低损耗微波介质陶瓷制造技术

本发明专利技术涉及用于介质谐振器、滤波器及振荡器等微波通讯系统中的微波介质陶瓷。它的表达式为xSrO?yLn2O3?zAl2O3的低损耗微波介质陶瓷。其中Ln=La,Nd或Sm，25.0mol%≤x≤44.0mol%，25.0mol%≤y≤44.0mol%，25.0mol%≤z≤44.0mol%，且x+y+z=100%。本发明专利技术提供的微波介质陶瓷介电常数为18~25，Qf>85,000GHz，同时具有近零谐振频率温度系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于介质谐振器、滤波器及振荡器等微波通讯系统中的微波介质陶瓷。
技术介绍
近年来，随着移动通讯与卫星通讯技术的迅速发展，对介质谐振器与滤波器等微波元器件用的微波介质陶瓷的需求正在日益增长。数据移动通讯与卫星通讯的迅速发展， 对低损耗微波介质陶瓷提出迫切的要求。其基本性能要求为介电常数L = 15 25，品质因数Qf彡60，OOOGHz，谐振频率温度系数T f = 0± 10ppm/°C。虽然目前已有的Ba(Mg1/3Ta2/3)03，CaTiO3-MgTiO3等低损耗微波介质陶瓷，但前者的烧结温度高，制备工艺困难，品质因数与温度系数随制备条件变化较大，而后者存在Qf 值偏低的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供介电常数为18 25、同时具有低损耗(Qf > 85，OOOGHz)与良好的温度稳定性的微波介质陶瓷。本专利技术的低损耗微波介质陶瓷的一般表达式为xSrO yLn203 ZAl2O3,其中Ln =La, Nd 或 Sm, 25. Omol % ^ x ^ 44. Omol %，25. Omol % ^ y ^ 44. Omol %，25. Om本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈湘明，易磊，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：