控制二次谐波迁移的TM模介质谐振器制造技术

技术编号:8325026 阅读:329 留言:0更新日期:2013-02-14 06:03
本发明专利技术公开一种控制二次谐波迁移的TM模介质谐振器,所述介质谐振器是一个具有T形纵截面的实心台阶圆柱,该实心台阶圆柱的一端涂覆有金属层或两端均涂覆有金属层,实心台阶圆柱上部为第一实心圆柱,该实心台阶圆柱下部为第二实心圆柱,第一实心圆柱直径大于第二实心圆柱直径,第一实心圆柱与第二实心圆柱交界处为倒角圆弧区,第二实心圆柱高度大于4.5mm。本发明专利技术提供可以控制二次谐波迁移的TM模介质谐振器,该介质谐振器能将二次谐波抑制在远离主频带的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微波介质谐振器,属于互易性微波器件领域。
技术介绍
我国3G标准的公布,新一轮无线通信基础设施的部署已经全面铺开,其中,基站部署是重要的课题之一,在目前的移动通信中,移动通信基站的射频部分用滤波器与双工器谐振子大都采用镀银金属同轴腔,由于这种同轴腔的Q值有限(Qu约在3500),而且谐振频率温度稳定性很差(由金属腔固有的较大热膨胀系数所决定),为了使其频率不随环境温度的变化而产生较大的漂移,整个基站须工作在恒温环境,造成基站的体积庞大,能耗高,不适应低碳经济。而高Q值、小体积的TM模介质谐振器克服了以上缺陷,但目前常规设计的TM模介质谐振器普遍存在二次谐波离目标谐振频率较近的技术问题。以TD — SCDMA来 说,常规TM介质谐振器的二次谐波仅离目标谐振峰值60MHZ左右。导致用它来制成的滤波器或双工器的寄生通带离主频通带太近,造成了滤波器波形畸变,增加能量损耗,致使功率因数降低,影响通讯设备正常工作使用,制约快速发展。因此,能否使二次谐波远离主频通带成为滤波器与双工器发展的关键因素。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种控制二次谐波迁移的TM模介质谐振器,该介质谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制二次谐波迁移的TM模介质谐振器,其特征在于:所述介质谐振器是一个具有T形纵截面的实心台阶圆柱(1),该实心台阶圆柱(1)的一端涂覆有金属层或两端均涂覆有金属层(2),实心台阶圆柱(1)上部为第一实心圆柱(3),该实心台阶圆柱下部为第二实心圆柱(4),第一实心圆柱直径大于第二实心圆柱直径,第一实心圆柱与第二实心圆柱交界处为倒角圆弧区(5),第二实心圆柱高度大于4.5mm;所述实心台阶圆柱(1)相对介电常数为45、Q?为45000的介质陶瓷材料制成;所述实心台阶圆柱(1)由碳酸钙、氧化铝、氧化钕、二氧化钛组成,该组合物各组分质量百分含量具体为:??????碳酸钙??????????????...

【技术特征摘要】
1.一种控制二次谐波迁移的TM模介质谐振器,其特征在于所述介质谐振器是一个具有T形纵截面的实心台阶圆柱(1),该实心台阶圆柱(I)的一端涂覆有金属层或两端均涂覆有金属层(2),实心台阶圆柱(I)上部为第一实心圆柱(3),该实心台阶圆柱下部为第二实心圆柱(4),第一实心圆柱直径大于第二实心圆柱直径,第一实心圆柱与第二实心圆柱交界处为倒角圆弧区(5...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱田中
申请(专利权)人:张家港保税区灿勤科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1