半导体存储器件制造技术

提供一种半导体存储器件，在正常访问方式下能抑制读出放大器的峰值电流，并能实现高速访问，其包括两种读出放大器以及控制激活启动和完成时间的读出放大器控制电路。根据访问方式，读出放大器的激活启动和完成时间由读出放大器控制电路使其漂移，可以将ＡＴＤ产生的一次脉冲信号修改为可选的脉冲宽度，改变在正常访问方式中得到数据的传输路径，通过页面解码器、读出放大器选择电路和锁存选择器选择的路径传输页面访问方式中得到的数据。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及诸如ROM(只读存储器)这样的半导体存储器件。本专利技术基于日本专利申请No.平9-204907，在这里作为参考引入其内容。通常，在这种类型的普通半导体存储器件中，提供一种读取特定地址数据的高速读取方式，其中通过在存储单元矩阵中读取多个数据后将页面解码器的地址数据进行转换而执行读取，并传送给并行的读出放大器。由此，通过在页面访问方式中传输数据地址进行高速读取操作。附图说明图11是作为具有页面访问方式的ROM(只读存储器)的一个例子，包括页面访问方式的常规四位半导体存储器件的结构方框图。如该图所示，常规的ROM提供有地址缓冲器电路100、CE缓冲器电路101、存储单元矩阵107、X解码器103、Y解码器104、Y选择器、读出放大器电路110、页面解码器102、读出放大器选择电路150和输出缓冲器113。地址缓冲器电路100接收来自外部的地址输入信号AD0-ADn，CE缓冲器电路101接收来自外部的控制信号CE。存储单元矩阵107存储并保持存储数据。X解码器103沿存储单元矩阵107的字线方向选择数据。Y解码器104和Y选择器108沿数字线方向选择数据。用CE缓冲器电路101的输出控制信号CEB预充电选择的存储单元矩阵107的数字线后，读出放大器110读取并检测存储在存储单元矩阵107内的数据信息。页面解码器102接收用于页面访问方式的输出地址信号作为输入信号，并对多个读出放大器电路110的输出信号加以选择。读出放大器选择电路150选择由页面解码器电路102选择的读出放大器电路100的输出信号并输出该选择的信号。输出缓冲器113将选择电路150输出的数据输出到输出端114。下面介绍具有四位页面访问方式的常规存储器件的取读操作。一般来说，在具有页面访问方式的半导体存储器件的读取功能中有两种类型的读取方式，例如正常的访问方式和页面访问方式，通过快速切换地址读取数据的访问功能称做页面访问方式功能。首先，介绍正常的访问方式。通过下面的步骤进行使用正常访问方式的数据读取操作。将地址输入信号AD0到ADn和来自外部的控制信号CE设定到激活状态(当CEB信号为L时激活)后，然后将4位存储单元矩阵中的数据读取到四个读出放大器电路110，即SA0到SA3，然后输出使用页地址AD0到ADn选择的一位数据。在正常的访问方式中需要的第一访问时间设定为tACC或tCE。接下来，介绍页面访问方式。通过下列的步骤进行使用页方式的数据读取操作。使用正常访问方式的读取操作完成后，通过仅切换页地址AD0和AD1，通过输出缓冲器113处理页面解码器102的输出信号PSm(m＝0，1，2，3)和由页选择电路150选择的读出放大器电路110的输出信号SAoutm(m＝0，1，2，3)，数据OUTn(n＝0，1，2-n)输出到输出端114。此时，由于数据已传输并确定在读出放大器电路中后进行数据读操作，因此可以得到高速读取。使用页面访问方式读取需要的第二访问时间设定为tPAC。一般来说，访问时间tPAC远快于使用正常访问方式的访问时间，可以实现访问时间tPAC在tACC或tCE的1/2或1/3范围内。如前所述，在具有使用页面访问方式读取电路的常规读电路中，通过激活多个读出放大器电路，仅有由页选择电路150选择的读出放大器电路110的输出信号SAoutm借助后面输出缓冲器113输出到输出端114，作为数据OUTn(n＝0，1，2-n)。由于有必要在备用状态中维持未被页选择电路150选中的选择放大器电路110的输出信号直到它们转变为选中状态，因此在读出放大器电路中的电流消耗很大。这里，在读出放大器电路110中流动的电流波形显示为图12中的ISA和ISAA。ISA表示对应于一个读出放大器110在访问时间内的电流波形，ISAA表示对应于一个输出在访问时间内的电流波形。在常规的器件中，由于器件包括与四位页面访问方式相同电流容量的读出放大器电路110，ISA和ISAA之间的关系可表示为ISAA＝4*(ISA)，ISAA为ISA的四倍。而且，读出放大器电路中流动的电流波形差异取决于访问方式，一般来说，有三种类型的访问方式。下面介绍不同访问方式中的读出放大器电路的电流波形。第一种访问方式为备用状态，显示在图12中的区域tA1和tA4；第二种访问方式为正常访问方式，显示在区域tA2内；第三种访问方式为页面访问方式，显示在区域tA3内。第一时序区域tA1和tA4为等待方式，此时，电路中的逻辑结构使电路中没有电流流动。第二时序区域tA2为正常访问方式的区域。