【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种非易失性存储器，特别是关于一种可扩充式的非易失性存储器集成电路装置。随着电子产品轻薄短小的发展方向，非易失性存储器的应用也愈来愈普遍。附图说明图1表示非易失性存储器的内部构成，例如传统的快速存储器(flashmemory)，电可擦可编程存储器(EEPROM)，或多次编程存储器(MTP)，其主要包括一非易失性存储电路10，一控制单元22与电压发生电路24，其中非易失性存储电路10包括存储数据的核心存储器阵列11，以便选取存储单元的X方向解码器及驱动级12与Y方向解码器及驱动级13，控制数据进出存储器阵列11的Y方向传送门电路(pass gate)14，读取数据及写入数据所需的传感放大器(sense amplifier)及编程电路(programming circuit)15，作为存储器与外部的接口的输入/输出缓冲级16。控制单元22用以产生存储器在数据读取、编程及存储器清除时所需的各种信号。除此之外，控制单元22也在执行编程及清除动作时通过传感放大器的判定而传送各种相对的信号到编程电路。而电压发生电路24主要配合编程及清除或修正等动作产生所需...
【技术保护点】
一种可扩充存储器的集成电路装置，包括：至少一非易失性存储器集成电路，每一所述非易失性存储器集成电路含有一控制电路与一非易失性存储电路，所述易失性存储电路包括一存储器阵列及其解码器与驱动级，以及供所述存储器阵列存取数据所需的传感放大器及编程电路、输入／输出缓冲级；一外部数据总饯，连接所述非易失性存储器集成电路的所述输入／输出缓冲级；以及一共用电路，含有一电压发生电路可产生提供所述非易失性存储器集成电路操作所需对应的电压，及一控制单元经一选择线路连接所述非易失性存储器集成电路的所述控制电路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可扩充存储器的集成电路装置，包括至少一非易失性存储器集成电路，每一所述非易失性存储器集成电路含有一控制电路与一非易失性存储电路，所述易失性存储电路包括一存储器阵列及其解码器与驱动级，以及供所述存储器阵列存取数据所需的传感放大器及编程电路、输入/输出缓冲级；一外部数据总饯，连接所述非易失性存储器集成电路的所述输入/输出缓冲级；以及一共用电路，含有一电压发生电路可产生提供所述非易失性存储器集成电路操作所需对应的电压，及一控制单元经一选择线路连接所述非易失性存储器集成电路的所述控制电路。2.如权利要求1所述的装置，其中所述共用电路还包括一中央处理器连接一非易失性存储电路及一输入/输出级。3.如权利要求2所述的装置，其中所述共用电路为微控制器。4.如权利要求2所述的装置，其中所述共用电路为计算机。5.如权利要求2所述的装置，其中所述共用电路为数字信号处理器。6.如权利要求1所述的装置，其中所述选择线路经一并行选择信号从所述至少一非易失性存储器集成电路选取其中的非易失性存储器集成电路。7.如权利要求1所述的装置，其中每一所述非易失性存储器集成电路还包含一具辨识码的定址器，所述选择线路经一串行选择信号及所述辨识码从所述至少一非易失性存储器集成电路选取其中的非易失性存储器集成电路。8.如权利要求7所述的装置，其中所述定址器至少包含一次编程存储器。9.如权利要求7所述的装置，其中所述定址器至少包含多次编程存储器。10.如权利要求7所述的装置，其中所述定址器至少包含一熔丝。11.如权利要求7所述的装置，其中所述定址器至少包含一外挂元件。12.如权利要求7所述的装置，其中所述串行选择信号至少包含时钟信号及数据信号。13.如权利要求1所述的装置，其中所述非易失性存储器集成电路系快速存储器集成电路。14.如权利要求1所述的装置，其中所述非易失性存储器集成电路为电可擦可编程存储器。15.如权利要求1所述的装置，其中所述非易失性存储器集成电路为多次编程存储器。16.如权利要求1所述的装置，其中所述共用电路还包含一内部存储器阵列及其解码器与驱动级，以及供所述内部存储器阵列存取数据所需的传感放大器及编程电路、输入/输出缓冲级。17.如权利要求16所述的装置，其中所述共用电路为快速存储器集成电路。18.如权利要求16所述的装置，其中所述共用电路为电可擦可编程存储器。19.如权利要求16所述的装置，其中所述共用电路为电可擦可编程只读存储器。20.一种可扩充存储器的集成电路装置，包括一非易失性存储器阵列；一解码器与驱动级，以便选取所述存储器阵列的存储单元；一传感放大器及编程电路，用于对所述存储器阵列存取数据；一输入/输出缓冲级，作为所述存储器阵列与外部的输入/输出接口；一控制单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：游月娥，唐春安，
申请(专利权)人：AGC科技股份有限公司，义隆电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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