非易失性存储器的数据写入制造技术

一种把数据写入到在集成电路装置中的非易失性存储器的方法，该装置具有：一个用来临时与终端相连的接口；一个微处理机；一个随机存储器及非易失性存储器，该方法包括给写写数据分配一个非易失性存储器的第一区域，分配民用于写状态信息的非易失性存储器的第二区域，实行一个数据写操作，把数据写到所述第一区域，而且，只在如果数据写操作是满意地执行时，写信息到所述第二区域作为一个有效数据。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器的数据写入。所谓非易失性存储器是一种无需维持电源而能保持数据的存储器。具体地说，本专利技术涉及把数据写入到便携式集成电路装置内的存储器中，此时，所述集成电路装置通过与其配接的终端设行临时相连来输入和输出数据。这种便携式集成电路的一个例子是称之为“灵巧插卡”的集成电路卡(ICC)。灵巧插卡经接口与终端设备相连，由此将电源、时钟信号、复位信号及串行数据信号加到灵巧插卡上。通常，该接口与一组电触点相结合，以实现临时电连接。然而，现已有人建议采用电磁感应技术来施加电源。按照这种方案，可通过电磁或红外，或超声技术来实行的时钟、复位和数据信号的耦合。便携式集成电路装置并非一定做成卡片形的。不管其形状如何，我们均称这种装置为集成电路卡(ICCs)。使用ICCs遇到的困难之处是在写数据的过程中，由于电源的瞬态响应或失效而影响接口工作，从而会干扰对ICC的数据写入操作，而复位或时钟信号可能造成错误的写入。特别适合于本专利技术的灵巧插卡的应用场合是财务金额或“电子现款”转帐系统。此时，灵巧插卡中的数据代表了可以与银行联机和在插卡之间脱机进行转帐的金额。这种系统在专利Wo 91/16691和Wo 93/08545中曾有介绍。此时，至为重要的是不会由于是意外的或人为拨动电源线或数据线而发生错误的数据写入。本专利技术可提供对这问题的解决方案。本专利技术提出了一种向在集成电路装置中的非易失性存储器写入数据的方法。该电路装置有一个用于与终端单元，微处理机，随机存储器和非易失性存储器临时连接的接口；该方法包括分配一个非易失性存储器第一区域，用以写入数据；分配一个非易失性存储器第二区域，用于写入写状态信息；实行把数据写到所述第一区域的数据写入操作；及如果且只是如果数据写入操作在满意实行时向所述第二区域写入表明有效数据写入的写状态信息。在微处理机环境下，例如在RAM的各区之间及从RAM至EEPROM有许多用于传送数据和程序信息的复制和写步骤。在操作系统级别或更高级别的情况下，通常用到可用来验证复制或写操作是否有效的验证技术。这可能包含将复制的或写入的材料与原来的材料自动进行比较，或者更为常见的是，配有一个校验和例行程序，该程序在数据上加上一个或多个校验和比特，按照特定的算法，与数据建立一种关联，可以证实确没有发生过写或复制讹误。如果被检查出之化误，则重复操作，直至运行满意为止。本专利技术并不在乎有无这种技术，如果使用了这种技术，本专利技术也可其一起应用。但是，这种自备的技术可以用作为判别写操作是否被满意进行的基础，以便在所述存储器的第二区域写入适当的信息。于是，例如，如果利用提供的已自备的写验证技术成功地将数据写入到了ICC中，那未写过程的结论可看作代表了可允许把适当的数据写入到存储器的第二区域的满意写入。近来用于大多数灵巧插卡的非易性存储器是一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，本专利技术特别适用于它但不限于它。就读写步骤而言，EEPROM通常被分成页，而读或写每次只在一页上进行。可以预料，瞬态写错误可能会污损某一页上的内容，但不会污损其它页的内容。因此，所述第一和第二区域最好是在不同的页面上。本专利技术可使非易失性存储器记录是否在装置上有显著的写错误并当装置再次使用时对一个复位信号作出反应。通常，采用ISO 7816协议来支配复位的性质，对请求的答复，电源与时钟信号写。如果错误是瞬时的，则可以立刻施加复位信号，以使中断的事务处理再继续。如果不是那样，下次施加复位信号，以试图使用该装置。根据本专利技术的一个优选实施例，提供了一种应用数据已如前所述被写入的集成电路装置的方法，在该装置的非易失性存储器中包括一个用来控制微处理机在正常环境下运行一个特定应用程序，该应用方法包括如下步骤起动读非易失性存储器的所述第二部分以从中取出写状态信息，且如果写状态信息表明为一个不完整的写操作，则绕过该应用程序。于是，当在灵巧插上学(例如)发生显著的写错误时，相应的措施可以是通过不运行该应用程序而使插卡无效，这称为插卡的软件无效法，还可能采用硬件无效法，即向插卡的熔丝链路提供一过载电流而熔断熔丝而使插卡无效。然而，使插卡无效是很浪费的，比较好的方法是当检测出不完整写操作时，实行数据恢复步骤以使装置复原到如存储器的第二区域所反映的最后数据写入是正确的状况。如果数据恢复步骤失败，则再实行如前所述的软件或硬件至效步骤。作为一个实现本专利技术非局限性的例子，下面提出三种具体的方法。方法1根据本方法，给非易失性存储器配置如下的各独立的区域(a)一个序列寄存器，即上述的存储器的第二区域；(b)一个数据复制缓冲器；(c)一个长度寄存器；及(d)一个地址寄存器。