【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于介质谐振器、滤波器及振荡器等微波通讯系统中的微波介质陶瓷。
技术介绍
近年来,随着移动通讯与卫星通讯技术的迅速发展,对介质谐振器与滤波器等微波元器件用的微波介质陶瓷的需求正在日益增长。数据移动通讯与卫星通讯的迅速发展,对低损耗微波介质陶瓷提出迫切的要求。其基本性能要求为介电常数ε=18-23,品质因数Qf>60,000GHz,谐振频率温度系数τf=0±10ppm/℃。另一方面,虽然目前已有Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、CaTiO3-MgTiO3等低损耗微波介质陶瓷,但前者烧结温度高、制备困难、品质因数与温度系数随制备条件变化较大,而后者存在Qf值偏低的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种介电常数为18-23、同时具有低损耗(Qf>60,000GHz)与良好的温度稳定性的微波介质陶瓷。本专利技术的低损耗微波介质陶瓷是以SrO、Re2O3及Ga2O3组合而成的表达式为xSrO.yRe2O3.zGa2O3的微波介质陶瓷,其中,Re是La或Nd,各成分的含量分别是设SrO的含量为x45.0摩尔%≤x≤55.0摩尔%,Re2O3的含量为y 20.0摩尔%≤y≤30.0摩尔%,Ga2O3的含量为z 20.0摩尔%≤z≤30.0摩尔%,x+y+z=100%。低损耗微波介质陶瓷优选成分的含量为SrO=50摩尔%,Nd2O3=25摩尔%,Ga2O3=25摩尔%。专利技术的低损耗微波介质陶瓷可按下述方法制备而成。首先,将纯度为99.9%以上的SrCO3、La2O3或Nd2O3及Ga2O3按一定的比例用湿式球磨法混合24小时(溶剂为蒸馏水) ...
【技术保护点】
一种低损耗微波介质陶瓷,其特征在于它是以SrO、Re↓[2]O↓[3]及Ga↓[2]O↓[3]组合而成的表达式为xSrO.yRe↓[2]O↓[3].zGa↓[2]O↓[3]的微波介质陶瓷,其中,Re是La或Nd,各成分的含量分别是: 设SrO的含量为x45.0摩尔%≤x≤55.0摩尔%,Re↓[2]O↓[3]的含量为y20.0摩尔%≤y≤30.0摩尔%,Ga↓[2]O↓[3]的含量为z20.0摩尔%≤z≤30.0摩尔%,x+y+z=1 00%。
【技术特征摘要】
1.一种低损耗微波介质陶瓷,其特征在于它是以SrO、Re2O3及Ga2O3组合而成的表达式为xSrO.yRe2O3.zGa2O3的微波介质陶瓷,其中,Re是La或Nd,各成分的含量分别是设SrO的含量为x45.0摩尔%≤x≤55.0摩尔%,Re2O3的含...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈湘明,刘小强,肖洋,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。