【技术实现步骤摘要】
背景本专利技术一般来讲涉及电子存储器，更具体来讲，本专利技术涉及用于对相变材料存储器器件执行写操作的技术和装置。相变材料可被用于为半导体存储器器件的存储器单元保存存储器状态。用这样的方式，被用于相变材料存储器器件中的相变材料可以显示出至少两种不同的状态。这些状态可以被称作非晶态和晶态。可以有选择地发起在这些状态之间的转变。这些状态可以被区分开，因为非晶态一般来讲显示出比晶态更高的电阻率。非晶态涉及更杂乱的原子结构。一般来讲，任何相变材料都可以被用于显示出这两种状态。然而，作为一个例子，薄膜硫族化物合金材料可能是格外合适的。相变可能被逆向地诱发。因此，响应于温度的改变，相变材料可能从非晶态变化为晶态，并且可能在之后恢复为非晶态，反之亦然。实际上，当相变材料被用于存储器单元的时候，该存储器单元可能被视为是可编程的电阻器，其在更高、更低电阻状态之间可逆地变化。相变可以是由于流过该材料的电流引起电阻升温而被诱发的。相变存储器器件的存储器单元并不仅局限于两种存储器状态(即，“1”状态和“0”状态)，相反，存储器单元可以具有许多种状态。也就是说，因为每一种状态可以通过它的电阻来...
【技术保护点】
一种方法，包括：响应于把数据写到相变存储器器件的存储器单元的请求，把存储器单元设置为在存储器单元之间是共享的状态；并且响应于该请求，把该数据写到存储器单元。
【技术特征摘要】
US 2001-10-30 10/021,4691.一种方法，包括响应于把数据写到相变存储器器件的存储器单元的请求，把存储器单元设置为在存储器单元之间是共享的状态；并且响应于该请求，把该数据写到存储器单元。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述设置包括预置存储器单元。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述写包括有选择地复位存储器单元。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述写包括写入对应于数据位的单元，这些单元与不同于第一状态的另一状态相关联。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述设置包括执行一个块写周期。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述写包括掩蔽对应于数据位的单元，这些单元与在写入过程中的第一状态相同的状态相关联。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述写是在所述设置之后执行的。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述共享状态包括预置状态。9.如权利要求1所述的方法，其中，所述设置包括把每一存储器单元设置为晶态。10.如权利要求1所述的方法，其中，所述写包括有选择地把一定的存储器单元设置为非晶态。11.一种存储器控制器，包括第一电路，用于接收与把数据写到相变存储器器件中的一组至少一个存储器单元的请求相关联的数据；以及第二电路，用于响应于所述请求，把所述组中的每一存储器单元设置为在所述组的所述至少一个存储器单元之间是共享的状态，并且响应于所述请求，对所述相变存储器器件执行写操作，以便使所述至少一个存储器单元指示该数据。12.如权利要求11所述的存储器控制器，其中，第二电路响应于一个请求，预置该组中的每一存储器单元。13.如权利要求11所述的存储器控制器，其中，第二电路响应于该数据，通过有选择地复位该组中一定的存储器单元来执行写操作。14.如权利要求11所述的存储器控制器，其中，第二电路通过写入对应于数据位的单元来执行写操作，所述数据位与不同于所述第一状态的另一状态相关联。15.如权利要求11所述的存储器控制器，其中，第二电路执行一个块写操作，以便使所述至少一个存储器单元指示所述数据。16.如权利要求15所述的存储器控制器，其中，第二电路掩蔽对应于数据位的单元，这些单元与在块写操作过程中的第一状态相同的状态相关联。17.如权利要求11所述的存储器控制器，其中，第二电路响应于所述请求执行一个块写操作，以便把该组中的每一存储器单元设置为共享状态。18.如权利权利要求11所述的存储器控制器，其中，所述共享状态包括预置状态。19.如权利权利要求11所述的存储器控制器，其中，所述状态包括晶态。20.如权利权利要求11所述的存储器控制器，其中，第二电路通过有选择地把该组中一定的存储器单元设置为非晶态来执行写操作。21.一种计算机系统，包括相变存储器；以及存储器控制器，用于接收与把数据写到所述相变存储器器件中的一组至少一个存储器单元的请求相关联的数据，响应于所述请求，把所述组中的每一存储器单元设置为在所述组中的所述至少一个存储器单元之间是共...
【专利技术属性】
技术研发人员：TA劳里，WD帕金森，M吉尔，
申请(专利权)人：奥翁尼克斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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