【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电熔丝电路(electric flise circuit)和一种电子元件。技术背景本申请是基于并且要求2006年8月18日递交的在先日本专利申请 No.2006-223428的优先权权益，其整个内容通过引用结合于此。图28是说明具有激光熔丝的半导体存储芯片的视图。在具有利用激 光熔丝的冗余存储单元的现代半导体存储器中，通常的做法是将损坏的存 储单元替换为冗余存储单元。激光熔丝是一种非易失性的ROM，其中信 息通过对配线导电层辐射激光束被写入以断开该熔丝(例如，当被连通 时，其是电导电的，即0;当被断开时，其是电绝缘的，即1)并 且损坏的存储单元的地址在ROM中存储，以便冗余存储单元接手。存在 一种已知的现象，比如当封装时由于所产生的热量等原因，存储芯片1601 中的DRAM的刷新性能的降低。然而，激光束LS在封装之后不能被辐 射。因此， 一种方法已经被研究，其中一种电可写的电熔丝被用作非易失 性的ROM,损坏的存储单元的地址被存储在该ROM以实现冗余存储单元 的替换。图29是一种说明电熔丝电路的示范性配置的图。在下文中，场效应 晶体管被简单...
【技术保护点】
一种电熔丝电路包括：形成电熔丝的电容器；通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路；以及至少两个晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，在电容器和写入电路之间串联连接。
【技术特征摘要】
JP 2006-8-18 2006-2234281.一种电熔丝电路包括形成电熔丝的电容器；通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路；以及至少两个晶体管，包括第一晶体管和第二晶体管，在电容器和写入电路之间串联连接。2. 如权利要求1所述的电熔丝电路，其中第一晶体管以以下的方式 连接到所述电容器，比第二晶体管更靠近所述电容器，并且第一晶体管的 栅极电压比第二晶体管的栅极电压高。3. 如权利要求1所述的电熔丝电路，其中所述电容器由源极和漏极 彼此相连的第三晶体管组成，并且第一和第二晶体管的各自栅极绝缘膜比 第三晶体管的栅极绝缘膜更厚。4. 如权利要求1所述的电熔丝电路，其中第一和第二晶体管的各自 反向栅极连接到参考电位。5. 如权利要求1所述的电熔丝电路，其中第一晶体管的反向栅极连 接到其源极，并且第二晶体管的反向栅极连接到其源极。6. 如权利要求l所述的电熔丝电路，其中第一晶体管是在P沟道衬底上的第一 n沟道阱中的第一 p沟道阱 中提供的n沟道晶体管，该第一晶体管的源极连接到第一 n沟道阱和第一 p沟道阱，以及第二晶体管是在P沟道衬底上的第二 n沟道阱中的第二 p沟道阱中提 供的n沟道晶体管，该第二晶体管的源极连接到第一 n沟道阱和第一 p沟 道阱。7. 如权利要求2所述的电熔丝电路，其中所述电容器的第一端子连接到第一电势，所述电容器的第二端子 连接到由第一和第二晶体管串联连接组成的电路。 第二电势被提供给第二晶体管的栅极，以及 其中由第一电阻和第一二极管串联连接组成的一个电路被进一步包 括，该电路连接在第一电势和第一晶体管的栅极和第二电阻之间，该第二 电阻连接在第一和第二晶体管的各自栅极之间。8. 如权利要求7所述的电熔丝电路，进一步地包括第三晶体管，在 电源接通的时间瞬间将第二电势连接到第一晶体管的栅极。9. 一种电熔丝电路，包括用于至少两个电熔丝的第一电容器和第二电容器；以及 基于第一和第二电容器的阻抗输出一比特数据的输出电路。10. 如权利要求9所述的电熔丝电路，进一步地包括 通过响应第一写入信号施加一个电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口秀策，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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