薄膜复合磁头制造技术

薄膜复合（ＭＩＧ）的铁氧体磁头有第一和第二铁芯元件（１２，１４），它们有相对的面（１２Ａ，１４Ａ），和在相对面之间产生不可磁化缝隙的材料（３０）。至少在相对面中的一个和产生不可磁化缝隙的材料之间装设一层很薄的难熔金属的屏蔽层（２２，２６），和一层高磁矩材料。每个屏蔽层是由钨或钽构成，每个高磁矩材料层是由三达斯特（铁硅铝磁合金）组成。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与薄膜复合(metal-in-gap)(MIG)的铁氧体磁头有关。高矫顽力磁介质的出现已引起薄膜复合(MIG)铁氧体磁头的更新。在MIG铁氧体磁头中，在铁芯后沿面镀上一层高磁矩材料以改进写录特性和获得较高的线性记录密度。通过在一个或两个铁芯面镀上一层高磁矩的材料可改进写入特性。在一典型的结构中，铁氧体芯由锰-锌铁氧体制成，镀在铁芯面上的高磁矩材料是称为三达斯特(Senolust)(商标)的铁-硅-铝基合金。已经发现，MIG磁头会产生所谓的“次生电脉冲”，它似乎是在铁氧体与金属的介面位置产生。这样认为是由于在金属(例如三达斯特)和铁氧体(例如锰-锌铁氧体)之间的化学反应会在铁氧体和有高磁矩的金属之间产生磁的不反应层(即“次级缝隙”或“假缝隙”)。在温哥华召开的国际磁学协会磁和磁性材料会议的论文集EE-11页(1988)，卡基华拉(Kajiwara)等写的“薄膜复合磁缝隙中金属/铁氧体介面层的俄歇(Auger)频谱分析”文章，指述当金属是三达斯特时明显地产生次生脉冲的反应层是由Al2O3和SiO2组成。另外卡基华拉等人还发现利用高磁矩的另一种金属(铁-镓-硅-钌合金)代替本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁头包括有第一和第二铁芯元件（１２，１４）的铁氧磁芯（１０），第一和第二铁芯元件有相对的面（１２Ａ，１４Ａ），其间有产生不可磁化缝隙的材料（３０）和至少一层高磁矩的材料（２４，２８），其特征是在各个相对面之间有一薄层难熔金属的屏蔽层（２２，２６）和至少一层高磁矩的材料。

【技术特征摘要】
US 1989-5-31 359,1621.一种磁头包括有第一和第二铁芯元件(12，14)的铁氧磁芯(10)，第一和第二铁芯元件有相对的面(12A，14A)，其间有产生不可磁化缝隙的材料(30)和至少一层高磁矩的材料(24，28)，其特征是在各个相对面之间有一薄层难熔金属的屏蔽层(22，26)和至少一层高磁矩的材料。2.一种磁头包括有第一面(12A)的第一铁芯元件(12)，有第二面(14A)的第二铁芯元件，第二面与第一面相对并间隔一定的距离，其特征是第一面上涂有厚度约为50埃到150埃的难熔金属第一屏蔽层(22)，在第一屏蔽层上镀有第一高磁矩材料层(24)，在第一高磁矩材料层和第二面之间放有不可磁化缝隙材料(30)。3.按照权利要求1的磁头，其特征是在第二面上有厚度约为50埃到150埃的难熔金属第二屏蔽层(26)，在第二屏蔽层上镀有第二高磁矩材料层(28)，在第一和第二高磁矩材料层之间放有不...

【专利技术属性】
技术研发人员：马斯托马斯拉斯克，利莱利兰朗沃思，
申请(专利权)人：西加特技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]