并且把RAM或非易失存储器的一个区域分配为数据增量缓冲区，所述非易失存储器的第一区域是用来写入存储器区域(c)和(d)的数据的长度和地址标识的，所述写的方法包括1.保证缓冲区(e)包含一个有效数据增量；2.把待修改的数据的副本放入缓冲器(b)；3.增量寄存器(a)；4.以缓冲区(e)的数量增量在存储器第一区的数据，并把该增量写入到存储器的第一区；及5.增量序列寄存器(a)。用此方法，当寄存器(a)表明恢复是必要时，其恢复的步骤包括由缓冲器(b)将原来的(未修改的)的数据复制到存储器的第一区域。这将状态复原到错误操作发生前的状态。方法2本方法将非易失性存储器的各个区域作如下分配。(f)一个写当前标志寄存器，它是存储器的所述第二区域；(g)一个工作空间指示字寄存器；(h)一个长度寄存器；及(i)一个数据指示字寄存器。还有将RAM或非易失存储器的一个区域分配为(j)一个新数据指示字寄存器，所述非易失性存储器的第一区域是以写入到存储器(g)和(h)的数据的长度和位置来进行识别，所述写的方法包括(1)将寄存器(g)的工作空间指示字设定到足以容纳相应于寄存器(h)中的长度组的一组邻接的数据组的非易失存储器工作空间的地址；(2)给工作空间复制由在(j)的新数据指示字所指地址和由在(h)的长度数据的长度标识的新数据副本；(3)在(f)设定写进行标态；(4)工作空间地址设定数据指示字寄存器地址；(5)清除寄存器(f)的写进行标志。这里，恢复步骤包括重复最后两个步骤(4与5)，因为一个错误表示了数据指示字寄存器已被适当地写入了。方法3该方法以下列方式分配非易失性寄存器的各个区域(k)一状态标志寄存器，即所述存储器的第二区域；(l)一长度寄存器；(m)一个地址寄存器；及(n)一个更新复制缓冲器。所述的非易失存储器的第一区域是以写在寄存器(l)和(m)的长度和位置来标识的，所述写的方法包括1.把要写入的数据复制到缓冲器(n)中；2.在寄存器中设定状态数据；3.把要写入的新数据写入到所述非易失性存储器的第一区域；4.清除寄存器(k)的状态标态。这里，新数据通常是直接由RAM写入的，并给更新复制缓冲器取得副本。如果要求恢复，则因为它是在(n)保存的新数据，所以恢复步骤给在EEPROM(例如)中的所要求的地址复制此新地址。下面参考附图对本专利技术作进一步描述。附图说明图1是具有用以实现本专利技术的数据写和恢复的第一方法的EEPROM的灵巧插卡的示意图；图2是用于图1的插卡的方法的流程图；图3是类似于图1但对应于本专利技术的数据写和恢复的第二方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种把数据写入到在集成电路装置中的非易失性存储器的方法，该装置具有一个用来临时与终端相连的接口；一个微处理机；一个随机存储器及非易失性存储器，该方法包括给写写数据分配一个非易失性存储器的第一区域，分配民用于写状态信息的非易失性存储器的第二区域，实行一个数据写操作，把数据写到所述第一区域，而且，只在如果数据写操作是满意地执行时，写信息到所述第二区域作为一个有效数据。2.一种如权利要求1所述的把数据写到非易失性存储的方法，其中非易失性存储器被分为页，写操作每次只在一页上进行，而所述存储器的第一和第二区域是在不同的页上。3.一种如权利要求1或2所述的把数据写到非易失存储器的方法，其中非易失性存储器是电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。4.一种利用其间数据已按权利要求1至3中任一权利要求所这的方法写入的集成电路装置的方法，该装置的非易失性存储器中有一个用来控制微处理机在正常环境下运行一个特定的程序，该利用方法包括初次读该非易失存储器的所述第二部分以从中获取写状态信息，并且如果写状态信息指示一个未不完整的写操作，则绕过此应用程序。5.一种如权利要求4所述的利用集成电路的方法，还包括当检测到一个不完整的写操作时，实行数据恢复规程，使装置恢复到最后数据是正确且在存储器的第二区域反映该时状态。6.一种如权利要求5所述的利用集成电路的方法，还包括这一步骤监视数据恢复规程，并当数据恢复规程失败时使应用程序不可能运行。7.一种如权利要求6所述的应用集成电路的方法，还包括步骤如果数据恢复步骤失败，则永久废弃应用程序。8.如权利要求5-7中任一权利要求之一所述的一种应用集成电路的一种应用集成电路的方法，其中所述存储器的第二区是一个状态寄存器，所述状态信息代表了多步操作序列的最后满意地进行的那步操作，并且如状态寄存器指示的由其失败的那步开始实行所述数据恢复规程。9.一种如权利要求8所述的应用集成电路的方法，其中非易失存储器的各个区域分配如下a)一个序列寄存器，即所述存储器的第二区域；b)一个数据复制缓冲器；c)一个长度寄存器；及d)一个地址寄存器；并指定RAM或非易失性存储器的一个区域作为(e)一个数据增量缓冲区，所述非易失存储器的第一区域以长度和以由写入存储器(c)和(d)的数据的地址识别，所述写方法包括1.确保缓冲器(e)包含一有效数据增量；2.把要修改的数据副本置于缓冲器(b)中；3.增量寄存器(a)；4.以在缓冲器(e)的量增益存储器第一区...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·B·艾弗列特，K·M·杰克逊，I·米勒，
申请(专利权)人：蒙德克斯国际有限公司，
类型：发明
国别省市：