半导体存储装置制造方法及图纸

在接通电源时，即使电源接通检测信号以不完全的形式产生时，也能防止设定在测试模式状态。模式设定信号发生电路（５ａ）根据外部信号将模式设定信号激活。测试模式激活信号发生电路（５ｂ）根据该模式设定信号的激活取入地址信号Ａｄｄ，并将测试模式激活信号ＴＭＥ驱动到激活状态。初始化电路（５ｃ），根据该电源接通检测信号ＺＰＯＲ的不完全激活，将测试模式激活信号ＴＭＥ保持在非激活状态。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储装置，尤其是产生使该半导体存储装置处于测试模式的测试模式激活信号的部分的结构，更为具体地说，本专利技术涉及测试模式激活信号发生部在接通电源时用于初始设定的结构。在同步型半导体存储装置等半导体存储装置中，为保证产品的可靠性需进行各种测试。在上述测试中，有在产品出厂时暴露潜在的缺陷以辨别初期不合格的缺陷产品的筛选测试及对多位存储单元同时进行测试以便在短时间内检测存储单元的合格/不合格的的多位测试模式等。在该筛选测试中，有使半导体存储装置在与正常动作条件相比的高温和高压条件下动作的老化模式。这些测试模式都是在产品出厂前进行的动作模式。实际上，在用户使用的系统中，并不使用这些测试模式。在实际使用半导体存储装置的系统中，如该半导体存储装置进入测试模式，则半导体存储装置的内部状态将变得与正常动作模式时的状态不同，因而有可能发生动作故障。为了在上述实际使用时使半导体存储装置不能进入测试模式，通常是以在实际使用时的正常动作模式中不使用的多个外部信号状态的组合设定测试模式。但是，在接通电源时(开始对半导体存储装置施加电源电压时)，在内部电路中存在着例如象锁存电路或触发电路那样的不能预先确定初始输出电压的结点或保持浮置状态的内部结点，这些内部结点的电压在接通电源时是不确定的。在这种情况下，如根据这些电压电平不确定(不能预先确定其在接通电源后的电压电平)的结点的电压电平设定进入测试模式的定时条件，则该半导体存储装置就有进入测试模式的可能性。为了可靠地对这种不确定的内部结点的电压电平进行初始设定，为了在接通电源时用于将这种不确定的结点初始设定(复位)为规定电压电平，采用着电源接通检测信号POR。附图说明图13是简略地表示现有的测试模式激活信号发生电路的结构的图。在图13中，测试模式激活信号发生电路100包含三态反相缓冲器100a，当模式设定指示信号MSET及ZMSET激活时变为启动状态，使从外部供给的特定地址信号位Add反相且进行缓冲处理，并传送到内部结点NA；及测试模式激活信号输出电路100b，根据该内部结点NA的电压输出测试模式激活信号TME，且当模式设定指示信号MSET及ZMSET激活时，将该测试模式激活信号TME锁定。当模式设定指示信号MSET及ZMSET变为非激活状态时，三态反相缓冲器100a变为高输出阻抗状态。测试模式激活信号输出电路100b包含反相器100ba，将结点NA上的信号反相后传送到结点NB，并产生测试模式激活信号TME；及三态反相缓冲器100bb，当模式设定指示信号MSET及ZMSET激活时被激活，并将结点NB上的信号传送到结点NA。当模式设定指示信号MSET及ZMSET变为非激活状态时，该三态反相缓冲器100bb也变为高输出阻抗状态。测试模式激活信号发生电路100还包含一个p沟道MOS晶体管102，响应电源接通检测信号ZPOR的激活，将电源结点NV与内部结点NA电气连接。该电源接通检测信号ZPOR，在电源结点NV上施加电源电压Vcc且其电压电平达到规定电压电平或变为稳定状态之前，保持L电平的激活状态。下面，参照其时间图即图14说明在该图13中示出的测试模式激活信号发生电路100的动作。在同步型半导体存储装置中，动作模式由时钟信号CLK上升时外部信号的状态组合指定。在时钟周期#a中，在时钟信号CLK的上升沿，行地址选通信号ZRAS、列地址选通信号ZCAS、及允许写入信号ZWE，都设定为L电平。该状态称为模式设定命令，被指定为与正常动作模式不同的模式。当施加该模式设定命令时，将特定的地址信号位Add设定为H电平。当施加该模式设定命令时，模式设定指示信号MSET变为规定时间的H电平，使在图13中示出的三态反相缓冲器100a动作，在使该地址信号位Add反相后传送到内部结点NA。传送到该内部结点NA的信号，由反相电路100ba反相后传送到内部结点NB，使测试模式激活信号TME变为H电平。在该测试模式激活信号发生电路100b中，三态反相缓冲器100bb以与三态反相缓冲器100a互补的方式动作，并当模式设定指示信号MSET变为L电平的非激活状态时，三态反相缓冲器100bb变为动作状态，该反相器100ba和三态反相缓冲器100bb构成锁存电路。因此，将测试模式激活信号TME保持在H电平的激活状态。当该测试模式激活信号TME在时钟周期#a中变为H电平的激活状态时，该半导体存储装置进入测试模式(测试模式入口)。接着，从下一个时钟周期#b开始进行规定的测试动作(测试周期期间)。在该测试周期期间，三态反相缓冲器100a为高输出阻抗状态，另一方面，三态反相缓冲器100bb，作为反相器而动作，因此，使测试模式激活信号TME变为H电平。