在该区域中，所有的读出放大器电路110被激活，当存储器矩阵107中的Y解码器104和Y选择器108选中的字线开始预充电操作，向峰值电流I1不断增加的大电流在局部区域AI1内流过读出放大器电路110，直到预充电操作完成。在局部区域AI1内流过的电流的总和对应于数字线的电荷量。而且，由于数字线的预充电操作完成后维持激活状态，所以有稳定电流I2流动。如果在正常访问方式中需要更高读取速度tACC或tCE，那么提高读出放大器电路110的预充电容量成为可能。然而，预充电容量的增加伴随与数据读取速度tACC或tCE成正比的峰值电流I1和稳定电流I2的增加。第三时序区域tA3为页面访问方式的区域。虽然在该区域内没有发生切换，为了在备用状态必须维持读出放大器电路的输出信号SAoutm，所以有稳定电流I2流动。在上文对每种访问方式的一个读出放大器电路110中流过的电流进行了说明，在所有读出放大器电路中流过的电流ISAT可以表示为ISAT＝ISA*m*n其中，ISA为在读出放大器电路中流过的电流值，m为读出放大器电路中的页面数，n为输出的数据数。读出放大器电路数为m*n。因此，增加读出放大器电路的页面数m或输出数据n的数目，在读出放大器电路110中流过的电流ISAT的峰值电流Ipmax和稳定电流Ismax也将增加。因此，由于峰值电流Ipmax和稳定电流Ismax增加，电源电压VCC和地电势GND的波动幅度将增加。而且，近来，存在增加页面数m和输出数据的数目n以提高存储器件的功能的趋势。在上文，作为常规方法的第一个例子，介绍了不采取任何装置阻止峰值电流和稳定电流增加，用于控制常规器件的页面访问方式操作的措施。提供有阻止电流增加装置的另一种常规的控制措施公开在日本专利申请，第一次公开No.平8-55470和日本专利申请，第一次公开No.平7-211077。这些措施将在下文介绍，简要对比以上第一常规措施，作为第二和第三常规措施。公开在日本专利申请，第一次公开No.平8-55470的第二常规措施根据访问方式通过在偏置电路中切换反馈型反相器电路的驱动容量，减小电流消耗。图13为半导体存储器件的结构框图，该存储器件具有四位页方式，作为包括页面访问方式ROM的第二常规例子。第一和第二存储器件的差别在于第二存储器件包括两种类型的反相电路(电路图未示出)，这两种类型的反相器电路在偏置电路中的反馈反相器电路中具有不同的驱动容量，用于放大读出放大器电路110中数字线的电势，并且使用提供在地址缓冲器电路100和读出放大器电路110之间的读出放大器控制电路106，根据访问方式切换读出放大器电路的驱动容量来控制驱动容量。在所述第二结构中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提供有页面访问方式的半导体存储器件，包括：多个存储单元；Ｙ选择器，用于在多个数字线中选择一个或多个数字线；多个读出放大器电路，用于放大通过所述Ｙ选择器读取的数据；选择器，用于在所述多个读出放大器中选择一个读出放大器，并将 该读出放大器电路的数据传输到输出缓冲器；以及控制电路，用于控制所述多个读出放大器电路和所述选择器；其特征在于所述器件还包括：在正常访问操作中使用的读出放大器，其尺寸上与所述多个读出放大器不同，用于检测在正常访问操作中读取的数据； 以及在页访问操作中使用的读出放大器，用于检测在页访问操作中读取的数据；其中所述控制电路进行切换以激活正常访问操作中的所述读出放大器。

【技术特征摘要】
JP 1997-7-30 204907/971.一种提供有页面访问方式的半导体存储器件，包括多个存储单元；Y选择器，用于在多个数字线中选择一个或多个数字线；多个读出放大器电路，用于放大通过所述Y选择器读取的数据；选择器，用于在所述多个读出放大器中选择一个读出放大器，并将该读出放大器电路的数据传输到输出缓冲器；以及控制电路，用于控制所述多个读出放大器电路和所述选择器；其特征在于所述器件还包括在正常访问操作中使用的读出放大器，其尺寸上与所述多个读出放大器不同，用于检测在正常访问操作中读取的数据；以及在页访问操作中使用的读出放大器，用于检测在页访问操作中读取的数据；其中所述控制电路进行切换以激活正常访问操作中的所述读出放大器。2.根据权利要求1的半导体存储器件，其中用于检测在正常访问操作中读取数据的所述正常访问读出放大器的驱动容量设定在高电平。3.根据权利要求1的半导体存储器件，其中用于检测在页访问操作中读取数据的所述页访问读出放大器的驱动容量设定在低电平。4.根据权利要求1的半导体存储器件，其中所述器件还包括用于页访问操作的所述读出放大器，其数目与用于正常访问操作读出放大器的数目相同并提供有相同数目的页面数；读出放大器选择器，其中所述控制电路选择并激活要在正常访问方式操作中激活的读出放大器。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木宏一，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]