【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及例如电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪EEPROM的 非易失性半导体存储器，且明确地说，涉及基于允许交迭存储器操作的共享锁存器结构 的高速缓存操作。
技术介绍
实现电荷的非易失性存储的固态存储器，尤其是封装作为小型卡的EEPROM和快闪 EEPROM的形式的固态存储器，最近成为多种移动和手持装置(特别是信息用具和消费 者电子产品)中的精选存储装置。与同样是固态存储器的RAM (随机存取存储器)不同， 快闪存储器是非易失性的，从而即使在断开电力之后也保持其所存储的数据。尽管成本 较高，但快闪存储器正越来越多地用于大容量存储应用中。基于例如硬盘驱动器和软盘 的旋转式磁性媒体的常规大容量存储装置不适合用于移动和手持环境。这是因为硬盘驱 动器往往是庞大的，易于发生机械故障，且具有高等待时间和高功率要求。这些不良属 性使得基于磁盘的存储装置在大多数移动和便携式应用中不能实行。另一方面，嵌入式 和具有可移除卡形式的快闪存储器理想地适用于移动和手持环境中，这是由于其小尺寸、 低功率消耗、高速度和高可靠性特征的缘故。EEPROM和电可编程只读存...
【技术保护点】
一种操作非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括存储器单元阵列和用于对所述阵列的存储器单元群组进行并行操作的读取／写入电路组，每一读取／写入电路具有用于锁存所述存储器单元群组中相应一者的输入和／或输出数据的数据锁存器组，所述方法包含： 使用存储在第一多个所述数据锁存器组中的第一数据组来对第一存储器单元群组执行第一操作；以及 在所述第一操作期间，将用于第二操作的第二数据组高速缓存在所述第一多个所述数据锁存器组中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-4-1 11/097,5901.一种操作非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括存储器单元阵列和用于对所述阵列的存储器单元群组进行并行操作的读取/写入电路组，每一读取/写入电路具有用于锁存所述存储器单元群组中相应一者的输入和/或输出数据的数据锁存器组，所述方法包含使用存储在第一多个所述数据锁存器组中的第一数据组来对第一存储器单元群组执行第一操作；以及在所述第一操作期间，将用于第二操作的第二数据组高速缓存在所述第一多个所述数据锁存器组中。2. 根据权利要求l所述的方法，其中从所述存储器装置外部供应所述第二数据组。3. 根据权利要求l所述的方法，其中所述第一操作包括多个阶段，且所述第二数据组 是从不同于所述第一存储器单元群组的第一存储器单元群组读取的，所述第二数据 组在所述第一操作的阶段之间被读取。4. 根据权利要求3所述的方法，其中所述第一操作是具有交替的编程和检验阶段的写 入操作，且所述第一数据组是待写入到所述第一存储器单元群组中的数据。5. 根据权利要求4所述的方法，其中随后在所述写入操作期间将所述高速缓存的数据 组传送离开所述第一多个所述数据锁存器组。6. 根据权利要求4所述的方法，其中所述交替的编程和检验阶段在当读取所述第二数 据组时写入过程暂停处再继续。7. 根据权利要求4所述的方法，其中所述存储器单元是存储N个数据位的多电平存储 器单元，其中N大于一，且其中所述数据锁存器组中的每一者包括N个数据锁存器 且所述第一数据组是N位数据。8. 根据权利要求7所述的方法，其中随着所述N个数据位中的位检验，释放数据锁存 器且将所述高速缓存数据存储在所述释放的数据锁存器中。9. 根据权利要求3所述的方法，其中所述第一和第二数据组对应于所述存储器的相异 第一和第二字线。10. 根据权利要求l所述的方法，其中所述锁存器组中的每一者与所述存储器的相异位 线相关联。11. 根据权利要求l所述的方法，其中所述第一操作是擦除操作，且所述第二操作是读 取。12. 根据权利要求l所述的方法，其中所述第一操作是擦除操作，且所述第二操作是编 程操作。13. —种操作非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括存储器单元阵 列和用于对所述阵列的存储器单元群组进...
【专利技术属性】
技术研发人员：李彦，埃米利奥叶罗，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。