【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，其特征在于采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入Ｐ型单晶硅中，利用锰和铜在Ｐ型单晶硅中的杂质补偿，制备出珠状热敏电阻器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈朝阳，范艳伟，丛秀云，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：65[中国|新疆]
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