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对于可编程器件使用原子层沉积制造技术
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下载对于可编程器件使用原子层沉积的技术资料
文档序号:3201345
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一方面,提供一种设置和重新编程可编程器件状态的设备。一方面,提供一种方法,使得通过暴露触点(170)的电介质(210)形成开口(220),所述触点(170)形成在衬底(100)上。使用原子层沉积(ALD),在电介质(210)的壁上共形地沉积...
该专利属于奥翁尼克斯公司所有,仅供学习研究参考,未经过奥翁尼克斯公司授权不得商用。
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