硫属化物材料的化学气相沉积制造技术

本发明专利技术提供用于制备电和光硫属化物材料的化学气相沉积（ＣＶＤ）方法。在优选实施方式中，该ＣＶＤ沉积的材料表现出一种或多种以下性质：电转换、累积、设置、可逆多状态特性、复位、认知功能和可逆非晶形－晶态转变。在一个实施方式中，通过ＣＶＤ沉积多层结构，该多层结构至少包括含有硫属元素的一个层，且在沉积后对该多层结构施加能量，以产生具有本发明专利技术所述性质的硫属化物材料。在另一个实施方式中，具有本发明专利技术所述性质的单层硫属化物材料通过包括三种或更多沉积前体的ＣＶＤ沉积方法形成，至少一种沉积前体是硫属元素前体。优选的材料是那些包含硫属元素Ｔｅ以及Ｇｅ和／或Ｓｂ的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备硫属化 物材料的方法。更具体地，本专利技术涉及通过金属有机 化学气相沉积法形成薄膜硫属化物材料。最具体地，本专利技术涉及包含Ge、Sb和Te的硫属化 物材料的金属有机化学气相沉积。
技术介绍
硫属化物材料是含有硫属元素(0、S、Se、Te)且通常含有一种或多种另外元素的 材料，所述另外元素用来改变电子性质或结构性质。II-VI半导体(例如CdS、ZnTe等)是 众所周知的一类硫属化物材料。由于这些材料具有宽带隙(wide bandgap)性质且具有为 LED和激光应用提供短波长光发射的可能性，所以已被广泛研究。另一类重要的硫属化物材料包括庞大系列的硫属化物材料，起初由 S. R. Ovshinsky开发出来，现今被用于光和电存储和转换(optical andelectrical memory and switching)。此处这些硫属化物材料可被称为双向(Ovonic)硫属化物材料。在所述 双向硫属化物材料中，有些是硫属化物相变材料，其现今被广泛用于光学记录技术。在CD 和DVD应用中的活性材料是具有晶态和非晶形状态的硫属化物材料，晶态和非晶形状态的 相对比例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成电转换材料的方法，该方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积第一层；在所述第一层上沉积第二层以形成第一结构，所述第一结构包括所述第一层和所述第二层；和施加能量于所述第一结构，所述能量将所述第一结构转变成第二结构，所述第二结构的原子布置不同于所述第一结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：SR奥夫辛斯基，S卡梅帕利，
申请(专利权)人：奥翁尼克斯公司，
类型：发明
国别省市：US[]