【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储装置，具体涉及不依赖外部的输入信号，可进行刷新操作的半导体存储装置。但是，近年来，携带终端的功能大幅的上升，即使是便携终端，也需要大容量的存储功能。SRAM的存储单元尺寸比动态型的半导体存储装置(以下称为DRAM)的尺寸大10倍左右，对于SRAM来说，存储容量一大，芯片价格就大幅上升，结果使便携终端的价格也随之上升。因此，人们考虑用单位比特成本低的DRAM取代SRAM用于便携终端。DRAM具有可以执行数据的读出和写入的操作状态和保持数据的等待状态，必须通过刷新来维持存储状态。因此，对于DRAM，需要执行刷新操作的复杂的存储器控制。所以，对于迄今为止将SRAM作为存储器来设计系统的便携终端生产商而言，用DRAM替代SRAM来使用并非易事。为此，存储器自身为DRAM而在外部却如SRAM那样操作的新型半导体存储装置的开发已经开始在各半导体生产商中盛行。KAZUHIROSAWADA等人在IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS(VOL23，NO，1，FEBRUARY1998，p12-19)上有关于这种新型半导体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有可执行数据的读出操作和写入操作的操作状态和保持所述数据的等待状态的半导体存储装置，其特征在于设有包含成行列状布置的多个存储单元的存储单元阵列，以及用以刷新所述多个存储单元保持的数据的刷新控制电路；所述刷新控制电路包括产生第一刷新周期的第一刷新周期产生电路，产生比第一刷新周期时间短的第二刷新周期的第二刷新周期产生电路，以及刷新执行电路，该电路在由第一刷新周期产生电路产生了第一刷新周期后，在刷新操作成为可能时执行刷新操作，并且在比第一刷新周期产生电路产生的第一刷新周期长的长期间内未执行刷新操作的场合，在所述长期间内或所述长期间结束时，基于第二刷新周期产生电路产生的第二刷新周期连续地执行刷新操作。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于所述刷新执行电路还包括测定电路，用以测定在比第一刷新周期长的长期间内未执行刷新操作的情况。3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于所述测定电路包括在请求了刷新操作的状态下对第一刷新周期进行计数的计数器，若计数器对第一刷新周期的计数结果在规定次数以上时，则测定为是所述的长期间。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于所述半导体存储装置在接收外部的输出使能信号或写入使能信号后，开始存储单元阵列的内部行系统操作；当外部的输出使能信号或写入使能信号持续长期间的激活状态，在比第一刷新周期产生电路产生的第一刷新周期长的长期间内未执行刷新操作的场合，外部的输出使能信号或写入使能信号成为去激活状态且内部行系统操作成为去激活状态的期间，所述刷新执行电路对那些跳过的基于第一刷新周期的刷新操作加以汇总，之后基于第二刷新周期执行刷新操作。5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于所述第二刷新周期在比第一刷新周期产生电路产生的第一刷新周期长的长期间内未执行刷新操作的场合，在刷新操作被执行时产生第二刷新周期。6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于所述半导体存储装置在接受外部地址变化后，开始存储单元阵列的内部行系统操作；当地址不变的状态持续，且在比第一刷新周期产生电路产生的第一刷新周期长的长期间未进行刷新操作的场合，所述刷新执行电路在外部的输出使能信号或写入使能信号成为去激活且内部的...
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