【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体内存装置,尤其涉及一种对于在数据写入操作时具有较多时间边限的半导体内存装置中的数据选通脉冲电路。
技术介绍
一般而言,在双数据速率同步动态随机存取存储器中(以下简称为DDR SDRAM),已经使用预取2位数据或4位数据的方法,以增加DDR SDRAM的操作速度。但是,因为当DDR SDRAM根据现有技术预取多位数据的各个位时,时间边限很小,所以会产生一些严重的问题。因此,为了增加DDR SDRAM的操作速度,预取多位数据的方法被视为一种限制条件。图1A为现有技术的DDR SDRAM的数据选通脉冲电路框图,而图1B为现有技术的DDR SDRAM的数据选通脉冲电路中,分割后的第一/第二数据块160的电路图。如图1A所示,DDR SDRAM的数据选通脉冲电路包括数据选通脉冲输入缓冲器110、数据输入缓冲器120、数据上升输入闭锁130、数据下降输入闭锁140、第一数据分割块150和第二数据分割块160。数据选通脉冲输入缓冲器110接收数据选通脉冲信号DQS,将其作为参考信号,以便排列输入数据。若启始缓冲信号STARTZ通过数据写入指令启动,则数据选通脉冲输入缓冲器110输出数据选通脉冲上升信号DSR0和数据选通脉冲下降信号DSF0。在此,使用启始缓冲信号STARTZ启动数据选通脉冲输入缓冲器110。若启始缓冲信号STARTZ通过数据写入指令启动,则数据输入缓冲器120将输入的数据输出到数据上升输入闭锁130和数据下降输入闭锁140。数据上升输入闭锁130接收自数据选通脉冲输入缓冲器110输入的数据选通脉冲上升信号DSR0,然后闭锁数据 ...
【技术保护点】
一种用以预取M个N位数据的数据选通脉冲电路,其中M和N为正整数,包括:用以根据数据选通脉冲信号,产生M个对齐控制信号的数据选通脉冲缓冲单元;具有M个闭锁块的同步块,每个闭锁块用以接收N位数据,然后响应N-1个对齐控制信号,以 并联形式输出N-1位数据,及响应其余的对齐控制信号,输出1位预取数据;及具有M个对齐块的输出块,每个对齐块以并联形式接收N-1位数据,使N-1位数据和对齐控制信号同步,然后输出已同步的N-1位数据,作为N-1位预取数据。
【技术特征摘要】
KR 2003-4-29 10-2003-00269421.一种用以预取M个N位数据的数据选通脉冲电路,其中M和N为正整数,包括用以根据数据选通脉冲信号,产生M个对齐控制信号的数据选通脉冲缓冲单元;具有M个闭锁块的同步块,每个闭锁块用以接收N位数据,然后响应N-1个对齐控制信号,以并联形式输出N-1位数据,及响应其余的对齐控制信号,输出1位预取数据;及具有M个对齐块的输出块,每个对齐块以并联形式接收N-1位数据,使N-1位数据和对齐控制信号同步,然后输出已同步的N-1位数据,作为N-1位预取数据。2.如权利要求1所述的数据选通脉冲电路,其特征在于至少一个或多个对齐控制信号具有至少比数据选通脉冲信号的周期长2倍的周期。3.如权利要求1所述的数据选通脉冲电路,其特征在于所述同步块包括M个闭锁块,每个闭锁块具有N个闭锁,每一个闭锁用以响应一个对齐控制信号,闭锁1位数据。4.如权利要求1所述的数据选通脉冲电路,其特征在于所述输出块包括M个对齐块,每个对齐块具有N-1个对齐单元,每一个对齐单元用以接收至少一个对齐控制信号,使1位数据与所述对齐控制信号同步,然后输出已同步的1位数据,作为1位预取数据。5.如权利要求1所述的数据选通脉冲电路,其特征在于N等于4。6.如权利要求5所述的数据选通脉冲电路,其特征在于数据选通脉冲分割装置响应数据选通脉冲信号的上升沿和下降沿,产生第一上升和下降数据选通脉冲信号,及第二上升和下降数据选通脉冲信号。7.如权利要求6所述的数据选通脉冲电路,其特征在于所述同步块包括至少一个闭锁块,用以响应第一上升和下降数据选通脉冲信号与第二上升和下降数据选通脉冲信号而闭锁输入的4位数据,然后响应第二下降数据选通脉冲信号,输出1位闭锁的数据,作为1位预取数据。8.如权利要求7所述的数据选通脉冲电路,其特征在于所述输出块包括至少一个对齐块,用以响应第一下降数据选通脉冲信号、第二上升数据选通脉冲信号和第二下降数据选通脉冲信号,接收自闭锁装置输入的3位数据,而且同时输出3位已同步的数据作为3位预取数据。9.如权利要求6所述的数据选通脉冲电路,其特征在于第一上升数据选通脉冲信号的上升沿对应原始数据选通脉冲信号的第一周期的上升沿;第一下降数据选通脉冲信号的上升沿对应原始数据选通脉冲信号的第一周期的下降沿;第二上升数据选通脉冲信号的上升沿对应原始数据选通脉冲信号的第二周期的上升沿;及第二下降数据选通脉冲信号的上升沿对应原始数据选通脉冲信号的第二周期的下降沿。10.如权利要求9所述的数据选通脉冲电路,其特征在于所述闭锁...
【专利技术属性】
技术研发人员:权奇昌,
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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