用于编程、擦除及读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一终于编程和擦除电阻性存储装置阵列的电阻性存储装置（３０）的本方法中，基于单一命令，提供高电流于编程和擦除功能，以仅编程和擦除其状态将从其先前状态改变的该存储装置（３０）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上是关于存储装置，详言之，是关于电阻性存储装置 操作。
技术介绍
图1显示一种已知为离子移动电阻性存储装置之电阻性存储装置30。存储装置30包括电极32(例如铜)、于该电极32上之硫化铜层34、 于层34上之例如氧化铜层之有源层36、和于该有源层36上之电极 38(例如钛)。起初，假设存储装置30尚未被编程，为了编程存储装置 30，将电极38接地，而施加正电压到电极32，俾使得电位Vpg(编程 电位)于该存储装置30之顺向(forwanl)方向从较高至较低电位施加跨 接(across)于存储装置30(参看图2，存储装置电流对施加跨接于该存储 装置30之电位之图)。此电位足够引起铜离子从层34被吸引朝向电极 38并进入有源层36(A)，以便形成导电细丝(filament),引起有源层36(以 及全部存储装置30)是在(顺向)低电阻或导电状态。在移除此电位(B) 后，于编程步骤期间吸引入有源层36之离子保留在该有源层36中， 以使有源层36(和存储装置30)保持于导电或低电阻状态。于存储装置30于其被编程(导电)状态之读取步骤中，电位V《读 取电位)于该存储装置30之顺向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对电阻性存储装置（３０）执行程序的方法，包括：　　　　提供数据信息至数据寄存器（６６）；　　　　将来自该数据寄存器（６６）的数据信息提供至锁存器（６８）；以及　　　　将来自该锁存器（６８）的与将数据写入该存储装置（３０）中相关的信息提供至写入驱动器（５２）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-5-27 11/139,2271、一种对电阻性存储装置(30)执行程序的方法，包括提供数据信息至数据寄存器(66)；将来自该数据寄存器(66)的数据信息提供至锁存器(68)；以及将来自该锁存器(68)的与将数据写入该存储装置(30)中相关的信息提供至写入驱动器(52)。2、 如权利要求1所述的方法，还包括该写入驱动器(52)将数据写 入该存储装置(30)中。3、 如权利要求2所述的方法，其中，由该写入驱动器(52)写入数 据使该存储装置(30)的电阻从较低状态改变至较高状态。4、 如权利要求2所述的方法，其中，由该写入驱动器(52)写入数 据使该存储装置(30)的电阻从较高状态改变至较低状态。5、 如权利要求1所述的方法，其中，根据与在该存储装置(30)中 写入数据相关的信息，数据并不由该写入驱动器(52)写入该存储装置 (30)中。6、 如权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：CS比尔，WD蔡，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]