阻器。芯片电阻器（１）包括绝缘基板（２）、和在该绝缘基板（２）的主面上形成的主上面电极（４）。在绝缘基板（２）的主面上，形成有包括与主上面电极（４）的上面重叠的端部（５ａ）的电阻膜（５）。该电阻膜（５）由保护涂层（７、８）覆盖。在主上面电极（４）的上面上，形成有辅助上面电极（６）。辅助上面电极（６）包括与电阻膜（５）的端部（５ａ）的上面重叠的内侧端部（６ａ）。保护涂层（７、８）与辅助上面电极（６）的内侧端部（６ａ）重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及芯片电阻器(chipresistor)及其制造方法。具体地说, 本专利技术的芯片电阻器包括芯片型的绝缘基板、和在该基板上形成的至 少一个电阻脇。在上述电阻膜的两端分别连接有外部连接端子。另外, 上述电阻胰由保护涂层覆.盖。胃眾狡不以往，该种芯片电阻器为保护涂层的上面不平坦、其中央部高高 地突出的形态。因此，在利用真空吸附式的夹套(collet)使该芯片电 阻器移动时，会发生夹套没有牢固地吸附在保护涂层上、或者保护涂 层发生破裂等不良状况。除此之外，还存在以下的不良状况。在以往的芯片电阻器中，各 外部连接端子包括在上述绝缘基板的上面上延长的部分(以下称为上 面电极)，该上面电极与上述电阻膜接触。上述上而电极由以银为主 成分的导电膏形成，并且，为了使上述电阻膜容易形成，将其厚度设 定得较薄。但是，根据这样的结构，上述上面电极会被大气腐蚀，在 严重的情况下，该上面电极可能会发生断路。这是因为，作为上面电 极的主要构成成分的银与大气中的硫气体(硫化氢等)发生反应生成 硫化银。应付上述不良状况的技术，例如，在下述的专利文献1和2中已 提出。根据这些文献，在与上述电阻膜连接的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片电阻器，其特征在于，包括：具有主面的绝缘基板；在所述绝缘基板的所述主面上形成的主上面电极；具有以下结构的电阻膜：包括主要电阻部和与该主要电阻部连接的端部，所述主要电阻部形成于所述绝缘基板的所述主面上，所述端部与所述主上面电极的上面重叠；覆盖所述电阻膜的保护涂层；和在所述主上面电极上形成的辅助上面电极，所述辅助上面电极包括与所述电阻膜的所述端部的上面重叠的内侧端部，所述保护涂层与所述辅助上面电极的所述内侧端部重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-3-2 057692/2005;JP 2005-6-30 192423/20051.一种芯片电阻器，其特征在于，包括；具有主面的绝缘基板；在所述绝缘基板的所述主面上形成的主上面电极；具有以下结构的电阻膜包括主要电阻部和与该主要电阻部连接的端部，所述主要电阻部形成于所述绝缘基板的所述主面上，所述端部与所述主上面电极的上面重叠；覆盖所述电阻膜的保护涂层；和在所述主上面电极上形成的辅助上面电极，所述辅助上面电极包括与所述电阻膜的所述端部的上面重叠的内侧端部，所述保护涂层与所述辅助上面电极的所述内侧端部重叠。2. 如权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于 所述主上面电极由银系导电齊形成，所述辅助上面电极由含有Pd的银系导电膏形成。3. 如权利要求1所述的芯片lLi阻器，其特征在于-还包括在所述绝缘基板的与所述主面垂直的端而上形成、并且与所述主上面电极连接的侧面电极。4. —种芯片电阻器的制造方法，其特征在于，具有-在绝缘基板的上面上形成主上面电极的工序； 在所述绝缘基板的所述上面上形成具有与所述主上面电极的上面直接重叠的端部的电阻膜的工序；在所述主上面电极上形成具有与所述电阻膜的所述端部的上面直 接重叠的内侧端部的辅助上面电极的工序；在所述电阻膜上形成具有与所述辅助上面电极的所述内侧端部重 叠的端部的保护涂层的工序；和在所述绝缘基板的端面上形成与所述辅助上面电极电连接的侧面 电极的工序。5. 如权利要求4所述的制造方法，其特征在于-所述主上面电极、所述电阻膜和所述辅助上面电极的形成通过对已涂敷的材料膏进行烧制而进行。6. 如权利耍求5所述的制造方法，其特征在于 用于形成所述主上面电极、所述电阻膜和所述辅助上面电极的烧制同时进行。7. —种芯片电阻器，其特征在于，包括包括主而以及在该主而的长边方向上分离的2个端面的绝缘基板;在所述绝缘基板的所述主而上形成的主上面电极；具有主要电阻部和端部，并且，所述主要电阻部与所述绝缘基板 的...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚田虎之，米田将记，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]