在时钟周期#c中，在由该测试模式激活信号TME激活的测试动作结束后，在时钟周期#d中，再次施加模式设定命令，使模式设定指示信号MSET变为规定时间的H电平。三态反相缓冲器100a变为动作状态，而三态反相缓冲器100bb变为高输出阻抗状态。因此，将H电平的信号传送到内部结点NA，相应地使测试模式激活信号TME变成L电平的非激活状态。当模式设定指示信号MSET下降到L电平时，三态反相缓冲器100a变为高输出阻抗状态，而三态反相缓冲器100bb变为动作状态，并将测试模式激活信号TME保持在L电平。因此，使测试模式复位，随后，进行其他模式的动作。上述动作，在电源电压Vcc被接通，电源电压Vcc变为稳定状态时进行。以下，说明该电源接通时的测试模式激活信号发生电路100的动作。在接通电源时，三态反相缓冲器100a处在高输出阻抗状态，而测试模式激活信号发生电路100b构成锁存电路。在这种状态下，内部结点NA上的初始状态电压电平由电源接通时的锁存电路(反相器100ba和三态反相缓冲器100bb)的状态决定。此时，如图15所示，在时刻t0，在接通电源后，结点NV上的电源电压Vcc渐渐地上升。测试模式激活信号发生电路100b的锁存状态，在电源接通时是不确定的，因此，内部结点NA及测试模式激活信号TME的电压电平也成为不确定的状态(如图15中用虚线所示的其电压电平渐渐地上升)。其原因是，在初始状态中反相器100ba和三态反相缓冲器100bb都处在过渡区域并消耗直通电流，其输出电压电平为不确定状态。在时刻t1，在电源电压Vcc到达规定的电压电平之前的时间里，电源接通检测信号ZPOR保持在L电平，因此，p沟道MOS晶体管102相应地导通，使内部结点NA与电源结点NV电气连接。由于该MOS晶体管102的导通，内部结点NA的电压电平被设定为H电平，并设定测试模式激活信号发生电路100b的锁存状态的初始状态，内部结点NA变为H电平，内部结点NB变为L电平。在时刻t1，该电源接通检测信号ZPOR上升到H电平，即使MOS晶体管102变成非导通状态，但内部结点NA和NB仍通过反相器100ba和三态反相缓冲器100bb的锁存电路而变化，内部结点NA随着电源电压Vcc的电压电平的上升而上升到H电平，另一方面，内部结点NB上的测试模式激活信号TME则随着该内部结点NA的电压电平的上升而下降到L电平。因此，当电源电压Vcc最终到达规定的电压电平Va时，内部结点NA变为电压Va电平的H电平，测试模式激活信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，备有：测试模式激活信号发生装置，根据来自外部的信号，产生指定特定测试动作模式的测试模式激活信号；电源接通检测装置，与电源结点连接，响应电源电压对上述电源结点的接通，输出应变成规定时间激活状态的电源接通检测信号；及初始化装置，与上述测试模式激活信号发生装置和上述电源接通检测装置连接，并响应上述电源接通检测信号的０次激活，将上述测试模式激活信号设定为非激活状态。

【技术特征摘要】
JP 1997-6-25 168675/971.一种半导体存储装置，备有测试模式激活信号发生装置，根据来自外部的信号，产生指定特定测试动作模式的测试模式激活信号；电源接通检测装置，与电源结点连接，响应电源电压对上述电源结点的接通，输出应变成规定时间激活状态的电源接通检测信号；及初始化装置，与上述测试模式激活信号发生装置和上述电源接通检测装置连接，并响应上述电源接通检测信号的0次激活，将上述测试模式激活信号设定为非激活状态。2.一种半导体存储装置，备有测试模式激活信号发生装置，用于产生可以根据来自外部的信号进行预定测试动作的测试模式激活信号；电源接通检测装置，与电源结点连接，响应来自外部的电源电压对上述电源结点的接通，输出应变成规定时间激活状态的电源接通检测信号；及初始化装置，与上述测试模式激活信号发生装置及上述电源接通检测装置连接，响应上述电源接通检测信号的激活，使上述测试模式激活信号发生装置启动，且当上述测试模式指示信号一次也没有被激活时，使上述测试模式激活信号发生装置停止。3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于，上述初始化装置备有复位装置，响应上述电源接通检测信号的激活，将上述测试模式激活信号复位为非激活状态；及保持装置，响应上述电源接通检测信号的0次激活，将上述测试模式激活信号保持在非激活状态。4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于上述测试模式激活信号发生装置包含测试模式信号传送装置，用于传送根据上述来自外部的信号特定出对内部结点的上述测试模式的模式特定信号；及模式信号输出装置，根据上述内部结点上的信号产生上述测试模式激活信号；上述初始化装置备有复位装置，响应上述电源接通检测信号的激活，将上述内部结点复位为规定电压电平的初始状态；及保持装置，含有锁存与上述电源接通检测信号对应的信号的装置，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：福田达哉，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]