电擦除只读存储器兼作读/写用途方法和电路技术

一种电擦除只读存储器兼作读／写用途的方法和电路，它是在将ＥＥＰＲＯＭ同中央处理电路（包括ＣＰＵ、ＭＰＵ和单片机电路）连成系统时，ＥＥＰＲＯＭ中只有部分存储段用作读／写（ＲＡＭ）区，另一部分存储段则被用作只读（ＲＯＭ）区。只读区中已经写入的信息不能在连成的系统中被改写。此种用法的优点在于：可将用户可编程序系统中的存储器减至一片，既节省了存储器，又简化了印刷电路板，使成本降低，电路可靠性提高。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微计算机的存储器系统，特别是涉及使用EEPROM的信息写入和读出电路。现有技术广泛使用半导体存储器，只读存储器(ROM)和读/写存储器(RAM)到处可见，在微计算机和仪器仪表的存储器系统中，“用电可擦除的可编程序只读存储器”(EEPROM)也不罕见。这种用电可擦除的存储器比之用紫外光可擦除的EPROM使用起来要方便些。但是这种EEPROM价格不便宜，却通常只用作只读存储器或读/写存储器。如果能用一片EEPROM，在外围电路上适当作些改变，使之兼具只读和读/写双重功用，那么就可以将用户可编程序系统中的存储器减至一片。简化了印刷电路板，也降低了成本。有关EEPROM这样使用的方法和构成电路，尚未见过有报导。本专利技术的目的在于避免上述现有技术不足之处而提供一种令EEPROM发挥双重功用的方法和电路，就是说，本专利技术提供的方法和电路，可以只用一片EEPROM兼具ROM和RAM双重功用。本专利技术的目的可以通过以下措施来达到创造一种电擦除只读存储器兼作读/写用途的方法，这就是，在EEPROM同中央处理电路(包括CPU、MPU和单片机电路)连成系统时，EEPROM中只有部分存储段用作读/写(RAM)区，另一部分存储段则被用作只读(ROM)区。只读区中已经写入的信息不能在连成的系统中被改写。本专利技术的目的还可以通过以下措施来达到设计一种电擦除只读存储器兼作读/写用途的电路，包括EEPROM本身，例如2864，以及与其连成系统的中央处理电路，例如单片机MCS-8031，除此之外，系统中还有I/O接口电路，例如8155，以及D锁存器，例如74LS373。附图电路是本专利技术电擦除只读存储器兼作读/写用途的方法的一个最佳实施例，其中中央处理电路用的是单片机MCS-8031，EEPROM2864在这里兼具ROM和RAM双重功用。现在结合附图所示之最佳实施例对本专利技术作进一步详述。附图电路的系统中2864被用作外存储器。为在其中获得所述只读(ROM)区，可以将中央处理电路的写线(WR或WE)通过一个或门接入EEPROM的读/写端WE，该或门的另一输入端则由中央处理电路相应于所述EEPROM只读区存储段地址的地址线经译码后的输出信号控制。此处就是将8031的WR端通过或门G1连至2864的WE端。G1的另一输入端则由8031的地址线A12经非门G2连接，于是当A12为低电平时，2864的WE端不论8031的WR端电平是高还是低，都能保持高电平，从而保证所述系统中2864的0000H-0FFFH段为只读(ROM)存储区，而1000H-1FFFH段为读/写(RAM)存储区。EEPROM读/写线WE在响应低电平写入信号时，在约有5毫秒时间不对外作出响应。为防止中央处理电路对EEPROM地址线寻址失控，可在EEPROM的所述读/写区被写入时，将其WE端的低电平写入信号延长5毫秒以上，将此被延长的低电平信号直接作用于中央处理电路的复位线(RESET)、单步线(SS)或等待线(WAIT)。为了同样目的，还可以利用某些同中央处理电路接口方便且包含一定数量存储单元的I/O接口电路。在EEPROM的所述读/写区被写入时，先将要写入的程序导入I/O电路的存储单元，在循环5毫秒以后再其使返回EEPROM中预定的存储段。在本专利技术的实施例中，是用8155作为I/O接口电路，将单片机8031的读线(RD端)和存储请求线(PSEN端)通过与门G4连至8155的读线(RD端)上，使得8155中的256字节RAM成为8031的程序/数据两用区。对EEPROM2864可写入部分的操作是这样的先将要写入的程序由ROM区传送到8155的RAM区中，然后将程序跳转到8155RAM中的写入程序首地址。对EEPROM的写入操作完成后，程序继续在8155RAM中循环，5毫秒后再跳转到EEPROM中，从而避开了EEPROM完成写入操作时有5毫秒对外部不作响应的时间，保持8031操作程序正常工作。同现有技术相比，本专利技术的优点在于可将用户可编程序系统中的存储器减至一片，这样不但节省了存储器，而且简化了印刷电路板，缩小了印刷电路板面积，降低了成本，并相应提高了电路工作的可靠性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电擦除只读存储器兼作读／写用途的方法，其特征在于：将ＥＥＰＲＯＭ同中央处理电路（包括ＣＰＵ、ＭＰＵ和单片机电路）连成系统时，ＥＥＰＲＯＭ中只有部分存储段用作读／写（ＲＡＭ）区，另一部分存储段则被用作只读（ＲＯＭ）区，只读区中已经写入的信息不能在连成的系统中被改写。

【技术特征摘要】
1.一种电擦除只读存储器兼作读/写用途的方法，其特征在于将EEPROM同中央处理电路(包括CPU、MPU和单片机电路)连成系统时，EEPROM中只有部分存储段用作读/写(RAM)区，另一部分存储段则被用作只读(ROM)区，只读区中已经写入的信息不能在连成的系统中被改写。2.按照权利要求1所述的电擦除只读存储器兼作读/写用途的方法，其特征在于为获得所述只读(ROM)区，可以将中央处理电路的写线(WR或WE)通过一个或门接入EEPROM的读/写端WE，该或门的另一输入端则由中央处理电路相应于所述EEPROM只读区存储段地址的地址线经译码后的输出信号控制。3.按照权利要求2所述的电擦除只读存储器兼作读/写用途的方法，其特征在于在EEPROM的所述读/写区被写入时，可将其WE端的低电平写入信号延长5毫秒以上，将此被延长的低电平信号直接作用于中央处理电路的复位线(RESET)、单步线(SS)或等待线(WAIT)，以防止中央处理电路对EEPROM地址线寻址失控。4.按照权利要求2所述的电擦除只读存储器兼作读/写用途的方法，其特征在于在EEPROM的所述读/写区被写入时，为防止中央处理电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周东进，
申请(专利权)人：周东进，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]