对于可编程器件使用原子层沉积制造技术

一方面，提供一种设置和重新编程可编程器件状态的设备。一方面，提供一种方法，使得通过暴露触点（１７０）的电介质（２１０）形成开口（２２０），所述触点（１７０）形成在衬底（１００）上。使用原子层沉积（ＡＬＤ），在电介质（２１０）的壁上共形地沉积电极（２３０）。在电极（２３０）上形成可编程材料（４０４），并且形成到可编程材料（４０４）的导体（４１０）。一方面，在电极（２３０）和可编程材料（４０４）之间使用ＡＬＤ来共形地沉积阻挡（４０８）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】领域包括相变存储器件的可编程器件可以通过改变相变材料的状态而被编程。背景典型的计算机或者与计算机相关的装置(包括物理存储器)，通常称作是主存储器或者是随机访问存储器(RAM)。通常，RAM是计算机程序可以使用的存储器，只读存储器(ROM)是用于例如存储启动计算机并且执行诊断的程序的存储器。典型的存储器应用包括动态随机访问存储器(DRAM)、静态随机访问存储器(SRAM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。在存储器应用中固态存储器件典型地对于每个存储位(例如，每位是1-4个晶体管)使用微电子电路元件。因为对于每个存储位来讲需要一个或者多个电子电路元件，这些器件可能消耗大量芯片“面积”(real estate)来存储信息位，这样限制了存储器芯片的密度。这些器件的原始“非易失”存储元件，诸如EEPROM，典型地使用具有有限重新编程能力的浮栅场效应晶体管器件并且在场效应晶体管的栅上保持电荷来存储每个存储位。这类存储器件对于编程来讲相对较慢。相变存储器件使用相变材料(即在通常非晶态和通常晶态之间电切换的材料)来用于电子存储器的应用。一种类型的存储元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在触点上形成电介质，所述触点形成在衬底上；通过暴露所述触点的所述电介质来形成开口；使用原子层沉积（ＡＬＤ）在所述电介质的壁上共形地沉积电极；在所述电极上形成可编程材料；以及形成到所述可 编程材料的导体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括在触点上形成电介质，所述触点形成在衬底上；通过暴露所述触点的所述电介质来形成开口；使用原子层沉积(ALD)在所述电介质的壁上共形地沉积电极；在所述电极上形成可编程材料；以及形成到所述可编程材料的导体。2.根据权利要求1的方法，还包括在所述电极和可编程材料之间，使用ALD沉积阻挡，所述阻挡包括硅化钛和氮化钛中的至少其中之一。3.根据权利要求1的方法，其中共形地沉积电极包括共形地沉积从10埃到1000埃的电极薄膜厚度。4.根据权利要求1的方法，其中共形地沉积电极包括共形地沉积钨(W)、氮化钨(WN)、氮化钛(TiN)、氮化硅钛(TiSiN)以及氮化钽(TaN)中的至少其中之一，具有0.001ohm-cm到0.05ohm-cm的电阻率。5.根据权利要求1的方法，其中形成可编程材料包括形成硫族化物存储元件。6.一种设备，包括位于衬底上的触点；位于所述触点上的电介质，所述电介质具有暴露所述触点的开口；通过原子层沉积(ALD)在所述电介质的壁上共形地沉积的电极；位于所述电极上的可编程材料；以及形成到所述可编程材料的导体。7.根据权利要求6的设备，还包括在所述电极和可编程材料之间，通过ALD沉积阻挡，所述阻挡包括硅化钛和氮化钛中的至少其中之一。8.根据权利要求6的设备，其中所述电极具有从10埃到1000埃的薄膜厚度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：TA劳里，CH丹尼森，
申请(专利权)人：奥翁尼克斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]