【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种MOS-输出驱动器，该输出驱动器具有在一个半导体衬底中埋入的、某一导电类型的若干源区和若干漏区，这些区域在一个与某一导电类型相反的另一导电类型的槽中相互保持一定距离。在MOS-输出驱动器中出现输出驱动器的输出信号与衬底的强耦合，而且也出现这些输出驱动器的供电电压与相邻器件的另一些供电电压的强耦合，这种情况引起噪声问题。这样就出现扩散区如源区和漏区的耦合进入衬底。如果例如在输出端的电压出现上升，那么衬底也就被“提升”。但是因为衬底往往与芯片上的接地网络相连接，所以在衬底上的电压起伏，立即转换为接地网络的电位起伏。上述噪声问题可对装配输出驱动器的电路的良好运行造成不利影响。到目前为止，这个噪声问题没有以令人满意的方式被排除，在此至多进行的尝试是使MOS-输出驱动器的供电电压与相邻器件供电网络保持远的距离。因此本专利技术的任务是，提供一种MOS-输出驱动器，该种驱动器对衬底只有小的电容耦合。根据本专利技术，在开始所述类型的一种MOS输出驱动器中此项任务是如下解决的，即该槽由某一导电类型的一个屏蔽层所包围。其中，该槽以有利的方式配置一个另一导电类型的高掺杂接触区，于是保证给该槽提供良好接触。此外，在屏蔽层与各源区和各漏区以及高掺杂的接触区之间覆盖上厚的氧化物层，这些氧化物层同样用于实现只有小的电容耦合并从而减小噪声问题。在n导电的屏蔽层的情况下，此屏蔽层优先施加一个正偏正。本专利技术优先用于CMOS电路的输出驱动器，并且在这种电路中保证由输出驱动器到衬底有电容耦合的显著减少。下面借助附图进一步阐述本专利技术，在其唯一的附图中示出一个MOS输...
【技术保护点】
ＭＯＳ－输出驱动器，该输出驱动器具有在一个半导体衬底（９）中埋入的、某一导电类型的若干源区和若干漏区（１，２），这些区域在一个与某一导电类型相反的另一导电类型的槽（３）中相互保持一定距离，其特征在于，槽（４）由一种导电类型的一个屏蔽层（５；６至８）围住。
【技术特征摘要】
DE 1997-7-25 19732179.81.MOS-输出驱动器，该输出驱动器具有在一个半导体衬底(9)中埋入的、某一导电类型的若干源区和若干漏区(1，2)，这些区域在一个与某一导电类型相反的另一导电类型的槽(3)中相互保持一定距离，其特征在于，槽(4)由一种导电类型的一个屏蔽层(5；6至8)围住。2.按权...
【专利技术属性】
技术研发人员：H施内德尔，M布克，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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