PCRAM重写防止制造技术

由一个传感放大器读出一个可编程导体存储单元但不重写该存储单元的内容。如果该可编程触点存储单元具有一个接入晶体管，则该接入晶体管被断开以便在一个预定的时间量之后把该单元从该位线分离。该预定的时间量足够长，以便使得该单元的逻辑状态被传输到该位线，并且还足够短，以便在该传感放大器操作之前把该单元与该位线隔离。对于不使用接入晶体管的可编程触点存储单元来说，可在从传感放大器到隔离晶体管的位线的部分和从隔离晶体管到存储单元从位线的部分之间串行连接地放置一个隔离晶体管。该通常导通的隔离晶体管在该位线开始通过该可编程触点存储单元放电时间的预定的时间之后被断开，从而在一个传感操作开始之前把该可编程触点存储单元与该传感放大器隔离。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成存储电路。尤其涉及一种用于读出可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元的方法。
技术介绍
动态随机存储器(DRAM)集成电路阵列已经存在三十多年并且随着半导体制造技术与电路设计技术的进展而使存储容量显著增加。这两种技术的巨大进展还实现了高水平的集成，使得存储器阵列尺寸和成本的显著降低以及生产量的增加。附图说明图1是一个DRAM存储单元100的示意图，包括接入晶体管101和电容器102。耦合到Vcc/2电位源和晶体管101的电容器102以电荷的形式储存数据的一个比特。通常，一个极性的电荷(例如对应于跨在+Vcc/2的电容器102上电位差的电荷)被存储在电容器102中以便表示一个二进制″1″，而一个相反极性的电荷(例如对应于跨在-Vcc/2的电容器102上电位差的电荷)则表示一个二进制″0″，晶体管101的栅极耦合到字线103，从而使得该字线103控制该电容102是否经过该晶体管101导通耦合到位线104。每一字线103的缺省状态是地电位，该地电位使得晶体管101被断开，因此与电容器102电绝缘。与DRAM单元100有关的缺陷之一是在该电容器102上的电荷可能随着时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：　　　　用于从一个可编程的导体随机存取存储器单元读出数据的一个装置，所说的装置包括：　　　　一个接入电路，用于在一个读取操作过程中把所说的存储单元耦合在一个编址和启动的字线和一个编址和启动位线之间；　　　　耦合到所说的编址和启动的位线的一个传感放大器，用于传感所说的存储单元的逻辑状态；以及　　　　防止电路，用于防止所说的存储单元响应所说的读取操作而被刷新。

【技术特征摘要】
US 2002-1-4 10/035,1971.一种存储器件，包括用于从一个可编程的导体随机存取存储器单元读出数据的一个装置，所说的装置包括一个接入电路，用于在一个读取操作过程中把所说的存储单元耦合在一个编址和启动的字线和一个编址和启动位线之间；耦合到所说的编址和启动的位线的一个传感放大器，用于传感所说的存储单元的逻辑状态；以及防止电路，用于防止所说的存储单元响应所说的读取操作而被刷新。2.权利要求1的存储器件，其中所说的接入电路是一个晶体管电路，并且所说的防止电路使得所说的启动的字线在所说的存储单元的一个逻辑状态被传送到所说的启动的位线之后并在所说的传感放大器传感所说的存储单元的一个逻辑状态之前禁动所说的启动的字线。3.权利要求2的存储器件，其中所说的防止电路包括一个晶体管，使得所说启动的字线被禁动。4.权利要求3的存储器件，其中所说的晶体管被串联连接在所说的字线和用于所说的字线的一个驱动器之间，并且在所说的读操作期间被导通和被断开以便禁动所说的行线。5.权利要求3的存储器件，其中所说的晶体管被串联连接在所说的字线和地之间，并且在所说的读操作期间被断开和被导通以便禁动所说的字线。6.权利要求1的存储器件，其中所说的防止电路包括串联连接在一个启动的位线和与该启动的位线相关的一个传感放大器之间的一个晶体管，所说的串联连接的晶体管在一个读操作期间被接通并且在所说的存储单元能够被更新之前被断开。7.权利要求1的存储器件，其中所说的防止电路在所说的存储单元开始把一个逻辑状态传送到所说的启动的位线之后使得所说的启动的字线被禁动一个预定的时间量。8.权利要求7的存储装置，其中所说的传感放大器还包括一个第一传感放大器部分和一个第二传感放大器部分。9.权利要求8的存储器件，其中所说的预定的时间量是在所说的第一传感放大器部分被启动之后并且在所说的第二传感放大器部分被启动之前。10.权利要求8的存储器件，其中所说的第一传感放大器部分是一个N-传感放大器，而所说的第二传感放大器部分是一个P-传感放大器。11.权利要求1的存储器件，进一步包括一个预充电电路，用于预充电该编址和启动的位线和另一位线，其中所说的编址和接入的位线以及所说的另一位线被耦合到该传感放大器。12.权利要求11的存储器件，其中所说的预充电电路在该传感放大器传感所说的编址和启动的位线之前预充电该编址和启动的位线和另一位线。13.一种系统，包括一个处理器；和一个存储器，所说的存储器进一步包括用于从一个可编程的导体随机存取存储器单元读出数据的一个装置，所说的装置包括一个接入电路，用于在一个读取操作过程中把所说的存储单元耦合在一个编址和启动的字线和一个编址和启动位线之间；耦合到所说的编址和启动的位线的一个传感放大器，用于传感所说的存储单元的逻辑状态；以及防止电路，用于防止所说的存储单元响应所说的读取操作而被刷新。14.权利要求13的系统，其中所说的接入电路是一个晶体管电路，并且所说的防止电路使得所说的启动的字线在所说的存储单元的一个逻辑状态被传送到所说的启动的位线之后和在所说的传感放大器传感所说的存储单元的一个逻辑状态之前禁动所说的启动的字线。15.权利要求14的系统，其中所说的防止电路包括一个晶体管，使得所说启动的字线被禁动。16.权利要求15的系统，其中所说的晶体管被串联连接在所说的字线和用于所说的字线的一个驱动器之间，并且在所说的读操作期间被导通和被断开以便禁动所说的行线。17.权利要求15的系统，其中所说的晶体管被串联连接在所说的字线和地之间，并且在所说的读操作期间被断开和被导通以便禁动所说的字线。18.权利要求13的系统，其中所说的防止电路包括串联连接在一个启动的位线和与该启动的位线相关的一个传感放大器之间的一个晶体管，所说的串联连接的晶体管在一个读操作期间被接通并且在所说的存储单元能够被更新之前被断开。19.权利要求13的系统，其中所说的防止电路在所说的存储单元开始把一个逻辑状态传送到所说的启动的位线之后使得所说的启动的字线被禁动一个预定的时间量。20.权利要求19的系统，其中所说的读出放大器还包括一个第一传感放大器部分和一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：J莫雷，J巴克，
申请(专利权)人：微米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]